日前，德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)的研究人员宣称，叠层光伏组件创下两项新的效率纪录。
这两项成果均基于周期表第III族和第V族元素衍生的III-V族半导体材料，该材料具有较高的转换效率。
弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)项目负责人劳拉·史蒂文斯(Laura Stevens，左)手持一块创下34.2%效率纪录的III-V族锗组件。图片来源：弗劳恩霍夫太阳能系统研究所。
研究人员称，其中一块III-V族锗组件实现了34.2%的效率，成为全球效率最高的组件。
这块面积为833平方厘米的组件是弗劳恩霍夫“Vorfahrt”项目的一部分，该项目旨在开发具有成本效益的III-V族电池，此类电池通常用于车辆、飞机和太空应用，因此成本较高。
该组件由项目协调方Azur Space Solar Power公司采用适用于地面太阳光谱的三结III-V族锗电池构建而成。项目合作伙伴temicon公司则通过在组件玻璃表面进行纳米压印工艺处理，进一步提高了组件效率，减少了反射损失。
弗劳恩霍夫太阳能系统研究所表示，第二项纪录是在一块III-V族硅光伏组件上实现的，其效率达到了31.3%，创下了同类别产品的记录。
该组件是在几年前实现的36.1%的 III-V 族硅太阳能电池记录的基础上研发而成。作为弗劳恩霍夫“Mod30plus”研究项目的一部分，该项目旨在开发效率至少达到30%的III-V族/硅组件，科学家们小规模生产了这些太阳能电池，并使其适应与叠瓦技术互连，最终构建出这块面积为218平方厘米、效率达31.3%的组件。
弗劳恩霍夫太阳能系统研究所所长安德烈亚斯·贝特(Andreas Bett)表示：“这两种叠层光伏技术都有潜力填补传统、经济高效的地面安装和屋顶系统与高性能但成本更高的太空太阳能电池之间的应用空白。III-V族与硅结合作为一种更经济的选择，而III-V族与锗结合则是一种效率稍高的替代方案，对于空间有限的集成光伏应用而言，这两种技术路线都颇具吸引力。”
传统硅太阳能电池的理论最大效率为29.4%，而目前市面上可买到的组件效率约为24%。
弗劳恩霍夫太阳能系统研究所科学家、“Vorfahrt”项目负责人劳拉·史蒂文斯表示：“这就是我们致力于开展深入研究，用组件中的多个太阳能电池取代单个太阳能电池的原因。我们在III-V族锗组件上创下世界纪录，这表明将多种半导体相结合具有巨大潜力。”
