实现200℃工作温度、1200伏耐压的SiC功率MOSFET“SCT30N120”的封装照片（出处：意法半导体）
功率半导体元件采用SiC的优点是，与以往的硅（Si）功率半导体元件相比，可降低能量损失。意法半导体称，最少可降低50％。
此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT（绝缘栅双极晶体管）。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。
与硅IGBT相比，其优点包括无需使用专用驱动电路即可转换；能以更高的频率工作，可削减PCS功率单元内其他部件的尺寸。由此，可实现PCS功率单元的低成本化和小型化，还能提高转换效率。
新产品目前正在样品供货，预定6月开始量产。采用为提高温度特性而自主开发的HiP247封装。批量购买1000个时的价格约为35美元。
日本国内外的厂商都在开发半导体元件采用SiC的功率半导体产品。今后，如果价格能降低，除了控制马达的逆变器外，还有望得到光伏发电用PCS的全面采用。
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