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，另外厂家提供的数据为组件功率为正偏差最大+5%，所以选择逆变器每串输入电流最大值为10A以上是合适的，否则有光伏功率输入被限制，进而导致光伏电站发电量偏低的风险。B、对于非常规单晶/多晶组件的配置，则
更需要着重查看组串的电压、电流规格和逆变器的最大输入电流规格进行配置。某品牌非常规组件规格2)独立的MPPT并联的组串数量和规格是否一致。组串接入问题以盛能杰科技SE 30KTL三相并网逆变器为例来

21%升至61%，平均效率提升大于2Wp。　　图二是B客户将多晶硅片由S2升级为S4之后，270Wp多晶组件的比例由23%提升至78%。　　由上述数据可以得出，使用大尺寸多晶硅片将可以较大幅度的提升
可能性高。Dash的空洞介于line和dot 之间，对Al的要求相对低一些，更容易实现。P型电池在PERC技术上进一步提升效率的路线还包括采用选择性发射极和局部B掺杂。目前Solarworld 公司

索比光伏网讯:随着全球能源危机日益严峻，作为清洁能源的太阳能电池成为解决世界能源危机的主要手段之一。非晶硅、CdTe、Cu(In/Ga)Se2等薄膜太阳能电池具有材料消耗少、效率高等优点，正逐渐取代
收集效率，从而最终实现了转换效率的提高。该研究成果已发表在国际材料著名期刊NanoLetters（2016,DOI:10.1021/acs.nanolett.5b04510，影响因子13.6）。该工作

（SCADA）在内的多种台达IA产品完成集中监控。以PLC DVP12SE系列作为CPU，配合扩展模拟量、数字量模块，由一路RS485连接10寸人机DOP-B系列，组成现场操作员控制站，实现本地控制
打造了强大的软硬件研发团队，产品线完整，具有丰富的实际应用经验，从关键零部件到系统整合，带给客户完整解决方案。图1 控制柜-HMI：使用台达人机界面DOP-B10S411系列图

， 3）TeCd碲化镉薄膜， 4）一个新发展是CZS3（Sn,Se,S）即由铜锌二价元素和六价元素硒和硫还有四价元素锡组成的薄膜，优点是材料成本低廉，而且比较丰富。 5）新出现的一个品种是
铜铟镓硒组成的薄膜，（注：汉能技术路线） 3）TeCd碲化镉薄膜， 4）一个新发展是CZS3（Sn,Se,S）即由铜锌二价元素和六价元素硒和硫还有四价元素锡组成的薄膜，优点是材料成本低廉，而且

）一个新发展是CZS3（Sn,Se,S）即由铜锌二价元素和六价元素硒和硫还有四价元素锡组成的薄膜，优点是材料成本低廉，而且比较丰富。5）新出现的一个品种是，GaAs砷化镓薄膜电池，据报导，其转化率已高达
铜铟镓硒组成的薄膜，（注：汉能技术路线）3）TeCd碲化镉薄膜，4）一个新发展是CZS3（Sn,Se,S）即由铜锌二价元素和六价元素硒和硫还有四价元素锡组成的薄膜，优点是材料成本低廉，而且比较丰富。5

。第一块太阳能板-19541877年W.G.Adams和R.E.Day研究了硒(Se)的光伏效应，并制作第一片硒太阳能电池。1883年美国发明家charlesFritts描述了第一块硒太阳能电池的原理
科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔(Nobel)物理奖。1930年B.Lang研究氧化亚铜/铜太阳能电池，发表新型光伏电池

光伏技术组件所得到的实际输出发电量和标准测试条件下发电量的比值(PTC/STC)平均值；(b) 不同地理区域采用不同光伏技术组件模拟得到的输出功率　　(c) 在慕尼黑采用不同的光伏技术组件搭建5MW
潜在开路电压（iVoc）值和iVoc均匀性；(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置的器件iVoc值和iVoc均匀性； (c) 连续运行6个批次所得器件的iVoc平均值和均匀性

膜层结构； (右) HJT生产制备流程 (a) 采用不同的光伏技术组件所得到的实际输出发电量和标准测试条件下发电量的比值(PTC/STC)平均值；(b) 不同地理区域采用不同光伏技术组件
光伏系统所计算出的相对于P型多晶组件的LCOE比例 (a) 6英寸硅片上5个点位置的潜在开路电压（iVoc）值和iVoc均匀性；(b) 1,150mm1,450mm PECVD 托盘上5个点位置

超声波使原料溶液雾化后，在基板上分解反应，形成薄膜（b）。（图片出外：东芝三菱电机产业系统）具体操作过程如下。先由（1）超声波喷雾器利用1.6M～2.4MHz超声波将成膜原料溶液制成直径数m的雾状
凭借无等离子体损伤这一点来提高基材薄膜的特性。其中，无等离子体损伤的良好效果得到了太阳能电池厂商的证实。有厂商报告称，用于CIGS（Cu-In-Ga-Se）型太阳能电池的透明导电膜时，转换效率