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Al2O3厚度对电池特性的影响采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气
和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为

摘要针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等)，在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测，归纳和总结了电池的各种典型缺陷的
采用制绒、扩散、刻蚀、PECVD、印刷、烧结几道工序，由于一些机械应力、热应力及人为等不稳定因素的存在，会不可避免的造成硅片的一些隐性缺陷如污染、裂纹、扩散不均匀等，这类缺陷的存在大大降低了电池片的

在光伏行业中，激光作为工业化工具是一种关键的技术，它能以低成本的制造工艺生产出高效的太阳能电池。激光刻蚀划线技术比起其它的工艺它更高效，一方面它可以提高生产流程中的工艺可靠性，另一方面可降低
四周需要清除大约1厘米宽度的膜层，然而通过层压保护，这能保护太阳能电池免于腐蚀以及长期防止短路。目前喷砂法被广泛使用，尽管喷砂设备投资成本低，但在加工过程中会由于磨损、清除沙子以及相关检测而产生的高昂后需费用。因此，激光技术是再适合不过的了。

生产过程中，PERC电池钝化膜损伤及各种EL缺陷等造成成品率下降颇为严重。本文通过对PERC电池片生产工艺、设备、生产管理上探究一定优化解决方案。 1PERC电池片与常规电池片简介常规电池采用
可能不影响整体效率，但从EL照片看会出现划痕阴影，归为次品，有些企业这种因划伤造成的EL次品会达20%～30%。划痕产生原因与在工艺过程中蹭片，工人操作手法，操作工序设备等有关，较难避免。 2.2工艺

发射极，方块电阻为90～98 / □; 3) 刻蚀及去磷硅玻璃层(PSG); 4) 硅片背面沉积Al2O3 和SiNx 钝化膜：Al2O3 薄膜厚度20 nm，SiNx 薄膜厚度130 nm
。实验中采用semilab RT-100 设备测量硅片电阻率，四探针法测试扩散后硅片方块电阻，使用semilab WT-1200 设备测试少子寿命，选用BERGER 在线I-V 测试系统，在25

PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售，为太阳能光伏电池生产企业提供高转换效率大产能整体解决方案。在行业潮起潮落时

通过丝网印刷设备将浆料印刷至电池表面，浆料中的金属颗粒在高温条件下，表面熔融相互连接并刻蚀硅板，形成可靠地黏结和电学接触。目前，工业界普遍采用丝网印刷技术在电池基底材料上印刷电池栅线即金属电极。丝网印刷
技术相对其他技术而言，首先其设备结构相对简单、价廉、易于操作;其次印刷工艺成熟，生产效率高，容易实现大规模的自动化生产，在一定程度上可以节约时间和成本。但丝网印刷也存在几点不足：一是印刷过程中丝网与

、高效率的关键。 HIT电池工艺流程 HIT电池技术金属化(银浆)发展研究 1HIT电池金属化的核心要求 HIT电池因为其特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化结构，对设备、工艺、环境、操作水平等要求
烧结，银粉之间依靠表面熔融相互连接，玻璃相在一定程度上熔银并刻蚀硅板，形成可靠黏结和欧姆接触。因此1N的拉力要求对于低温银浆的是一个挑战。 2HIT电池金属化工艺流程及方法目前大部分HIT电池的

玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的

% ;第二阶段是加入热氧化工艺，并优化刻蚀、扩散匹配，效率提升至 21.7%;第三阶段，即将规模推广的 SE 技术效率将提升至量产 22% 。无论处于何种工艺阶段，核心的背钝化膜层的生长设备选型十分重要
的不同而异。因此，钝化膜沉积设备和膜开口设备(既可以使用激光也可以运用化学蚀刻)都需要在传统的电池生产线上额外增加加工设备。对于较少应用的激光边缘隔绝处理工艺生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面

、扩散、刻蚀、PECVD镀膜及丝网印刷都在同一条生产线上完成，考虑到设备，人为操作及环境等因素的影响并不能完全保证电池片的均一性，所以Si、P和Ag含量差别在一定范围内是允许的。由于Bi元素来源于印刷电极
、刻蚀、PECVD镀膜、丝网印刷、烧结等工序。每道工序过程中，由于存在人为因素、环境因素及机械不稳定等因素，造成硅片的一些缺陷及污染等，从而影响电池片的性能。因此黑斑片的出现，也许是硅片原材料的问题

。大量研发团队已经通过实验证明AI2O3薄膜或是AI2O3/SiNx介质叠层能大幅度改善钝化效果，尤其是对于P型硅表面，从而替代常用的高温方法，后者将硅片放置于高温热氧工艺生长设备上进行混合气氛退火以
(PECVD)方法的AI2O3沉积设备的出现以及针对光伏工业的适应性改造，已有相当多的工作(例如Kessels&Putkonen等的论文及其引文)投入到了AI2O3薄膜钝化PERC电池背部的研究当中

( 制绒- 扩散-刻蚀- 正面PECVD- 丝网印刷) 制作，另外100片按照前文所述的PERC 电池流程制作;同时，保证在电池片制作过程中都选用同种设备进行，以减小误差。制作结果如表1 所示，PERC
制作流程一般为：制绒- 扩散-刻蚀-ALD- 正面PECVD- 背面PECVD- 激光开槽- 丝网印刷。随着PERC 电池的量产，在EL测试中，EL 测试仪总能测出正面发暗的电池片，如图2 所示

复合速率，提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体
PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理