2.2、PERL电池
PERL(Passivated Emitter,Rear Locally-Diffused)电池是钝化发射极、背面定域扩散太阳能电池的简称。设计是在PERC电池的基础上,在电池背面增加定域掺杂,即在电极与衬底的接触孔处进行定域掺杂。1990年,新南威尔士大学的J.Zhao在PERC电池结构和工艺基础上,在电池背面的接触孔处采用了BBr3定域扩散制备出PERL电池,结构如图4所示。这种电池背面接触孔处的薄层电阻可降到20Ω/□以下。孔间距离也由2mm缩短为250μm,大大减少了横向电阻。如此,在0.5Ωcm和2Ωcm的p型硅片上制作的4cm2的PERL电池,效率可达23-24%,比采用同样硅片制作的PERC电池性能有较大提高。1993年该课题组又对PERL电池进行改善,使其效率提高到24%,1998年再次提高到24.4%,2001年达到24.7%,创造了世界最高记录。
图4PERL电池基本结构
PERL电池具有高效率的原因在于:
(1)双面钝化:电池正面和背面都覆盖着热生长的SiO2层。发射极的表面钝化,一方面降低了表面态,另一方面减少了前表面的少子复合。而背面钝化的增加,使反向饱和电流密度Jo下降,同时光谱响应也得到较大的改善。
(2)淡磷、浓磷分区扩散:在金属栅指电极下进行浓磷扩散,可以满足栅指电极接触电阻小的要求;而在栅指之间大面积的受光区域内,进行淡磷扩散,只要调整好淡磷扩散的表面浓度及结深,就能同时满足横向电阻功耗小,且短波响应好两方面的要求。
(3)背面进行定域、小面积的硼扩散:如图4所示,背面电极采用了小面积的定域硼扩散p+区,显然,这将减少背电极的接触电阻,又给PERL电池增加了硼背面场,蒸铝的背电极本身又是一个很好的背反射器,从而进一步提高了电池的光电转换效率。
(4)电池正面采用“倒金字塔”结构:这种“倒金字塔”结构受光效果优于绒面结构及微槽结构,具有很低的反射率,从而提高了电池的Jsc。
目前这种电池技术是制造实验室高效太阳能电池的主要技术之一。但是,这种电池的制造过程相当烦琐,其中涉及到好几道光刻工艺,所以不是一个低成本的生产工艺,很难将且应用于大规模工业生产。
PERL电池的工艺流程为:
硅片→正面倒金字塔结构的光刻法制作→背面局域硼扩散→栅指电极接触区的浓磷扩散→正面淡磷扩散→SiO2减反射层的氧化→光刻背电极接触孔→光刻正面栅指电极引线孔→正面蒸发钛钯薄栅指电极→背面蒸发铝电极→正面镀银加厚栅指电极→退火→测试
2.3、HIT电池
1997年,日本三洋公司(Sanyo)推出了一种商业化的高效太阳能电池设计和制造方法,如图5所示。该电池以n-型晶体硅材料为基底材料,并在两侧沉淀本征层i-和p-及n-型非晶硅薄膜,形成n-型硅和非晶硅异质结结构(HIT)太阳电池。非晶硅(a-Si:H)材料的带宽在1.7eV左右,远大于晶体硅1.1eV的带宽,因此此种HIT电池结构对于电池表面有很好的钝化作用。
由于非晶硅几乎没有横向导电性能,因此必须在硅表面淀积一层大面积的透明导电膜(TCO)以有效地收集电池的电流。2003年时,这种电池的量产销率达到了19.5%。2009年5月,据宣称其单元转换效率已经达到23%。
一般制造这种电池的工艺温度不超过300℃。如果温度高于400℃,氢原子很容易从非晶硅材料内逸出,从而降低非晶硅材料的质量,影响电池的转换效率。另外,由于TCO层和非晶硅发射层的本征吸收,还可能影响电池的蓝光响应。此外,由于涉及到复杂的真空系统,制造工艺也相对复杂。
图5HIT电池结构
HIT电池制造的工艺流程是:
清洗-制绒-正面沉积本征α-Si:H层和p型α-Si:H-背面沉积本征α-Si:H层和n型α-Si:H-TCO溅射沉积-丝网印刷Ag电极
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