，限制性能与稳定性。现有异质结基 PSCs 多仅使用少量有机半导体添加剂，难以同时优化缺陷钝化和电荷提取。2. 研究方法与核心设计新型有机半导体 CY 的开发结构：U 型不对称 Lewis 碱有机半导体，含
%)与超稳定性，为有机半导体 -
钙钛矿电池提供了新理论基础和应用范式。器件制备一、n-i-p 结构器件(FTO/TiO₂/ 钙钛矿 / Spiro-OmetaD/Au)基底清洗与预处理基底：氟
7.998 nm(AFM)。器件制备一、基底清洗与预处理ITO 玻璃清洗步骤：依次用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各 20 分钟，干燥后进行等离子体处理。参数：等离子体处理时间 10 分钟，优化表面
solar cells with certified efficiency
27.35%”为题发表在顶级期刊Nature Energy上。研究亮点：缺陷钝化失败抑制：研究团队开发了一种新方法来抑制钙钛矿
：这项工作提供了一种通过控制钙钛矿材料的结晶过程来提高太阳能电池效率和稳定性的新方法。推动产业化进程：这种抑制缺陷钝化失败的技术为钙钛矿太阳能电池的商业化和大规模生产提供了新的可能性，有助于推动绿色能源
溶液加工中SAM层均匀性。虽然共组装或溶剂工程可改善均匀性(15,
16)，但这些方法会显著增加SAM层制备的复杂度。双自由基结构引入或者自由基掺杂引入稳定开壳层双自由基结构的新型策略展现出独特
能精确评估SAMs实际稳定性与分子密度的表征方法。研究内容作者基于给体-受体(D-A)共平面共轭策略，成功设计合成了两种开壳层双自由基SAMs。通过强D-A相互作用与刚性共平面共轭的协同效应，这些分子
薄膜，在电子发射角度为0°、45°和75°时的C-N与FA-N比值(5
mM (b)、10 mM (c)和50 mM
(d))。背景颜色用于区分和强调化学配方和钝化方法的差异。粉色代表
超声浴中清洗各5分钟。使用前，CBD-SnO₂层在空气(相对湿度25%-35%)中170°C退火60分钟，随后进行15分钟的紫外臭氧处理。制备好的SnO₂层称为CBD-SnO₂。)2. 按照上述方法沉积
，如何在不损伤材料本征特性的前提下，进行高精度、大面积图案化，成为研究热点。最近，来自延世大学、成均馆大学、布拉格化学技术大学以及西江大学的科研团队提出了一种全新的二维材料图案化方法——无需光刻剂的正交
示意图(右)。b，完全由光图案化二维材料构成的场效应晶体管(FET)阵列和逻辑门器件的实物照片，制备于一片2英寸硅晶圆上。c，通过直接光图案化工艺制备的二维范德华图案的光学显微镜图像。图案化工艺的
电子出射角为
0°、45° 和 75° 时的 C-N 与甲脒(FA)N 的比率(5 mM(b)、10 mM(c)和 50
mM(d))。背景颜色用于区分和强调化学配方和钝化方法的差异：粉色代表
或 FIPA 清洗的钙钛矿薄膜的XRD图谱。b, 经 PEAI/FIPA 处理后再用 IPA 或 FIPA 清洗的钙钛矿薄膜的 XRD 图谱。c, 对应图 a 中处理条件的器件光电转换效率(基于 7
小时后仍保持初始效率的90.6%，展现出卓越的高温光稳定性。该研究为开发极端工况下高性能、长寿命钙钛矿太阳能电池提供了重要设计思路。图1 去质子化及副产物形成的抑制a) 研究的二维间隔阳离子分子结构b
二维/三维异质结构的形成a) 未处理钙钛矿薄膜、NAMI表面钝化薄膜及(NAM)₂PbI₄单晶/薄膜的XRD衍射图谱对比b) (NAM)₂PbI₄单晶结构示意图c) 左：空穴传输层/FTO基底上对照组
催化性能
：获取多孔材料的结构和催化性能数据，进行数据清洗和特征工程，运用机器学习方法(如线性回归、支持向量机等)训练模型，预测多孔材料的催化活性和选择性等性能指标，分析模型结果与材料结构之间的关系
驱动的机器学习力场(ML-FFs)有效弥合了第一性原理电子结构方法与传统经验力场在精度与效率之间的矛盾。近年来该领域呈现爆发式增长态势，Web
of Science平台检索显示相关研究成果频繁发表于
、C6A和C8A与Li⁺的结合能对比。b)
4TBP、C4A、C6A和C8A与Ag的结合能对比。c) 4TBP、C4A、C6A和C8A与钙钛矿的结合能对比。d)
含/不含C8A的Li-TFSI溶液
策略示意图。多组分化学物种的同步固定化研究。a)
常规(n-i-p)结构器件在85°C、1太阳光强下老化10天后，未掺杂与C8A掺杂样品的飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)深度分布对比。b
