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叠层和热蒸发的Ag实现，最终效率达到25.1%(Voc=718mV，短路电流(Jsc)=42.1mA/cm2，填充因子(FF)=83.2%)。随后，他们使用最佳厚度、低电阻率的硅片，并改变前表面减反层
。其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1.12eV，自然界中的原材料丰富，特别是N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料

裂能力强。叠片组件特殊的串并结构减少了焊带电阻对组件功率的影响，抑制了因反向电流而产生的热斑效应。同时，并联电路设计使得在遮光时叠瓦组件的功率下降与阴影遮蔽面积呈线性关系，故叠瓦组件在遮光条件下比常规
双面组件需求快速增长，量产难度低，产线改造简单，成本几乎没有增加。半片：将标准电池片对切后串联起来，焊带功率损失减少，热斑几率降低，可提升输出功率5-10W。制造环节需要增加电池切片设备，且切半片

。铸锭单晶的电阻率范围可以在更窄范围，有利于PERC电池效率优化。铸锭单晶硅片电池相比有圆倒角电池更有利于做叠瓦组件。铸锭单晶产品碳足迹更低，是更绿色产品。以下为现场速记整理内容(25张图片
，效率达到21.95%;第三个客户不一样的地方，是用黑硅制绒技术来做鑫单晶，效率达到了21.7%。鑫单晶还有个特点，氧含量是非常低的，仅为直拉单晶的一半，光衰低。LeTID数据，大家可以

如白炽灯泡、电阻炉等电阻负荷的功率因数为1，一般具有电感性负载的电路功率因数都小于1。当设备的功率因素小于0.9时，将会被罚款。要求光伏并网逆变器的功率因素输出为1，并可在0.8超前-0.8滞后
为0.9为例，每超过0.01，将减收电费0.15%;每低过0.01，将加收电费0.5%。看到这里大家也不用担心自己家的电费被多扣，因为这条法令基本是针对用电超过100KW的农业用户和工业用户的，对

技术路线所淹没，呈现昙花一现的光景。究其原因，主要在于当时做出的产品单晶比例低，顶部缺陷高，外观比较花，市场无法接受。自2011年以来，协鑫一直对铸锭单晶进行研发改进，借助铸锭设备和相关工艺的
市场竞争力，协鑫还将对各方面工艺进行优化，比如硅片端，电阻率优化、铸锭热场优化、硅片分选方式优化等。目前，除了协鑫之外，阿特斯、赛维等中国光伏公司都在推广各自的铸锭单晶产品。其中，阿特斯将黑硅技术及

的项目收益率17.11%，收益率提升主要来源于高转换效率、低衰减带来的全周期发电量提升。从全球市场来看，据PVInfolink统计及预测数据，2017-2023年全球光伏组件出货量中，PERC
大，光生电流就越多，电池片的光电转换效率也就越高;同时，为消除栅线变细后带来导通性降低的问题，则需要相应增高电极栅线的高度，从而降低栅线电阻率。传统丝网印刷工艺在印刷栅线高度方面存在局限性，主要受到浆料

复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变
流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。一些需要高开关频率的场景也适合使用IGBT，IGBT的特点是能提供高的动态性能、转换效率，同时具有低的可听到的噪音。它也适用于谐振模式

℃, 输出功率约下降0.5%。且电池组件在长久阳光照射下, 被灰尘遮盖的部分升温速度远大于未被遮盖部分, 被遮盖部分电池板会由发电单元变为耗电单元, 被遮蔽的光伏电池会变成不发电的负载电阻, 消耗相连电池产生的
特点： portant; line-height: 28px !important;"清洁成本低、效率高 portant; line-height: 28px !important;"设备盘刷转速

/SiNx叠层膜相比具有更加好的减反射性能和钝化性能。 (5)低损伤金属化接触技术;采用优化的金属浆料体系和双层金属电极结构，下层采用点接触式烧穿型浆料，保证接触电阻的同时有效降低金属-半导体复合
。 (2)低压硼扩选择性掺杂技术;轻掺杂区域表面浓度低至1E19cm-3，表面复合小，钝化后饱和电流密度J020fA/cm2，然后采用激光对金属-半导体接触区域进行重掺杂。 (3)化学回蚀清洗技术

，所以我们前面提到的提效的技术，无论是在干法和湿法上都能完全一个通用的结果，在湿法上主要是对比了一下电阻率的优化，同时王栩生博士也谈到后续多晶结合SE的技术，通过这样一个技术在多晶上也得到效率增益的体现
。可以看到湿法多晶的效率是完全没有叠加产线提效技术，所以根据量产设备实际情况，湿法黑硅做到20.6%和20.4%。如果叠加像干法提效技术的话，一般湿法的效率比干法低0.2%左右，所以我们湿法黑法

