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黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
背抛光效果化学清洗对PERC 结构的太阳电池的开路电压有影响。Huang 等发现，使用HF SC1 SC2 HF 溶液清洗硅片后制备的太阳电池，较使用常规HCl HF 溶液清洗的开路

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
，以及防止在沉积掺杂层期间由掺杂剂原子产生缺陷。掺杂的层完全被氧化铟锡(ITO)膜覆盖，然后使用低温导电(LTC)Ag浆料丝网印刷接触金属栅格以进行电流收集。为了增强ITO层和接触栅格的性能，需要进行

/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。这样的结构有以下三个优点： (1)降低串联电阻，提高填充因子电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻、硅片体电阻、背电极
接触电阻和背场体电阻组成。其中，在丝网印刷工艺下，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒(barrier height)和表面

多晶技术、不同背钝化工艺的PERC LDSE技术、n-TOPCon钝化接触技术等的大规模量产。未来，高效电池与组件技术不断涌现、百花齐放，多样化发展的趋势会更加明显。但从行业长期健康、有序发展的角度
的产品组合：为挖掘多晶电池性价比，我们专门设计了DK93A导电银浆，在配合客户优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效

多晶技术、不同背钝化工艺的PERC LDSE技术、n-TOPCon钝化接触技术等的大规模量产。未来，高效电池与组件技术不断涌现、百花齐放，多样化发展的趋势会更加明显。但从行业长期健康、有序发展的角度
优化提升多晶电池效率的同时显著降低单片银浆用量;针对不同钝化工艺的单晶PERC LDSE电池，我们开发了DK93B高效导电银浆，着力控制金属化区域的复合水平。我们通过创新金属化技术持续推动的双面

有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善PN结形成
太阳电池主要包括以下六种。 2.1钝化发射极背场点接触(PERC)电池家族新南威尔士大学(UNSW)MartinGreen领导的小组提出PERC结构的单晶硅太阳电池，在P型FZ硅片上实现了

) 问题电池的来源 1. 硅材料自身的缺陷 2. 电池制造的原因 1) 去边不彻底、边缘短路 2) 去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路 3) 烧结不良，正电极或背电极与硅片
接触不良，串联电阻增大 4) 烧结过度，即将使PN结烧透，短路以上几种有可能在分选测试时尚未暴露，而做成组件后在长期的使用过程中，逐渐变化而导致愈演愈烈 3. 同一档次的电池片性能不一致 1

。降低光学损失的有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量
转换效率超过25%的单晶硅太阳电池主要包括以下六种。 2.1 钝化发射极背场点接触(PERC)电池家族新南威尔士大学(UNSW)Martin Green领导的小组提出PERC结构的单晶硅太阳电池，在P型

, 向PERC转型的进展是如此迅速，以至于许多PERC生产商都未能把重心放在产品质量上。 PERC是一项成熟的技术, 工艺相对简单, 因而持有成本也较低。2018年三月，隆基公司推出的无栅线金属接触
(nPERT) 、MoSoN (nPERT背结式)和ZEBRA (IBC)电池加速LeTID衰减试验，目前为止没有经历过如此严重的衰减问题。 PERC太阳能电池和组件中可能存在的衰减机制 PERC

电流集聚现象、显著降低电极接触区域复合速度、获得更高Voc等优势。英威腾研发技术包括矢量变频器，在变频器的软件算法领域和硬件设计，自主化轨道交通车辆牵引系统，PLC、伺服系统、牵引系统等产品的
电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM组件技术的研究、60P多晶组件285W高效新产品组件研发及产业化、350W以上高功率多晶组件的研究、高效

)电池，是光伏行业广泛认可的一个高效技术方向，具有易兼容现有n-PERT产线、改善PERC电池背面电流集聚现象、显著降低电极接触区域复合速度、获得更高Voc等优势。英威腾研发技术包括矢量变频器，在
：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM

没有形成良好的欧姆接触产生较大的Rs值。 Fig.3-5扩散异常 3.3.2镀膜异常铝背场(BSF)能够降低电池片背面的少子复合，提高少子扩散长度;反射长波段光子，提高长波段的光谱响应
，最终提升电池片的光电转换效率。由附表3可知此电池片有很低的Voc和Isc，从Fig.3-6a、b可知铝背场出现异常，腐蚀掉铝层后发现(Fig.3-6c)电池片的背面的90%以上的区域含有氮化硅薄膜，由于

。 4 组件烧坏 1.汇流条与焊带接触面积较小或虚焊出现电阻加大发热造成组件烧毁。组件影响 1.短时间内对组件无影响，组件在外界发电系统上长时间工作会被烧坏最终导致报废。预防措施 1.
时间2-3s。 5 组件接线盒起火 1.引线在卡槽内没有被卡紧出现打火起火。 2.引线和接线盒焊点焊接面积过小出现电阻过大造成着火。 3.引线过长接触接线盒塑胶件长时间受热会造成起火

%，划伤比例无明显变化。因此，该因素为非要因。 2.2.3原因三：烧结炉带造成电池片背场不平根据C车间有两种型号炉带,顶点式与边缘式，AB车间仅有一种顶点式，顶点炉带与电池片背面有接触，而
(16-80次)、后期(81-100次)石墨舟的划伤比例，具体如图6所示。各周期石墨舟划伤比例差异不大，非要因。 2.2.5原因五：背电场浆料过于粗糙工艺分析A浆料较B浆料粗糙，跟踪