在柔性电子技术实现过程中，需将传统刚性衬底上的功能材料转移至柔性基底。然而，在材料转移过程中，相关材料往往会出现阵列的排列次序混乱、偏移等问题，给后续柔性电子器件的制造带来挑战。上海微系统所SOI材料课题组针对材料转移过程中的问题，以Si/Ge纳米薄膜为例，提出了一种简易、可控的技术手段，即“边缘-剪切转移”技术。该技术以图形化SOI/GOI作为源材料，采用HF酸溶液对埋氧层进行腐蚀制备出悬空的Si/Ge纳米带，并通过调节腐蚀时间控制悬空纳米带的宽度；在此基础上，利用埋氧层腐蚀边界对悬空Si/Ge纳米带的固定作用来保持原有图形化时的排列次序，从而成功制备出与它排列次序完全一致的柔性Si/Ge纳米带，实现了Si/Ge纳米带在柔性基底上的确定性组装。
该工作中采用的柔性Si/Ge纳米薄膜具有出众的电学、光学、热电、光电等物理学性质和优异的机械柔性，是当今无机柔性电子技术领域中重要功能材料之一；该工作中所提出的“边缘-剪切转移”技术可以简便、可控地将柔性无机单晶纳米薄膜应用于柔性电子技术，同时有望与卷对卷（roll-to-roll）工艺结合拓展于规模生产。
该工作得到国家自然科学基金委创新研究群体、优秀青年基金、中国科学院高迁移率材料创新研究团队等相关研究计划支持。
Small封面（左）及研究论文的部分实验结果（右） 
>
>
