近日，国家知识产权局公布第十九届中国专利奖获奖名单，天合光能有限公司的发明专利“晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法”(专利号：ZL201310440907.5)荣获中国专利优秀奖，天合光能已连续二次荣获该奖项。
中国专利奖由国家知识产权局与世界知识产权组织共同开展评选，是专利领域由中国政府颁发的最高奖项。评奖标准不仅强调项目的专利技术水平和创新高度，也注重其在市场转化过程中的运用情况，保护状况和管理情况，要求专利技术产品在国际上具有一定的影响力。
获奖专利首次提出了一种新型晶体硅太阳电池背接触电极的制备工艺，成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属接触的关键技术难题，可显著提高晶体硅太阳电池的结构性能，从而提升晶体硅太阳能电池的转换效率。该技术工艺生产的专利产品广泛应用于各种大型电站、屋顶、农业大棚等各个领域，为用户提供光电转换效率更高、成本更低的晶体硅太阳电池产品，从而降低了度电成本，为用户带来了可观的经济效益，更为我国高效太阳晶体硅电池技术的研发和产业化打下基础。
天合光能始终将技术创新作为公司发展的重要战略，在知识产权的管理与保护工作中取得了一系列硕果，截至2017年12月18日，公司累计申请专利1381件，拥有有效专利801 件，发明专利拥有量行业领先。
本次奖项的获得，是对天合光能在科研、技术创新以及高新技术产业化方面取得成绩的肯定。天合光能将继续坚持以技术创新促发展，通过高水平创新平台的建设，开拓创新发展的新征程。
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