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/SiNx后进行局部的激光剥离出硅基片和背面铝层的接触窗口，背面的光生电流通过该窗口被背面铝层收集。目前PERC电池技术已经成为热门的高效量产技术，其转换效率提升在0.5~0.8个百分点之间
1.晶体硅电池效率损失机制太阳能电池转换效率受到光吸收利用、载流子输运、载流子收集的限制。对于晶体硅电池而言，其转换效率的理论最高值是28%。影响晶体硅电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图1

流化床法等产业化进程加快；单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗
转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步

多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件
生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6~0.9元/千瓦时。 2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池转换效率将超过18.5

。单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展。光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先
平均转换效率15.91%、单晶组件为16.53%、企业平均产能利用率为86%。硅片发展方面，统计37家硅片平均产能利用率达到94%，26家企业平均产能利用率7.6%。电池发展方面，单晶及多晶电池

多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展。光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件
转换效率15.91%、单晶组件为16.53%、企业平均产能利用率为86%。硅片发展方面，统计37家硅片平均产能利用率达到94%，26家企业平均产能利用率7.6%。电池发展方面，单晶及多晶电池产业化效率分别

PERC电池的各项参数对比，发现电池对长波部分的吸收随着其厚度的减小而降低，进而导致短路电流和转换效率的降低。在电池厚度小于110m时，出现严重的翘曲及失效现象。本文还分析了PERC电池薄片化在未来生产的烧结与抛光工艺过程中可能遇到的技术问题，旨在为PERC电池工业化生产提供解决关键技术的思路。