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证券市值（以下简称MVPHS）未能达到1500万美元最低市值的要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新
，中电光伏收到纳斯达克股票市场上市资格部的通知函，告知公司的MVPHS未能达到1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定

了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5
1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间

上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5月18日成功
的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间中电光伏的证券

硅中的前进方向，延长了光程，增加了光生载流子的产量;曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行

高效电池生产技术工艺流程如图8所示。在先进制绒阶段，金刚线多晶硅片经过常规酸制绒工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个
，延长了光程，增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前已经有反应离子刻蚀

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
空间与速度下一页另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功

队还在多晶硅/单晶硅纳米制绒方面取得了多项成果，采用金属银颗粒催化化学刻蚀方法，在酸性刻蚀液中开发出大面积均匀的多晶硅片纳米制绒工艺，其反射率低至2%，呈典型的黑硅形貌【Small 8 (2012
)1392】，同时率先开发出硅纳米结构的低温臭氧钝化工艺，并与选择性发射极工艺结合，制备了选择性纳米发射极黑硅太阳能电池，实现了多晶黑硅电池效率的大幅提升【RSC Advances 3( 2013

线的电阻损耗，每根主栅线上都需要10~20个孔洞，总的激光打孔数量在30~60个，过多的孔洞数量会增加打孔的时间，同时可能会对硅片产生损伤。图2（b）是荷兰ECN提出的新型布局，每片硅片采用44共16
公司发明了图4（b）这样的焊带直接互联方式，关键点是电池片电极采用特殊的非对称布局，在串联成组件时，相邻的电池片沿中心旋转180度后刚好可以实现正负极的直线互联。其实从实际生产的角度，用传统的焊带

为Riecium 多晶组件的核心 Riecium 多晶电池使用的黑硅技术，这一技术使电池颜色一致，产品外表更加美观。电池平均转换效率超过18.3%，比行业平均单晶电池转换效率高出0.8%。该高功率
、经济等等各方面的原因惨遭淘汰。而这一段时间，也是太阳能电池技术的稳定成熟时期，晶体硅电池奠定了霸主地位。到2013年数据统计时间截止，太阳能电池产品中，主流晶体硅电池P型单晶硅电池和多晶硅电池占据了全球

子专用设备工业协会常务副秘书长金存忠今年，制备高转换效率纳米表面结构的黑硅材料使用的等离子体浸没离子注入设备、采用定向凝固生长技术的吨位级多晶硅铸锭炉和大尺寸开方机、带二次
单晶硅和多晶硅电池产业化转化效率已分别达到18.5%和17.3%。主要光伏企业的高效电池效率已达到20%以上，量产效率也超过19%。高效多晶技术量产效率达18%以上，处于全球领先水平。电池组件企业成本