成都理工大学彭强EES: 介电分子桥使26.60%的高效耐用倒置钙钛矿太阳能电池具有高反向击穿电压

来源:先进光伏发布时间:2025-12-02 14:16:40

论文概览

针对钙钛矿太阳能电池在实际应用中因遮挡导致的反向偏压损伤问题,成都理工大学创新性地提出一种介电分子桥策略,通过引入双(4-氟苯基)氯膦(F-CPP)分子对钙钛矿埋底界面进行调控。该研究利用F-CPP分子中氟(F)和氯(Cl)双卤素单元的协同作用,有效钝化卤素诱导缺陷、调控钙钛矿结晶、提高薄膜介电常数,并显著增强器件的反向击穿电压。实验结果表明,F-CPP处理后的钙钛矿薄膜介电常数提升约2倍,器件瞬态反向击穿电压达-6.6 V,为银基钙钛矿太阳能电池中的最高值之一。基于该策略,团队实现了26.60%的冠军效率(认证26.17%),并在大面积(1 cm²)和不同宽带隙(1.68-1.78 eV)器件中均表现出优异的性能。在-1 V反向偏压测试条件下,未封装器件在长期存储、热老化和光照条件下均保持90%以上的初始效率。

技术亮点

1. 双卤素协同钝化:F-CPP中F单元提升电负性与介电常数,Cl单元调控结晶并钝化缺陷。

2. 介电性能提升:钙钛矿薄膜介电常数提高至45.5,器件电容显著增强,反向击穿电压达-6.6 V。

3. 结晶质量优化:F-CPP促进大晶粒生长,释放薄膜残余应力,提升薄膜质量与稳定性。

4. 反向偏压稳定性:在-5 V脉冲反向偏压下器件输出稳定,-1 V持续反向偏压下仍保持高效率

研究意义

✅首次通过介电分子桥策略系统提升钙钛矿电池的反向击穿能力。

✅为实际应用中的遮挡、阴影等极端工况提供稳定性解决方案。

✅通过双卤素协同机制实现缺陷钝化、结晶调控与介电性增强的多重优化。

✅为钙钛矿电池的产业化可靠性提供重要技术支撑。

深度精度

Fig.1 通过静电势(ESP)计算、缺陷形成能分析以及多种光谱技术(如XPS、FTIR和NMR),系统阐述了F-CPP分子与钙钛矿前驱体之间的相互作用机制。DFT计算显示F-CPP因氟单元的高电负性呈现更负的静电势,增强了其作为路易斯碱与钙钛矿路易斯酸位点的结合能力;缺陷形成能结果表明F-CPP处理显著降低了铅空位、碘空位和PbI3-等缺陷的形成能,说明其优异的缺陷钝化效果。XPS和FT-IR光谱证实F-CPP与NiOx基底及钙钛矿层形成了化学键合,如Ni 2p和Pb 4f峰位的位移,而NMR氢谱中质子信号的裂分和位移进一步验证了分子与有机阳离子的氢键相互作用,共同奠定了F-CPP作为分子桥调控界面结晶的基础。

Fig.2 结合原位紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、扫描电子显微镜(SEM)和掠入射广角X射线散射(GIWAXS),揭示了F-CPP对钙钛矿结晶动力学和薄膜形态的深刻影响。原位UV-vis显示F-CPP处理延缓了钙钛矿成核速率,但提高了结晶均匀性,表现为吸收边缘的缓慢红移和更陡峭的爬升曲线;SEM图像表明F-CPP修饰的钙钛矿薄膜具有更大的晶粒尺寸和更少的晶界,减少了载流子复合通道;GIWAXS图谱进一步证实F-CPP增强了钙钛矿的结晶度,衍射环强度提高且对应(100)和(200)晶面的信号更加清晰,促进了高质量薄膜的形成。

Fig.3 聚焦于F-CPP的介电性能提升作用,通过介电常数测量、电容-频率曲线和暗J-V测试等实验,展示了分子桥对器件反向击穿电压(Vbv)的增强效果。介电常数测试表明F-CPP处理使钙钛矿薄膜的相对介电常数从21.6(对照组)提升至45.5,增幅约两倍,归因于氟单元的高电负性增强了材料极化能力;电容-频率曲线显示F-CPP器件具有更高的介电电容,暗J-V曲线中其瞬态反向击穿电压达到-6.6 V,远高于对照组(-1.1 V),而IR热成像图在-5 V偏压下显示F-CPP器件温度分布均匀,无局部击穿点,证明了分子桥有效抑制了漏电流和热失控,提升了器件的反向偏压稳定性。

Fig.4 通过强度调制光电流谱(IMPS)、瞬态光电流(TPC)、时间分辨光致发光(TRPL)等技术,深入研究了F-CPP对载流子传输和复合动力学的调控。IMPS显示F-CPP器件在不同光照强度下具有更短的载流子收集时间(Tc),表明光生载流子提取效率更高;TPC和TRPL曲线进一步证实F-CPP延长了载流子复合寿命,降低了非辐射复合损失,如TRPL平均寿命从402.34 ns(对照组)降至107.99 ns;同时,电化学阻抗谱(EIS)和莫特-肖特基测试表明F-CPP提高了内置电势(Vbi)并降低了缺陷态密度,这些效应协同促进了器件开路电压和填充因子的提升。

Fig.5 展示了F-CPP优化后器件的光伏性能,包括截面SEM、J-V曲线、外量子效率(EQE)和统计分布。冠军器件效率达26.60%(认证26.17%),开路电压1.196 V,填充因子85.88%,截面SEM显示钙钛矿层呈致密无孔洞结构;J-V曲线和EQE谱证实F-CPP器件具有高电流密度(25.91 mA cm⁻²)和低滞后效应,统计分布表明其参数离散性小,重现性优异;此外,大面积(1 cm²)和宽带隙(1.68-1.78 eV)器件效率均超过20%,证明了该策略的普适性。

Fig.6 通过老化测试、热稳定性、光浸泡实验等评估了器件的长期稳定性。F-CPP器件在-1 V反向偏压下,未封装器件在室温储存2000小时后效率保持90.5%,85℃热老化后保持82.7%,连续光照下93.5%的初始效率维持1200小时;水分接触角测试和IR光谱表明F-CPP增强了薄膜疏水性,抑制了离子迁移和分解,而相变激活能(Ea)计算显示F-CPP将迁移势垒从0.86 eV提升至1.73 eV,从根本上提升了器件的操作稳定性。

结论展望

本研究通过引入F-CPP介电分子桥,成功实现了钙钛矿太阳能电池效率与反向击穿电压的双重突破,首次系统解决了钙钛矿电池在实际应用中的反向偏压稳定性难题。该策略不仅为高效稳定钙钛矿电池的设计提供了新思路,也为光伏组件在复杂光照条件下的可靠运行奠定了关键技术基础,推动了钙钛矿光伏技术的产业化进程。

文献来源:

Luo, C., Chen, Y., Wu, X. et al. Dielectric molecular-bridges enable 26.60% efficient and durable inverted perovskite solar cells with high reverse breakdown voltage. Energy Environ. Sci. (2025).

https://doi.org/10.1039/D5EE02610E

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