
钙钛矿/硅叠层太阳能电池已显示出比单结电池更高的能量转换效率。然而,其记录的效率仍未达到理论最大值,且其稳定性明显低于晶体硅太阳能电池。这些挑战源于宽带隙钙钛矿器件的开路电压大幅损失和不稳定性,这主要由异质结界面处的非辐射复合和降解引起。具体而言,氧化铟锡(ITO)与自组装单分子层(SAM)之间的弱粘附性,以及SAM与钙钛矿之间相互作用不足,导致了这种不稳定性。鉴于此,武汉理工大学李蔚,佛山市仙湖先进能源科学与技术实验室Mathias Uller Rothmann,福建农林大学Ning Yang,欧阳新华在期刊《Advanced Materials》上发文“Bifacially Reinforced Self-Assembled Monolayer Interfacesfor Minimized Recombination Loss and Enhanced Stabilityin Perovskite/Silicon Tandem Solar Cells”开发了一种新型SAM材料4-(11H-苯并[a]咔唑-11-基)丁基 (4-PhCz),通过增强SAM在ITO上的覆盖率并增强SAM与钙钛矿之间的相互作用,实现了双面界面增强。由此制备的1.67 eV钙钛矿太阳能电池的开路电压达到1.273 V,相对于带隙的电压损失仅为0.397 V,效率达到22.53%。基于4-PhCz的钙钛矿/硅叠层电池的开路电压达到1.96 V,效率达到31.26%,在25 °C氮气环境下,单太阳光照条件下进行1000小时的最大功率点跟踪(MPPT)后,仍能保持初始效率的92%。





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