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作为硼源，虽然三氯化硼的副产物对石英器件基本无损伤，但受制于B-CL键能较大，扩散均匀性又略差于三溴化硼。4. 选择发射极-SE原理分析选择发射极指在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，减少
激光);一次硼扩+激光掺杂;二次硼扩+激光掺杂;激光开膜+二次硼扩;激光开槽+硼浆印刷;湿法刻蚀+二次硼扩(无激光)其中，离子注入定域掺杂法，需要昂贵的离子注入机，且硼离子注入技术困难，同时硼离子注入

底形成局部接触。(6) 丝印烧结光伏电池表面膜层不具备收集电子及空穴的能力，因此需要在电池的正背面印刷银浆或铝浆，并通过高温烧结形成良好的金属半导体接触，将光生载流子导出至外电路中形成电流
/60GW，制造端一体化趋势显著，随着一体化程度逐步完善，公司盈利能力将随之稳定提高。6.2 公司B掌握核心技术，引领行业发展。公司始终将加强科技研发和创新的投入力度作为业绩增长的核心要素，公司异质结电池

底形成局部接触。 (6) 丝印烧结光伏电池表面膜层不具备收集电子及空穴的能力，因此需要在电池的正背面印刷银浆或铝浆，并通过高温烧结形成良好的金属半导体接触，将光生载流子导出至外电路
一体化程度逐步完善，公司盈利能力将随之稳定提高。 4.2 公司B 掌握核心技术，引领行业发展。公司始终将加强科技研发和创新的投入力度作为业绩增长的核心要素，公司异质结电池的光电转换效率多次打破

的预期。所以它需要散热，铝边框的设计，可以提高散热性。晶硅电池片就是太阳能电池板，这个部分就是决定价格的主要因素，电池片是分等级的，分A、B、C三个等级。 A级电池片：表面上是没有任何瑕疵的
，可能会有一点点划痕。 B级电池片：可能会有一些漏浆、断栅、虚印、划痕一些缺点。 C级电池片：那它的缺陷就多了，这是一些回收的电池片，崩边不可避免，珊线有脱落，还有很严重的污垢，有大面积的虚印

运输性能，从而使电池片性能得到提升。从线型可知，间断线开槽工艺生产的电池片效率要比连续线开槽工艺高0.10%。而在其他实验中发现，在烧结炉温和铝浆相同时，连续线开槽工艺所生产的电池片在经过印刷烧结
技术在硅片背面开槽，打通铝背场与硅片基本的连接通道，使铝背场在印刷烧结后能与硅片产生有效欧姆接触; 4. 硅片开槽后采用相同工艺经过印刷烧结，在相同机台对电池片性能进行测试对比分析，以保证实验数据

& Rau SiNA XXL 平板式镀膜设备制备厚度为84～88 nm 的正面氮化硅膜和厚度为130～140 nm 的背面氮化硅膜，折射率范围为2.08～2.10，背面氮化硅膜较厚是因为需要避免铝浆中的
m。使用Gemini Sigma 300SEM 场发射扫描电镜观察抛光效果，如图1 所示。从图1 中可以看出，5000 倍放大观察，硅片部分区域存在凹凸;而图1b 是20000 倍观察

随着行业高效技术以叠加的方式不断往纵深方向发展，电池、组件厂与配套的供应链企业(如设备、材料等)之间的合作愈加紧密，而导电浆料(正面、背面银浆，背面铝浆)作为提升晶硅太阳能电池转换效率与组件产品
的产品组合：为挖掘多晶电池性价比，我们专门设计了DK93A导电银浆，在配合客户优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效

随着行业高效技术以叠加的方式不断往纵深方向发展，电池、组件厂与配套的供应链企业(如设备、材料等)之间的合作愈加紧密，而导电浆料(正面、背面银浆，背面铝浆)作为提升晶硅太阳能电池转换效率与组件产品
优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效导电银浆，着力控制金属化区域的复合水平。我们通过创新金属化技术持续推动的双面

摘要：以3种含硼化合物作为添加剂，对背钝化(PERC)太阳能电池铝浆进行了系统地性能研究。其中，Na2B4O710H2O的添加质量分数为1.0%时，填充因子最大可达到78.5%，太阳能电池光电转换
太阳能电池的电性能;另外，EDS结果表明靠近LBSF层及界面铝浆中的硅含量都有增加。因此可以推断，局部背表面层厚度的增加与硼添加剂可以增加铝硅在烧结时的互扩散有关。

丝网某线分别使用这两种背场浆料时的划伤比例，具体数据如图7所示。划伤差异较小，所以铝浆为非要因。 2.2.6原因六：检验操作方法差异安排同一检验员检验同一批电池片，分别采用滑动检验和
、团状有起始点，明显是有异物摩擦所致,如铝珠、铝刺等，且是三个车间共性; (2)氮化硅磨伤,无明显起始点，位置较一致，且C车间与AB车间相比，比例有明显差异; (3)线状无明显起始点，线条较细且多条

相匹配才能达到比较好的效果，同时也要注意背面铝浆的厚度，栅线的宽度和高度等。 3 结束语本文从发生光衰减的原理出发，讨论了如何抑制或减弱单晶电池的光衰减，结合我公司的现状与行业内的技术革新，给出
恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅

出韩华新能源在PERC技术方面的行业领先水平。双面电池取代单面电池可以说是市场发展的一个长远趋势，双面PERC同样逐渐成为行业热点。双面PERC具有提高发电量、降低铝浆耗量、生产线兼容、成本较低
，单晶PERC的光衰主要与电池中B-O对有关，此类衰减可通过降低硅片中氧含量、掺Ga、光照+退火等工艺消除。图二单晶PERC电池的LID衰减和恢复机理图三国产PERC电池的光照恢复

TMA耗量的不同，如图5所示。同时，为了避免后续金属化烧结过程铝浆对钝化膜的破坏，再要额外沉积一层100-150nm厚度的氮化硅，一方面可以保护氧化铝钝化膜，另外还可以提升背面减反效果。图
氮化硅叠层膜热熔掉，然后在金属化烧结过程中让铝浆和此区域的硅形成铝硅合金的接触。根据激光种类的划分，分为纳米激光和皮秒激光两种，供应商主要有Innolas、Rofin、3D-Micromac、台湾友晁

索比光伏网讯:1、nPERT双面电池技术背景近年来，N型硅太阳电池由于其优越的性能，包括高的体寿命、对金属杂质高的容忍度以及没有P型材料中由于硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应
发生的概率。玻璃的耐候性、耐腐蚀性强，耐磨性也非常好，也解决了组件在野外的耐风沙问题。双玻组件不需要铝框，除非在玻璃表面有大量露珠的情况外，没有铝框使导致PID发生的电场无法建立，其大大降低了发生