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金字塔熔化明显VS紫外飞秒金字塔形貌基本不变图2 绿光皮秒(a)、绿光飞秒(b)、紫外飞秒(c)刻蚀绒面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可以看出飞秒激光对金字塔的形貌保存有明显优势纳/皮秒刻蚀对硅基底表面
影响大VS飞秒刻蚀对硅基底表面影响小图3 绿光纳秒(a)、绿光皮秒(b)、绿光飞秒(c)、紫外飞秒(d)刻蚀抛光面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可见飞秒激光刻蚀对硅基底表面的影响明显最小a 绿光皮秒大

、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约12步左右。其中，氧化层钝接结构制备为TOPCon在PERC的基础上增加的主要工序，也是TOPCon的核心工序，工艺路线
( BBr3 )以及三氯化硼(BCl3)。其中，三溴化硼扩散的副产物对石英器件损伤严重，部分厂商开始使用三氯化硼作为硼源，虽然三氯化硼的副产物对石英器件基本无损伤，但受制于B-CL键能较大，扩散

包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理
在于利用光在不同界面处的反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180°的相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜

包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。 氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理在于
利用光在不同界面处的反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180的相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜在制备的

电压，展现出了巨大的产业应用潜力。图1丨福建计量科学研究院国家光伏产业计量测试中心认证报告截图图2丨(a)中科院宁波材料所TOPCon电池结构示意图;(b
(doi.org/10.2139/ssrn.3910800)，以及在Solar RRL上发表的多晶氮化硅高效TOPCon太阳电池方面的学术论文(DOI: 10.1002/solr.202100644)等文章

8,933,525B2时表示：该专利试图涵盖一种具有三层钝化结构的特定类型PERC太阳能电池，包括化学钝化层、场效应钝化层和氮化硅覆盖层，其中场效应钝化层中含有氧化铝。虽然韩华此前已在许多国家提交专利申请并成
中被驳回。隆基报告说，美国专利商标局（USPTO）下属的专利审判与上诉委员会（PTAB）已于6月28日就双方复审（IPR）程序发布了最终书面裁决，宣布韩华Q-Cells的美国专利8,933,525B

SOL6700B主栅的组合在客户端也得到了广泛的认可。图6. 分步印刷示意图 SOL6700B 独特的非接触型设计，使浆料对氮化硅或氧化铝钝化层的腐蚀非常低。EL的图示也显示出新的
SOL6700B对氮化硅的刻蚀更为微弱，从而有效提升开路电压。图7. SOL6700B 非接触型设计带来显著的效率增益随着客户端对主栅单耗的降低越来越明显，单耗的降低意味着对拉力的挑战

相对大。 b. 使用检测设备：用EL-C; c. 分析判断方法：使用破坏测试，先沿着栅线处断开，然后用EL-C 测试栅线与氮化硅膜接触面，利用图象来分析判断，如果栅线内部结合不紧凑有空
，期待与您共同进步。1. 电性能偏低原因分析 1.1开路电压UOC偏低 a. 烧结烧穿; b. 未扩散片; c. 湿刻放反片; d. PE 放反片; e. 来料黑心片; f. 污染片

定的状态。这是粉末系统在高温下能烧结成密实结构的原因。 4.2 烧结目的 a. 燃尽金属浆料中的有机成分; b. 烧穿绝缘的氮化硅膜，使浆料中的金属和硅熔融合金，形成欧姆接触; c. 对经过
氮化硅表面颜色应该均匀，无明显的色差; b. 电极无断线; c. 背场无铝珠; d. 电池最大弯曲度不超过1mm。

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
m。使用Gemini Sigma 300SEM 场发射扫描电镜观察抛光效果，如图1 所示。从图1 中可以看出，5000 倍放大观察，硅片部分区域存在凹凸;而图1b 是20000 倍观察

相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化
钝化镀层与钝化层激光开槽两道工序。其中背面钝化镀层包括氧化铝镀层与氮化硅镀层，市场中存在两种技术路线，一是采用 PECVD+PECVD 两台设备，代表厂商为捷佳伟创;二是用

图2 PID测试前后组件正面(A)背面(B)曲线 Source: Luo W, Hacke P, Terwilliger K, et al. Elucidating potential
PERC电池制造工艺爱旭科技PERC双面电池通过热氧化工艺，在硅片正面生成致密的SiOx薄膜层，结合高折射率的氮化硅减反膜，可以有效地阻隔金属离子，提高正面抗PID性能;针对更为棘手的背面PID问题

效率。沈维根等在坩埚底部分别制备硅粉、无机陶瓷胶的混合物涂层和氮化硅粉、无机硅溶胶、去离子水的混合物涂层，制成的太阳能电池转换效率也得到提升。王梓旭等发现采用掺钡高纯隔离层能有效阻挡杂质污染硅锭，改善铸锭中
侯炜强过改进铸锭炉的结构和对工艺优化，形成的准单晶技术，促进了铸锭工艺的进步。常州天合的刘依依等单晶硅中掺杂有Ga、B、Ge三种元素，降低硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减;同时提高了电池片的

22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL太阳电池的主要特点和优势包括
提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
隧穿氧化层，而电子则能够轻易达到。相比于电子，超薄氧化层也会为空穴提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示

数据，由Fig.3-5b图可知电池片左下角黑色区域的电压高达440mV，腐蚀掉正面电极及氮化硅薄膜后扫描方阻(Fig.3-5c)后明显看出黑色区域的方阻比其他区域偏高，导致此区域与现有烧结工艺不匹配而
，最终提升电池片的光电转换效率。由附表3可知此电池片有很低的Voc和Isc，从Fig.3-6a、b可知铝背场出现异常，腐蚀掉铝层后发现(Fig.3-6c)电池片的背面的90%以上的区域含有氮化硅薄膜，由于

良好的传导性，因而TOPCon电池具有高的开路电压和填充因子。2015年FraunfhoferISE采用N型区熔硅片，正面采用金字塔制绒，硼扩散，氧化铝加氮化硅叠层膜起钝化和减反作用，背面采用
扩散发射极，氧化硅/氮化硅钝化减反射层和金属电极;背面依次为隧穿氧化层，掺杂多晶硅层，氮化硅钝化减反射层和金属电极。 3研究结果与讨论 3.1 SiOx/polySi钝化性能研究取

通过不同现象可分为：条状、团状、氮化硅磨伤、线状四种类型，如图1所示。 1.2不良比例分布通过对Z公司电池车间ABC车间的2015年7月-12月划伤进行统计，具体数据如图2所示。划伤平均
比例0.66%,其中条状和团状、氮化硅磨伤比例较高，分别为0.34%,0.13%,0.14%。 2 划伤产生的原因研究 2.1原因分析通过以上划伤图片和数据，可看出： (1)条状

薄膜厚度和折射率的影响实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