华宇光能（2381）董事长李森田强调，华宇将聚焦干净能源及智能电网二大领域，三五族太阳能电池，最高转换率已达40.7％，预计在2012年达到43％转换效率目标，未来将视市场需求，提供容易向下整合至电池芯片封装业务。
华宇光能日前举行股东会，由李森田、李苏美亮、李言都、卢晓华、符时屏当选董事，并推选李森田为董事长；新任监察人则包括淡江大学会计系副教授林谷峻、金鼎证券投资信托董事长邱志哲、华冠投资。
李森田指出，由于聚光型太阳能为新型发电系统，目前已达商业化成熟阶段，市场价格下降及大型示范电厂建置两项指标将在2010年下半年出现，初期将仍以小于1MW（百万瓦）至10MW示范电厂建置为主，并为2011年以后100MW级之电厂建置做准备，因此2010年三五族太阳能电池需求将有逐步上升趋势。
华宇光能目前HCPV(高效率聚光型太阳能发电系统)目前部分客户已完成认证及小量试产，为因应下半年度需求及出货逐步成长，该公司还计划添购大型MOCVD机台及制程测试设备。
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无机钙钛矿太阳能电池实现了超过21%的创纪录效率。团队成功解决了长期存在的难题，发明了一种在完全无机钙钛矿太阳能电池上制造耐用保护层的方法。解决退化问题限制钙钛矿太阳能电池采用的主要障碍是快速降解，暴露于湿度、温度或压力等波动的大气条件下，会导致钙钛矿材料在效率和材料性能上迅速下降。
近期，一项关于“4-肼基苯甲酸(HZBA)添加剂”的研究，为解决这些难题提供了有效方案，让锡铅钙钛矿太阳能电池的光电转换效率实现显著突破。
中国制造商表示，该叠层电池采用双缓冲层策略开发，既提升了界面粘附力，又保持了高效的电荷提取。图片来源：隆基中国光伏组件制造商隆基宣布，其1平方厘米柔性钙钛矿-硅叠层太阳能电池实现了33.35%的功率转换效率。在标准照明条件下测试时，1cm串联电池效率为33.35%，开路电压为1.996V，短路电流密度为19.77mA/cm2，填充因子为84.5%。
在本研究中，中国科学院物理研究所石将建、李冬梅和孟庆波等人通过掺杂镁，在CZTSSe表面引入了额外的空位缺陷，从而降低了原子互换的能垒。这种空位辅助的方法增强了Cu-Zn有序化的动力学过程，进而减少了器件中的电荷损失。显著抑制缺陷与电荷损失：该策略使材料表面的Cu-Zn有序度大幅提升。效率突破与大面积器件验证：该工作获得了14.9%的认证效率，是当前CZTSSe太阳能电池领域的最高效率之一，证明了该策略的有效性。
华北电力大学研究人员通过一项名为"碱增强反溶剂水解"的创新策略，将钙钛矿量子点太阳能电池的认证效率提升至18.3%，创造了该类电池的最高世界纪录。这项发表于《自然通讯》的研究，不仅刷新了效率数字，更攻克了长期困扰量子点太阳能电池发展的表面配体交换不充分的核心技术难题。这项创新不仅刷新了效率纪录，更重要的是开辟了钙钛矿量子点表面调控的新路径。
针对这个关键的挑战，宁波大学徐华与浙大宁波理工学院王维燕研究团队针对ST-PeSCs中常见的性能损失问题，创新性地引入了原子层沉积技术，构建了高质量的氧化锡电子传输层。采用该致密ALDSnO层构建的半透明钙钛矿电池有效减轻了溅射损伤并改善了界面特性，其初始光电转换效率从19.37%提升至19.99%，相对提高3.2%。基于该技术的钙钛矿/硅叠层太阳能电池效率达28.77%。此外，具有致密ALDSnO层的半透明电池展现出增强的湿热稳定性。
解决由残留PbI引起的光不稳定性问题，对于同时实现高功率转换效率和优异稳定性至关重要。使用盐酸胍法辛作为添加剂或界面修饰剂来调控钙钛矿薄膜，将晶界处不稳定的残留PbI转化为稳定的二维钙钛矿，从而抑制钙钛矿薄膜的光分解和离子迁移，稳定晶界。结果表明，采用GUFCI的p-i-n型倒置钙钛矿太阳能电池实现了26.19%的冠军效率，并显著提升了操作稳定性。
针对多结应用设计的带隙工程钙钛矿材料在成膜过程中易面临结晶质量差的挑战，并在暴露环境下发生限制PCE的相分离现象。钙钛矿基TJSCs在实际辐照条件下的年最大发电量凸显了多结电池广阔的应用潜力。图4：硅基底部太阳能电池。图5：基于钙钛矿的多结太阳能电池的能量产出评估。
通过减少载流子传输损失、提高选择性和抑制非辐射复合，可显著提升钙钛矿/硅叠层太阳能电池的效率和稳定性。同时，这种场效应钝化提高了整个本征钙钛矿吸收层中的电子浓度，增强了导电性并减少了传输损失。最终，我们实现了高性能全绒面钙钛矿/硅叠层太阳能电池，在1-sunAML5G条件下实现了33.1%的转换效率，开路电压达2.01伏，并在红海沿岸表现出优异的户外稳定性。
针对上述问题，本文采用实时热成像来揭示在热基板上的活性层膜的顺序处理期间的温度受控组装动态。与广泛采用的热溶液技术相比，HS工艺在SqP过程中为活性层提供了更高的温度和更长的加热时间，从而加速了底层的液相重组和成核。HS诱导的界面能差促进层的相互渗透，并在有源层的底部区域实现合适的给体含量，同时促进激子的产生。值得注意的是，HS处理的300nm厚的二元器件实现了超过18.12%的效率。
钙钛矿薄膜中不可控的结晶过程会产生大量缺陷，尤其是顶部和底部界面处的缺陷，导致界面复合，严重损害器件效率与长期稳定性。
