【刘工总结】组件问题系列总结——电池片铝背场脱落对电池片的影响

来源:阳光工匠光伏网作者:刘殿宝发布时间:2014-12-24 23:59:59
1.0绪论

为了降低太阳电池的成本, 提高光电转换效率, 电池片生产厂家不断追求减小硅片的厚度, 以降低原材料的成本, 目前,硅片厚度已由300 Lm 降到200Lm,相应产生每瓦电能所耗的硅片量减少 20%。随着硅太阳电池衬底质量的不断提升, 太阳电池的少子寿命也不断增大,当少子扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时, 背表面的复合速度对太阳电池特性的影响就很明显。因此, 为了提高电池的效率, 就必须考虑如何降低电池背表面的复合速度。因而研究铝背场对太阳电池输出性能的影响就显得十分必要。

2.0光与电池片

硅太阳能电池是一个二极管,由p型硅(一般为硼掺杂)和n型硅(一般为磷掺杂)结合形成。当光照射电池时有很多种情形,如图2-1所表现的那样。



图2-1:光在电池中的吸收特性
注:1.光在顶部电极的反射与吸收;2.电池表面反射3.理想吸收4.从电池底部反射-仅微弱吸收光5.反射后的吸收6.在底部电极的吸收
为了获得最大功率的电池,电池必须设计成最大吸收(3)和反射后最大吸收(5)。

在p-n结中空间电荷区E将电子吸引到n区同时将空穴吸引到p区一边。图2-2描述了短路情况下理想的电荷流动。实际上一些电子空穴对如图2-3所示在被收集前会复合消失。




通常情况下,电子空穴对的产生越靠近p-n结,越容易收集。“收集载流子”是那些当V=0时产生的电流。电子空穴对在结扩散长度内被收集的概率比较大,原因是越靠近PN结,电子空穴对就越容易被拆开。


图2-2:理想电子短路电流通过p-n结。

图2-3:可能的电子空穴对复合,没有复合的载流子收集。

图2-3:可能的电子空穴对复合,没有复合的载流子收集。 

3.0铝背场的作用

晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池的主体结构为晶体硅材料,前表面印刷了栅线状的银作为负电极;而背面除了2根银电极外,其余都是铝,我们称之为铝背场,由丝网印刷铝浆料,在800多度的高温下采用合金化工艺烧结成型。 铝背场的作用是: 一:与P型的晶体硅衬底形成P++结,减少少子复合,提高少子扩散长度; 二:形成合金背场,对长波部分光线具有一定程度的反射作用,增加光电转换效率; 三:是导电作用。

4.0铝背场对电池片的影响

4.1对太阳电池短路电流的影响


随着硅片厚度的减小, 无铝背场结构的太阳电池的短路电流随之降低, 有铝背场结构的电池短路电流随硅片厚度的减小先缓慢增大而后减小。比较分析发现,随着硅片厚度的减小, 铝背场的作用越来越大, 且有铝背场结构的太阳电池至少取得8%的电流增益。

单晶硅太阳电池要吸收 99%的光所需要的吸收厚度为384 Lm。在 50~ 350 Lm 厚度范围内,随太阳电池厚度的减小,基体不能充分地吸收入射光, 从而影响产生电子空穴对数目, 导致太阳电池的短路电流降低。有铝背场时, 只有硅片厚度小于 200 Lm 时, 才能很明显地观察到短路电流随着硅片厚度的减小而减小,而硅片厚度在200Lm和350Lm之间时,Isc基本不变。I sc的这种变化趋势,本文认为是由于铝背场的高反射率所致。一方面,由于铝背场有助于减小金属与半导体间的接触电阻,从而降低 Rs值, 提高I s c;另一方面,硅片厚度小于300 Lm,基体不能完全地吸收入射光,部分光到达铝背场处,由于发生高内背表面反射,这种作用的最终结果是基体内总的光生载流子数目几乎不变。且由于硅片厚度变薄, 电子空穴对的产生更接近p2n(即p++p+,铝背场作为p++层)结, 因而更有利于 p2n结对载流子的收集。大量的实验证实, 铝背场的这种效应能提高短路电流。




