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忽略不计。在p-Cz材料中由于光照会形成B-O络合物，这在氧中是相当富集的，使材料的体载流子寿命降低。这将严重限制用这些硅片能得到的高效率。第二，发现n型材料对过渡金属杂质（例如Fe）灵敏度低得多。这使n
*Voc增益约3%，每一批次是明显重复的，增益与实验中所用的材料质量无关。表1及图4中给出了旨在改进背面钝化实验之一的测量结果。背面钝化的改进大大提高了开路电压(Voc)和电流(Jsc)。即使填充因子

影响其中图3 中：a、环形空隙温度分布;b、无Soret热效应影响的TCS分布;c、Soret热效应影响下的TCS分布。温度升高，无论从化学反应平衡还是从反应动力学方面，都能够使反应向有利的方向进行
等级，例如硅棒表面温度及温度不均匀性，进料气体的流量和组份的摩尔配比，原料混合气的纯度，甚至硅芯的安装垂直度等。图5为各种硅棒表面的形态。a、不同位置处的硅棒表面形态 b、光滑的硅棒表面 c、粗糙的硅棒

并于 2007 　　年 7 月 1 日开始实施的《轻型汽车污染物排放限值及测量方法(中国Ⅲ、Ⅳ阶段)》、　　《车用压燃式、气体燃料点燃式发动机与汽车排气污染物排放限值及测量方法　　(中国
法律法规及中国证监会规定的受托管理人应当履行的其他义务。　　15、就与《债券受托管理协议》相关事宜，债券受托管理人可以依据来自任　　何律师、银行家、估价人、测量人、经纪人、拍卖人、会计师或其它

，再在150℃的炉子中烘干。本研究中的CdTe吸收层厚度控制在5、2.5、1和0.5m。所有器件的光电流-电压特性在标准的AM1.5情况下测量。CdTe厚度为5和0.5m的太阳能电池的表面形貌及截面微结构
(a)所示。对于0.5m厚CdTe太阳能电池来说，见图1(b)和(d)，CdTe晶粒尺寸几乎减少一个数量级，为0.2～0.7m。太阳能电池效率是4.7%。如以后要讨论的，效率的降低是因为晶粒比较小的CdTe

。H2/SiH4流量比为50；B2H6/ SiH4流量比在1-5%之间变化。本研究中，p+掺杂层的薄膜厚度在玻璃衬底上用表面轮廓仪和椭偏光谱仪（SE）测量。对于所用的最高掺杂水平，淀积速率调整到24nm
TCO层和背表面场结构。这种无本征非晶层的初始Si薄膜晶体太阳电池的转换效率在0.63cm2已达到6.8%。我们进一步用TEM测量研究界面质量，确认其界面结构减少了界面的缺陷密度。优化ECR-CVD系统

太阳能电池测试条件是：阳光普照度为1000W/m2,大气质量AM=1.5，环境温度25℃。参照上图，A段区域的大气质量AM=1，那么AM1.5应在B段区域或C段区域。1、开路电压Voc、短路电流Isc
太阳能电池组件在光照下便可发电，使光电池正负极间开路，测得的电压值就叫开路电压Voc;测量方法：用高内阻电压表表笔跨接在光组件正负极间即可。开路电压是在电池与负载回路开路(负载电流为零)的情况下的重要指标

测量仪、含水测定仪。　　德州三和电器有限公司是中国知名的电子元器件、电源装置制造企业。公司是中外合资企业，坐落于山东省德州市经济开发区。为中国银行A级信用企业，深入应用了ERP管理系统、CAD设计系统
电源、稳压器、逆变器、无线数码门铃、直流稳压电源、电视遥控转向天线、汽车功放、电子冷热冰箱、车载冰箱、电视放大器等。茂迪股份有限公司公司成立于1981年，一开始以设计及生产高级测量仪器起家；1997年，茂迪

扩散到硅中去。箱法扩散，又称半开管扩散（如图４．３ｂ），是封管扩散的改进，采用一个石英或硅制成的带盖子的箱子，扩散时把硅片和杂质源一起放入箱内，盖上盖子送入扩散炉管中，炉管内的惰性气体起保护作用。封管
的是测量值，下方显示的是设定值。通过启动自整定功能，温控器能自动调整演算出一组最合理的ＰＩＤ控制参数。仪器各参数可手动输入，也可通过温控器提供的ＲＳ４８５通讯端口，与同样具有ＲＳ４８５通讯协议的计算机

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
往返多次。Sandia国家实验室的P。Basore博士发明了一种红外分析的方法来测量陷光性能，测得PERL电池背面的反射率大于95％，陷光系数大于往返25次。因此PREL电池的红外响应极高，也特别适应

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
。Basore博士发明了一种红外分析的方法来测量陷光性能，测得PERL电池背面的反射率大于95％，陷光系数大于往返25次。因此PREL电池的红外响应极高，也特别适应于对单色红外光的吸收。在1．02m波长

索比光伏网讯:一.硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B.颗粒
离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如电镀)到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。a.使用强氧化剂使

分子被直接排出系统之外。（7）到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反应并释放出反应产物。假设一个极端的情况：假设在衬底表面处，反应进行得很彻底，没有残余的反应物存在；假设在装置的上界面Y=B处，物质
沉积速率的影响根据这现象，提高薄膜沉积均匀性的措施有：提高气体流速和装置的尺寸B；调整装置内温度分布，影响扩散系数的分布。二、实验方法本文针对的是管式PECVD设备的流量实验，在石墨舟的前后依次沿轴线

LG电子发布了组合异质结构造和背接触构造的单元研究成果（a）。阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5％的转换效率（b）。三洋电机领先一步
）（注4）开路电压为745mV，短路电流为3.966A，填充因子为80.9％。单元面积为100.7cm2。转换效率的测量由得到广泛认可的公共测量机构日本产业技术综合研究所于2011年5月31日实施

的措施有：提高气体流速和装置的尺寸B；调整装置内温度分布，影响扩散系数的分布。　　2实验方法　　本文针对的是管式PECVD设备的流量实验，在石墨舟的前后依次沿轴线放置7片抛光片，通过测量膜厚来鉴定膜
。通过改变工艺气体的流量，对各项技术指标进行测量分析，结合国内外的一些文献，得出了工艺气体流量对氮化硅膜的直接影响，同时也直接导致了电池转换效率的变化。通过这些研究为制备高性能电池减反射膜提供实验基础，为

行业。产品系列：正弦波逆变器、风力发电机逆变器、太阳能光伏发电逆变器、出口型正弦波逆变器;家用逆变器、车船逆变器、控制逆变一体机、太阳能风能控制器、水分测量仪、含水测定仪。　　德州三和电器有限公司是
1111118 19 下一页余下全文　　茂迪股份有限公司公司成立于1981年，一开始以设计及生产高级测量仪器起家；1997年，茂迪成立了光电事业部，成为台湾第一家太阳能电池的制造商，结合