(3)初始光衰晶硅组件都存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看,首年功率衰减一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。 HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池,是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜
(3)初始光衰晶硅组件都存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看,首年功率衰减一般不高于2.5%或3%),主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。 HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池,是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