4.2对太阳电池开路电压的影响

无铝背场时电池的开路电压随着硅片厚度的减小而减小。有铝背场时电池的开路电压则随之增加,但增幅很小。且有铝背场时可比无铝背场时获得明显的开路电压增益, 最小处也可达10 mV;随着硅片厚度的减小,铝背场对太阳电池开路电压的影响也是越来越大。无铝背场结构的背表面的复合速度很高,硅片厚度的减小使这一高复合速度的表面越来越靠近p2n 结,表面复合的增加胜过基体内的复合, 最终导致 Voc降低。

而有铝背场时,硅片厚度的减小同样也会导致高复合速度的表面越来越接近 p2n 结, 但一方面由于p2p+接触势垒的存在,将阻止p区光生电子向背表面运动而发生复合, 这也就等效降低了背表面对光生电子的复合速度;另一方面到达p2p+结两侧的光生载流子也将被 p2p+的内建电场分开,从而建立光生电压。由于这两方面的作用使得在有铝背场情况下,单晶硅太阳电池开路电压随着硅片厚度减小而升高。

4.3 对太阳电池填充因子的影响

填充因子FF是指太阳电池最大功率与开路电压与短路电流乘积的比值, 是评价太阳电池输出特性的一个重要参数。它的值越高,表明太阳电池的输出特性越接近于矩形, 光电转换效率也就越高。

无铝背场时电池的填充因子随着硅片厚度的减小呈现先缓慢增大,而后迅速减小的趋势。有铝背场时电池的填充因子则随之迅速增大。且随着硅片厚度的减小, 铝背场对太阳电池填充因子的影响越来越大。

目前的研究已经证实, 影响太阳电池输出特性的内部因素中, 串、 并联电阻对填充因子的影响最大:串联电阻越小,并联电阻越大, 填充因子则随之变大。另一个影响因素则是日照强度。因而在无铝背场情况下,硅片厚度减小, 使得 Rs值降低,从而填充因子出现增大的趋势。当厚度小于一定值后, 由于不能有效的吸收入射光,导致填充因子急剧下降。在有铝背场情况下,填充因子的这种变化趋势是由于硅片厚度减小与p2p+结均能有效得降低Rs值,从而使得填充因子在硅片厚度减小时迅速增加。

4.4没有铝背场结构时,光电转换效率随着厚度的减小而减小。

有铝背场时光电转换效率则呈现先增大而后减小的趋势,变化幅度很小。有铝背场至少可提高1%的转换效率提升。可以看出, 随着硅片厚度的减小,铝背场对提高太阳电池光电转换效率的作用越来越明显。

5.0结论

1)硅片厚度越小, 铝背场对单晶硅太阳电池输出特性的影响就越大。

2)对没有铝背场结构的电池, 其短路电流随着硅片厚度的减小而降低; 有铝背场结构的电池,其短路电流则先缓慢增大而后减小, 且有铝背场至少取得8%的电流增益。

3)对没有铝背场结构的电池, 其开路电压随着硅片厚度的减小而降低; 有铝背场结构的电池,其开路电压则随之增加, 但增幅很小。且有铝背场结构具有明显的开路电压增益, 至少可获得10 mV 的电压增益。

由此,电池片铝背膜脱落,对于电池片的电性能有较大的影响。(作者微信公众账号:光伏经验网)

附:
参考文献
【1】周继承, 李斐等,铝背场对单晶硅太阳电池输出特性的影响,《半导体光电》2009年12月。
【2】彭银生,刘祖明等,晶体硅太阳电池背场的研究,《云南师范大学学报》,2004年1月。

独家申明:凡注明“阳光工匠光伏网”来源的文字、图片、图表与音视频稿件等资料,版权均属阳光工匠光伏网所有。任何媒体、 网站或个人未经本网协议授权不得全部或者部分转载、链接、转帖 或以其他方式复制发布/发表。经本网许可后转载务必请注明 来自“阳光工匠光伏网”,违者本网将依法追究责任。


作者简介



上一篇:【刘工总结】组件问题系列总结——电池片经EL测试局部较黑对组件会有什么影响?


