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两种材料的老化开展。图4为某电站运营后材料老化的外观图。 2.1、EVA老化对光伏组件功率衰减影响把组件分为A、B、C、F806、4组，分别采用4个不同厂家的EVA材料，电池片、玻璃、背板、焊带、边框
组件功率衰减的一个重要原因。2.2、背板老化对光伏组件功率衰减影响把组件分为A、B两组，分别采用两个不同厂家的背板材料（A组背板为双面含氟背板，B组为不含氟的背板），电池片、玻璃、背板、焊带、边框等材料

，组件内部电池出现隐裂的几率会增加很多。另外，双玻组件是近两年被看好并被各工厂逐渐批量生产的光伏组件，尤其是它超强的抗隐裂、超长寿命和低衰减等性能，都正在受到愈来愈多客户的青睐。双玻组件另一个特点是不能
和谴责，但我们不能把孩子和脏水一起泼掉。只要按正规程序采购正规组件工厂生产的产品，无论是双玻组件还是A级组件、B级组件，哪怕是C级组件，只要是按照规范要求来进行设计、采购、运输、安装、保养的光伏电站，就一定会给投资者带来相应的收益。（作者为前无锡尚德太阳能电力有限责任公司副总工程师）

观也表示背板发展比较好的企业就那几家，相比较而言，乐凯背板的性价比还是比较高的，包括乐凯的服务，都是十分认真的。创新和服务成就市场地位背板对光伏产品质量、寿命、可靠性、耐久性的影响
近几年来，随着光伏行业的深度整合及全球光伏应用市场多元化格局的形成，特别是中国、美国、日本的快速发展以及印度市场的逐步崛起，全球光伏市场进入了一个平稳、快速发展的阶段，2015年全球

和机构投资者购买创新的太阳能投资产品及其他产品;同时，集团还运营了绿色能源B2B电子商务平台绿能桃，在光伏产业上下游供应商和购买者之间建立连接，提供网上交易平台。SPI绿能宝集团的全球运营总部位于上海，并在日本、欧洲、北美、澳大利亚等地开设办公室。

1810万千瓦，其中光伏领跑技术基地规模550万千瓦。业内专家表示，如此高占比的领跑者项目意味着对电站质量和高效技术愈发重视。以杜邦 Solamet PV19B正面银导电浆料为例，在前一代产品的基础上，该
度电成本(LCOE)的最优系统价值，前提是保障组件按预期情况运营，如此电站才可提供稳定功率输出和较长的使用寿命，从而实现甚至超出预期的财务回报。选择经得住长期户外实际验证的高质量光伏材料，有助于确保组件

成本降低是光伏行业永恒的主题。n型单晶硅较常规的p型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，n型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，n型单晶硅组件具有发电量高和
主办单位: 苏州中来光伏新材股份有限公司 PVP365 中山大学太阳能系统研究所承办单位: 泰州中来光电科技有限公司协办单位: 西安特变电工电力设计有限责任公司一. 大赛宗旨

成各种形式的结构和构件，而且还需要这些结构和构件不因加工造成强度、塑性、韧性以及耐疲劳性能过大的不利影响。4）使用寿命。由于太阳能光伏系统的设计使用寿命都在20年以上，故而良好的防腐蚀性能也是衡量
随着我国绿色经济的快速发展，单晶硅/多晶硅ink"光伏发电和薄膜BIPV技术日趋成熟。钢结构与其它结构相比，在使用功能、设计、施工以及综合造价方面都具有巨大优势。因此，积极开发、生产新型钢结构ink

索比光伏网讯:在过去的一年，上海中兴派能家庭储能电池系统在欧洲市场广受赞誉。今天，派能携新一代幻影储能产品以及全新的LOGO在全球影响力最高的德国慕尼黑太阳能展（intersolar）盛装亮相。新的
产品，新的技术，新的LOGO尽在B1-430展台。中兴派能B1-430展台派能家庭储能产品已在超过5000户欧洲家庭正式商用，这次展会上派能最新一代幻影家庭储能产品终于揭开神秘面纱，模块化设计可积木式

全面分析，希望能给大家提供一些帮助。一、市场占有率情况市场是检验一切的标准。投资商花的都是真金白银，他们的选择，是他们觉得性价比最好的，而市场占有率数据代表了投资商的选择。　　图1：各类光伏
组件2006~2015年的出货量情况　　图2：各类光伏组件2006~2015年的市场占有率情况从图1、图2可以看出：(1)多晶硅市场占有率一直最高;多晶硅的市场占有率除2009年略有下降以外，基本保持持续上升

。目前比较公认的说法是，光照后产生的硼氧复合体降低了少子的寿命。掺硼晶硅中的替位硼和间隙氧在光照下激发形成的较深能级缺陷引起载流子复合和电池性能衰退，造成光伏组件在初始应用的几天输出功率发生较大的急剧性
。图5：不同品牌的光伏组件衰减率情况从上图中可以看出：单晶硅(绿色)和多晶硅(黄色)的效率是交错排布的。衰减率最低的是D厂家的单晶硅组件，最高的B厂家的单晶硅组件。这张图也说明，组件厂

1、前言当前高效多晶硅组件是主流的光伏产品。高效多晶硅的制备方法分为有籽晶高效多晶硅技术与无籽晶高效多晶硅技术，即俗称的半熔高效与全熔高效。有籽晶高效多晶硅技术(半熔
碎硅料作为籽晶，采用两种技术分别各铸造一个重量相同的多晶硅锭。选择两个硅锭相同位置硅块作为检测样块，采用 -PCD (Semilab, model WT2000)测量对比少子寿命差异，采用在线PL