均匀、金属杂质累积速度更慢，产出的晶棒品质更佳，电阻率更加均匀、分布更窄，因此CCz单晶硅片更加适用于PERC 电池及N型电池工艺。此外，由于CCz需要高品质微小多晶硅料，因此CCz的推广将对光伏级
多晶硅生产格局产生深远影响。多晶铸锭工艺正在从G6铸锭炉向G7甚至G8技术升级，在大幅增加生产能力的同时，需要持续优化热区、辅助材料、铸造工艺和设备。铸锭单晶兼具少子寿命高、位错密度低和低成本等优势，也是硅晶体制造的重要发展方向。

，公司高效P型单晶电池转换效率达到23.95%，再破世界纪录。这一效率纪录获得中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心的测试认可。据了解，该高效电池技术应用晶科自主研发的高掺杂低缺陷P型
程度地保证了短路电流的稳步增长。金属化方面，该高效电池在使用先进电极设计的同时，优选新型丝网印刷浆料，降低串联电阻和金属/硅界面复合几率，显著提升电池填充因子。在此之前，P型单晶电池转换效率纪录为

农光互补。双面组件的正面发电量比单面组件低3%左右，因为阳光会直接从双面组件的电池片之间穿过，而无法像单面组件那样被白色背板反射回来。衡量光伏组件价值的度量单位是峰瓦(Wp)。这很容易理解，因为
背场金属化已经成功地应用于太阳能电池片生产，以避免电池背面的串联电阻损失。这种铝背场提高了太阳能电池片的转换效率，而金属化背面则具有一定程度的光反射功能。目前，我们正在经历全面的技术升级：将至

消除或减少电网中的谐波，人们提出了无源滤波和有源滤波的解决方案。无源滤波(FC)主要是利用阻容元器件的LC谐振特性，对系统中的某一特定频率形成一个低阻通道，这个低阻通道与系统阻抗形成并联分流关系，让
要求。罗氏线圈可应用于继电保护，可控硅整流，变频调速，电阻焊等信号严重畸变以及电炉、短路测试、雷电信号采集等大电流的场合。 4工程应用莱姆电子生产的罗氏线圈产品ART是一个开口型的柔性线圈

近日，隆基股份总裁李振国接受了PV-Tech的专访，在采访中具体介绍了隆基股份在硅片、PERC电池组件业务的经营情况及战略布局，并着重谈了一下低衰减技术LIR(光致再生)技术及无偿解决方案，以下
这种存在能不能被消除?它的衰减机理是什么? 后来我们发现如果用常规方法很难消除衰减现象，但是可以想办法将它减弱，比如生产的硅片，把硅片的氧含量和杂质含量控制的更低一点，低氧硅片可以使少子/电阻率值大幅

年不超过2.5%、单晶组件首年功率衰减不超过3.0%，之后每年衰减率不高于0.7%。低衰减意味着更好的LCOE(平准化度电成本)优势，对电站投资商及业主来说，与其电站收益息息相关，终端客户的关注
使少子/电阻率值大幅提升。另外，我们研究了它的衰减机理，发现这个衰减也是相对的，初始两三月衰减，但在几个月之后它是可以逐渐恢复的。如果我们能让这个过程提前发生于电池或组件制造的环节，加速它的衰减

，降本提效成为行业关注重点。在此背景下，PERC技术因具有高光电转化效率、低衰减、高发电量等多重优势而备受青睐。据国际光伏技术线路(ITRPV2018)数据显示，PERC电池将占据市场主导地位。在量产平均
。 2)低衰减，可保证项目发电量。 3)机械性能并不差，隐裂不会明显增加。 4)高发电量，可提高项目的收益。 PERC技术分类目前几类PERC技术单晶P型和N型。制造工艺有所区别，都是

：能量密度不够高、自放电率高，如停止充电，能量在几个到几十个小时内就会自行耗尽。超导储能是利用超导体的电阻为零特性制成的储存电能的装置。超导储能系统包括超导线圈、低温系统、功率调节系统和监控系统4大部分
过程，充电时间短、使用寿命长、温度特性好、节约能源和绿色环保。不足之处是：与电池相比，其能量密度相对较低，直接导致的就是续航能力差。超级电容能量密度低，但响应速度快;锂电池响应速度慢，但能量密度高