下一篇:
【刘工总结】组件问题系列总结——电池片为什么会有粉状脱落?(12月26日发布)

索比光伏网 https://news.solarbe.com/201412/24/202944.html
责任编辑:solar_robot
索比光伏网&碳索光伏版权声明:

本站标注来源为“索比光伏网”、“碳索光伏"、"索比咨询”的内容,均属www.solarbe.com合法享有版权或已获授权的内容。未经书面许可,任何单位或个人不得以转载、复制、传播等方式使用。

经授权使用者,请严格在授权范围内使用,并在显著位置标注来源,未经允许不得修改内容。违规者将依据《著作权法》追究法律责任,本站保留进一步追偿权利。谢谢支持与配合!

推荐新闻
天合光能取得光伏跟踪支架及光伏系统专利,能够避免大风下从动轴组件反传损坏驱动机构的问题来源:金融界 发布时间:2026-05-26 09:31:05

天合光能股份有限公司近日获得一项名为“光伏跟踪支架及光伏系统”的实用新型专利(授权公告号CN224289708U),该专利聚焦于提升光伏跟踪支架在恶劣天气下的运行可靠性。其核心在于设计了一种包含主轴组件、从动轴组件、驱动机构和第一锁止机构的可调节支架单元,并通过连接机构实现相邻支架间的转动连接。该结构使每个支架单元可独立自锁,有效防止大风导致的从动轴反向传动对驱动机构造成损坏;同时,连接机构协调多单元动作,缓解了传统多点锁止引发的同步性难题。该技术旨在解决行业普遍存在的单点易损与多点不同步两大痛点,提升光伏系统的稳定性与寿命。(199字)

排产不及预期叠加去库缓慢,组件环节承压加剧来源:索比咨询 发布时间:2026-05-21 15:57:59

终端装机需求不及预期,传导至组件端后,组件企业开工率维持低位。5月份组件排产或不及预期,预计微幅下调至34-35GW,环比改善但整体仍在历史低位。价格方面,本周上游止跌与下游压价之间的博弈正在加剧。上游三大环节全线止跌,市场底部共识持续强化;但组件端企业出货压力高企,头部企业也被迫下场降价。短期内,组件价格预计以底部窄幅震荡为主,局部小幅下调。短期内,电池片价格预计维持偏强运行,但银浆回调为提价前景增添变数。

TOYO: 预计2026年电池片出货5.5–5.8GW,组件出货1-1.3GW来源:光伏情报处 发布时间:2026-05-19 08:50:16

2026年第一季度未经审计财务业绩2026年第一季度营收约1.428亿美元,较2025年同期的5150万美元增长177.0%,增长主要来自太阳能电池及组件销量提升。2026年第一季度毛利润约4780万美元,较2025年同期的480万美元大幅增长894.8%;毛利率从2025年同期的9.3%提升至33.5%。2026年第一季度总运营费用升至1150万美元,2025年同期为610万美元。2026年第一季度基本及摊薄后每股收益均为0.75美元,2025年同期TOYO股东应占基本及摊薄后每股亏损0.10美元。

美国一季度太阳能电池片进口3.8GW, 同比下降16%来源:光伏情报处 发布时间:2026-05-18 09:10:16

从2024年初到2025年中,美国电池片进口量呈现持续增长的态势,在2025年6月达到峰值3523MW;进入2025年下半年后,进口量开始回落,2025年11月大幅增长至2910MW,12月下降至904MW。

SEG Solar宣布美国4GW光伏组件扩产计划,同步完善印尼垂直一体化供应链来源:TaiyangNews 发布时间:2026-05-14 09:10:57

SEGSolar宣布,将在德克萨斯州休斯顿新建一座4GW光伏组件工厂,此举将使其美国本土光伏组件总产能提升至约6GW。为应对不断变化的政策和贸易环境,SEGSolar采取了东南亚垂直一体化与美国本土制造相结合战略。一旦印尼上游项目全部完工,SEGSolar将拥有从硅棒、硅片、电池片到光伏组件的完整可追溯供应链,这对于满足美国市场日益严格的合规要求至关重要。目前,SEGSolar已能够提供采用非PFE电池片生产的光伏组件。此外,SEGSolar还在积极拓展业务版图。

