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开关电源、线性集成稳压器、电荷泵三类。而开关电源应用最为广泛，灵活的运用半导体开关器件，实现对电容或电感等储能器件的充放电来达到电压变换目的，开关电源根据输入输出电压特性又分为BUCK、BOOST
效率和亮度正在大幅度提高，LED必将成为应用最广泛的照明光源。由于LED本身材料的特殊性及应用方向差异，因而其测试规范各有不同，以白光LED举例，其测试涉及电特性、光学特性、热学特性、静电特性及寿命测试

辨X射线衍射、光学测试，发现CH3NH3PbX3（X=Cl, Br, I）钙钛矿晶体材料具有很高的结晶质量和更好的光吸收范围（相较于薄膜样品），并首次发现它在402纳米处的发光峰。此外，它比薄膜材料具有
采用单晶制作的钙钛矿太阳能电池可以获得更好的光电转换效率；同时由于晶体的完整性和较少的缺陷，单晶器件也具有更佳的稳定性。这位主编说，由于单晶材料是现代半导体工业、电子工业和光电工业的基础，具有优良性能的钙钛矿单晶材料有可能实现对多晶钙钛矿基器件的革新，推动光电器件的新一轮革命。

，成为国际上尤为重要的研究热点材料之一。此类钙钛矿的纳米结构材料（如纳米线和纳米片），在保留优越光物理性质的同时，其微纳尺寸也使得该类材料在微型光电/光学器件等领域具有广泛的应用前景
(DOI: 10.1021/jacs.5b08045.)。近年来，金属有机钙钛矿材料CH3NH3PbX3(X=Cl, Br, I)由于其在构建高效、廉价太阳能电池和其他光电器件等方面展现出极大的应用价值

使用纳米尺度组件，乔治亚理工学院的研究者们演示了第一个光学整流器，它是一个结合天线和整流二极管功能的装置，能直接将光转换为直流电。基于多层碳纳米管和在其上制造的微小整流器，光学整流天线可能提供
，它们产生振荡电荷流经相连的整流装置，整流器以创纪录的拍赫(PHz，1015Hz)频率开关，产生出小股直流电流。目前为止演示的器件效率在1%以下，但研究者们希望用数十亿个整流天线的阵列来增加输出

（PTCDA）纳米结构的制备、光学以及电学特性》（Preparation, Optical and Electrical Properties of PTCDA Nanostructures）为题在线发表
光、电器件领域的应用。同无机材料相比，有机材料分子间作用力主要为氢键、范德华力、-共轭相互作用等弱相互作用力，这使有机纳米材料在诸多领域起到了无机纳米材料不能替代的作用。PTCDA是典型的有机

材料转移过程中，相关材料往往会出现阵列的排列次序混乱、偏移等问题，给后续柔性电子器件的制造带来挑战。上海微系统所SOI材料课题组针对材料转移过程中的问题，以Si/Ge纳米薄膜为例，提出了一种简易、可控
纳米薄膜具有出众的电学、光学、热电、光电等物理学性质和优异的机械柔性，是当今无机柔性电子技术领域中重要功能材料之一；该工作中所提出的边缘-剪切转移技术可以简便、可控地将柔性无机单晶纳米薄膜应用于柔性

限制而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%，多晶将超过17%。 2.1表面织构减少入射光学损失是提高电池效率最直接方法
)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用

而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%，多晶将超过17%。 2.1表面织构减少入射光学损失是提高电池效率最直接方法
28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。铜铟硒

器件，目前常规产业化晶体硅电池前表面主要是由产生光电流的氮化硅受光区域与收集电流的金属栅线电极组成，栅线是电池的重要组成部分，它负责把电池体内的光生电流输运到电池外部，而由于电池串联电阻引起的电学损失
和电极遮光面积引起的光学损失是制约太阳能电池效率提升的主要因素，因此本文针对栅线电极数量对光电转换效率（Eta）、开路电压（Uoc）、短路电流（Isc）、填充因子（FF）、串联电阻（Rs）等各项电池

（薄膜晶体管液晶显示器件）领域领先的北京京东方显示技术有限公司，于亦庄兴建大陆首条第8.5代TFTLCD生产线，而太阳能薄膜生产线，无论在设备工艺还是原材料上，均与此相似，陈石分析道。网易财经在独家获悉的
知名镀膜设备供应商原德国莱宝光学有限公司CEO Helmut Frankenberger。而在汉能并购欧瑞康太阳能失败后，Helmut Frankenberger曾联系李河君表示，愿加入汉能并负责

聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与光热技术和通常的平板（晶硅）系统具有竞争力，特别是在一些高辐射度的地区。高倍聚光特别适合于在阳光充足的地区（直射
效率已经达到了36.7%，而大多数的商业模组已经超过了30%。最近几年，得益于芯片和光学效率的提升，高倍聚光的AC系统效率也都达到了25%-29%之间。同时由于带跟踪系统的缘故，高倍聚光系统在电力需求

议论，但项目安装仍然在继续，在成本下降和技术进步方面看起来也还是乐观的。高倍聚光的基本原理是利用相对廉价的聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与
%。最近几年，得益于芯片和光学效率的提升，高倍聚光的AC系统效率也都达到了25%-29%之间。同时由于带跟踪系统的缘故，高倍聚光系统在电力需求高峰的下午时段能够保持可观的电力输出。根据项目不同

全球有机硅、硅基技术和创新领导者道康宁公司今日宣布：韩国知识产权局已于近日向其应用于先进LED照明的高折射（HRI）苯基光学有机硅封装胶授予专利，保护其在道康宁？光学封装胶产品配方中使用的可固化有机
多分子硅醚技术。该技术能为LED器件创造一系列高价值市场优势，其中包括更高的光输出、更出色的机械保护以及持久的气密性，这些优点都将进一步增强产品的使用可靠性。而此项专利规定只有道康宁产品有权拥有该

表面复合速率和740mV的潜在开路电压(iVoc)值。另外，通过RPD设备沉积透明导电氧化层，可以同时得到优越的光学特性和电学特性，提升了器件的电流密度（Jsc）和填充因子（FF），这主要归功于其具有
（PECVD）沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面，这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ硅片表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层，我们得到了非常低的

成本的潜力。该研究预示着绿色能源，和光学领域的创新。将钙钛矿晶体设计成太阳能平板玻璃：光照射到晶体表面后被吸收，激活材料中的电子。那些电子很轻易地穿过晶体到达一端的电学器件，形成电流。现在逆向
，它们具有可降低太阳能发电成本的潜力。该研究预示着绿色能源，和光学领域的创新。将钙钛矿晶体设计成太阳能平板玻璃：光照射到晶体表面后被吸收，激活材料中的电子。那些电子很轻易地穿过晶体到达一端的