首页 资讯信息 研究咨询 服务应用 展会会议 视频图片 期刊专栏 新媒体
关闭
关闭

意法半导体投产采用新一代元件的光伏逆变器用功率半导体

发表于:2014-03-20 00:00:00     来源:日经BP社
索比光伏网讯:大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布,将销售采用新一代半导体元件SiC(碳化硅)的功率MOSFET(金属氧化物半导体型场效应晶体管)“SCT30N120”。新产品的工作温度为200℃,达到业界最高水平,耐压实现了1200伏。计划用于光伏发电用功率调节器(PCS)等。


实现200℃工作温度、1200伏耐压的SiC功率MOSFET“SCT30N120”的封装照片(出处:意法半导体)
功率半导体元件采用SiC的优点是,与以往的硅(Si)功率半导体元件相比,可降低能量损失。意法半导体称,最少可降低50%。

此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT(绝缘栅双极晶体管)。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。

与硅IGBT相比,其优点包括无需使用专用驱动电路即可转换;能以更高的频率工作,可削减PCS功率单元内其他部件的尺寸。由此,可实现PCS功率单元的低成本化和小型化,还能提高转换效率。

新产品目前正在样品供货,预定6月开始量产。采用为提高温度特性而自主开发的HiP247封装。批量购买1000个时的价格约为35美元。

日本国内外的厂商都在开发半导体元件采用SiC的功率半导体产品。今后,如果价格能降低,除了控制马达的逆变器外,还有望得到光伏发电用PCS的全面采用。 
责任编辑:solar_robot
特别声明:
索比光伏网所转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。

光伏行业最新动态,请关注索比光伏网微信公众号:solarbe2005

投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐:news@solarbe.com

扫码关注

新闻排行榜

本周

本月

投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
版权所有 © 2005-2023 索比光伏网  京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600