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天宏、有色榆林多晶硅生产基地、华山半导体材料有限公司30余年硅材料的历史及一批精于从事硅材料科研生产的技术队伍，延长产业链，在西咸新区征地1000多亩建设1GWP太阳能光伏电池项目，拟投资100亿元形成
年生产1GWP晶锭、硅片、电池片、组件生产线，项目共分两期建设。第一期建设500MWP太阳能光伏电池项目，其中有120MWP单晶硅、硅片、电池片和380MWP多晶、铸锭、硅片、电池片以及250MWP

线锯技术帮助提高产量和性能凭借其深厚的线锯技术专长，应用材料公司为客户提高精密硅片切割和开方系统的产量提供了一条快速、低风险的途径。应用材料公司全新的高强度升级套件兼容金刚线和结构线浆料系统，能够使得
切割速度提高一倍，并且不影响成品率和系统占地面积。目前，应用材料公司针对特定应用正在推出其独特的高强度结构线技术，作为业内应用最为广泛的Applied HCT B5线锯系统的一款备选方案。结构线技术将

一案。但诸如Hemlock、MEMC、REC等多晶硅企业已经在十余倍的利润下赚了数年，他们的忍耐力较中国企业强许多倍。同时这些厂家大多之前在半导体行业根基稳固，半导体业的营收也可做为补充，而例如
，而由于光伏电站建设、运营复杂繁琐，外国电站几乎都是当地公司在运营，补贴也由他们享有。可以看到，整个光伏行业中，除硅片至组件这一段企业外，其它公司虽然同样受行业影响，但却并不致命。不幸的是，我们

赚了数年，他们的忍耐力较中国企业强许多倍。同时这些厂家大多之前在半导体行业根基稳固，半导体业的营收也可做为补充，而例如Hemlock，是由道康宁和三菱合资，道康宁本身是经营各类硅基材料的巨擘，也是由康宁
于光伏电站建设、运营复杂繁琐，外国电站几乎都是当地公司在运营，补贴也由他们享有。可以看到，整个光伏行业中，除硅片至组件这一段企业外，其它公司虽然同样受行业影响，但却并不致命。不幸的是，我们中国的光伏企业

的忍耐力较中国企业强许多倍。同时这些厂家大多之前在半导体行业根基稳固，半导体业的营收也可做为补充，而例如Hemlock，是由道康宁和三菱合资，道康宁本身是经营各类硅基材料的巨擘，也是由康宁公司和陶氏
光伏行业中，除硅片至组件这一段企业外，其它公司虽然同样受行业影响，但却并不致命。不幸的是，我们中国的光伏企业绝大部分都是从事硅片、电池和组件生产，如果欧美对此发动经济战，绝大多数的损失在中国。而近年通过

4个新标准提案是：1.电感耦合等离子体光谱法测量光伏多晶硅用工业硅粉中B, P, Fe, Al, Ca的含量；2.关于在感应炉燃烧后用红外线测定硅粉中总碳量的测试方法；3.薄膜光伏组件光衰减测试方法
中国光伏标准技术委员会下设的光伏硅片工作组、晶体硅光伏组件工作组、晶体硅太阳能电池金属浆料工作组、多晶硅包装材料工作组、光伏扩散炉测试方法工作组，分别介绍了各自的工作进展，包括成员招募和标准起草等情况

元，暂不宜推广到日常生活中。砷化镓（galliumarsenide）化学式GaAs，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。因价格昂贵，砷化镓素有半导体
贵族之称。砷化镓到底有多贵？在同样的环境下，用砷化镓制造的太阳能电池板发起电来每瓦需要数千元，而我们现在使用的多晶硅太阳能电池板每瓦的发电成本不会超过6元钱。虽然这位半导体贵族没有被普遍运用在发电领域