单晶硅片市场情绪消极 硅片价格承压下行来源:中国有色金属工业协会硅业分会 发布时间:2026-04-10 17:03:18

据安泰科统计,本周硅片价格承压下行。据调研了解,本周下游电池片价格大幅下跌、组件价格暂无明显波动,其中电池片主流价格0.35-0.39元/W,环比节前下跌7.50%;组件主流价格0.71-0.75元/W,环比节前持平。本周受上游多晶硅价格继续下跌、下游需求疲软以及供需错配下的库存压力影响,硅片价格延续下行走势。因此,市场情绪悲观,硅片上下游博弈明显,虽然上游有挺价意愿,但是下游压价强烈,硅片价格承压下行。

安徽7.5GW高效光伏电池片项目落地来源:全球光伏 发布时间:2026-04-07 16:47:36

近日,安徽阜阳颍上县安徽赛颍光伏能源科技有限公司7.5GWN型高效光伏电池片项目的配套基础设施建设进入关键节点,相关配套工程(一期)的公开招标结果已于近日公示,三家企业凭借符合要求的资质和报价成为中标候选人,这标志着项目现场施工条件即将全面成熟,为后续大规模产能落地奠定坚实基础。早在2024年初,该7.5GWN型高效电池片一期项目就已启动首批设备进厂仪式。

印度2025年新增119GW光伏组件产能和9GW电池产能!来源:光伏见闻 发布时间:2026-03-20 05:06:35

MercomIndia最新发布的《2026年印度光伏制造现状报告》显示,2025年印度光伏组件制造产能大幅新增119GW,电池片新增产能突破9GW,本土制造产能迎来快速扩张。从区域布局来看,古吉拉特邦已成为印度第一大光伏制造中心,截至2025年12月,该邦组件产能占印度45%,拉贾斯坦邦和泰米尔纳德邦分别以10%和7%紧随其后。尽管本土产能大幅增长,印度2025年仍进口约99GW光伏组件与电池片,其中电池片占比75%。

单晶硅片市场成交清淡 价格承压下行来源:硅业分会 发布时间:2026-03-13 09:28:42

本周硅片市场成交清淡,下游采买订单数量较少,硅片成交价格承压下行。因此,本周硅片市场整体呈现需求疲软、成本支撑减弱的态势,价格继续下跌。展望后市,近期硅片环节面对高库存、弱需求和成本支撑减弱的三重压力,价格持续下行。若后续终端需求无明显好转,硅片市场反弹动力不足,预计将维持弱势运行走势。

多晶硅库存压力不减,价格延续跌势来源:硅业分会 发布时间:2026-03-11 14:59:06

截至本周,国内在产多晶硅企业共10家,行业平均开工率降至35.5%,同比下降6.5个百分点。尽管供应端明显收缩,但在较高的社会库存压力下,其对价格的支撑作用已被大幅削弱。因此,短期内需求疲软和高库存的双重压力将继续主导市场走势。预计在市场出现明确的终端需求放量信号或库存确定下降之前,多晶硅产业将延续下行调整的趋势,并逐渐步入相对落后产能出清的阶段。

单晶硅片市场成交清淡 硅片价格承压下行来源:中国有色金属工业协会硅业分会 发布时间:2026-02-27 09:19:42

本周硅片市场交易清淡,价格总体呈现小幅下行趋势。受春节假期硅片企业连续生产及物流运输效率下降影响,硅片库存水平出现一定程度的攀升。在上述多重因素共同影响下,市场呈现“有价无市”态势,部分硅片企业为促进出货采取降价促销策略,价格承压下跌。此外,在当前市场对上游多晶硅价格持“弱稳”预期的背景下,硅片成本端支撑力不足,预计短期内硅片市场仍将延续偏弱格局。