江西晶大确实已经停产。据了解，江西晶大于2007年11月落户江西南昌桑海经济技术开发区，主要专精于从事多晶硅原生料、单晶硅，硅片等半导体材料研发、生产和销售为一体的实业公司。该公司于08年多晶硅项目
）提出诉讼，状告贺利斯与SolarWorld侵犯杜邦的前板银浆专利技术。这是杜邦第二次对贺利斯提出诉讼，杜邦声称贺利斯侵犯了其美国专利号为8，158，504 B2的技术。杜邦电子的David

、蜡等有机物杂质。所利用的原理是相似相溶。b.无机酸在清洗中的作用硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：2Al+6HCl
索比光伏网讯:太阳能硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。清洗的作用1.在太阳能材料制备过程中

索比光伏网讯:经辽宁省科技厅和大连市科技局同意，由中国电子材料行业协会半导体材料分会主持，汇聚了光伏行业的部分专家教授，对大连连城数控机器股份有限公司开发生产的QP20100大型多线切片机召开专家
。该设备的整体性能达到国际同类设备的先进水平。专家组一致同意通过科技成果鉴定。大型多线切片机（QP20100）研制项目始于2009年5月立项，经过走访用户调研，在综合比较HTC的B5、MB的DS264

,从而使开路电压得以提高。在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。背面电极与硅片之间通过SiO2钝化层中的接触孔实现了点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低
)。为了进一步降低基极接触区的复合速率,在其他区域保持不变的情况下,用局部硼扩散制作的硼背场(B2BSF)替换LFC制作的铝背场(Al2BSF),提高了短路电流,使效率提升到21.5%。由于背面电极是

在国家半导体行业协会主持的科技成果鉴定上，大连连城数控机器开发的多线切片机（QP20100）被认定为国外同类设备先进水平。经辽宁省科技厅和大连市科技局同意，由中国电子材料行业协会半导体
先进水平。专家组一致同意通过科技成果鉴定。大型多线切片机（QP20100）研制项目始于2009年5月立项，经过走访用户调研，在综合比较HTC的B5、MB的DS264、DS271，NTC的PV800等

产生碰撞。相较于直流放电，射频放电具有下列优点：①放电的情况可一直持续下去而无需二次电子的发射，当硅片本身为电极的一部分时，这点对半导体材料制程就显得十分重要了;②由于电子来回地振荡，因此离子化的几率
后进行刻蚀。在扩散过程中，硅片的周边表面也形成扩散层。周边扩散层使电池的上电极和下电极形成短路，必须将它除去。这个工序是太阳电池制作中必不可少的一步，周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降

，不应该只是从自身企业的角度去跟政府对话，往往这样就会给政府部门带来非常混淆的一个信息，所以容易误导政府，比如说A公司跟政府讲我的成本可以做到五毛一瓦，B公司我只能做九毛，政府就讲为什么A公司能做到五毛
的就是我们的供应链，03年当时我开会跟马丁教授还做过一次讨论，我说光伏是一个既生产业，因为我们没有自己的供应链，我们当时的多晶硅是半导体的头尾料，或者锅底料，我们的玻璃厂，它一年只生产三个月的玻璃供

）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对光伏电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL

单晶电池的早期光致衰减；(b)内部金属杂质和晶体缺陷（位错等）的存在会成为少数载流子的复合中心，影响其少子寿命，导致电池性能的下降。一、少子寿命对光伏电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入（光
索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致

不是硅棒数量越多越牛B。当硅棒数量（包括还原炉尺寸）大到一定程度后，继续增加带来的节能效益变得微乎其微（如下图所示）。（单位还原电耗与硅棒数量、反应压力的关系，来源：GTAT研究报告）由上图可以发现
我国多晶硅老四厂之一的峨嵋半导体）等国内主要多晶硅厂商都相继推出了冷氢化技改计划或在新建产能中采用冷氢化工艺。其中，保利协鑫（江苏中能）是实施最早，也最成功的一家，使多晶硅生产成本显著降低（从公开数据