晶威太阳能组件产品获得CSA证书

为此，我们提出了一种晶界能带反转策略，采用二丁基二硫代氨基甲酸铅作为界面钝化剂，同时实现了对1.68eV宽带隙钙钛矿薄膜的缺陷钝化以及晶界与晶粒间能带弯曲方向的反转。结合对空位缺陷的钝化作用，基于该策略的倒置结构器件实现了22.2%的功率转换效率，是目前空气中制备的1.68eV宽带隙钙钛矿电池中最高效率之一。本研究通过晶界能带反转策略，成功实现了高效率与环境制备的兼容性，推动了钙钛矿光伏技术的产业化进程。

本研究嘉兴学院周二军、北京化工大学于润楠和谭占鳌等人通过引入金属螯合物，调控钙钛矿薄膜的纳米力学性能。该策略不仅聚焦于薄膜的纳米力学特性，还揭示了其物理性能与机械柔韧性之间的内在联系。纳米力学-光电性能协同调控：系统阐明了金属螯合物通过静电作用与氢键调控薄膜模量与应变，同步提升载流子寿命与器件稳定性，为柔性光电器件设计提供新思路。

2025年11月17日，中国光伏太阳能高效760W+俱乐部第十六次圆桌会议在四川成都成功举办。会议以“异心向荣，威动未来”为主题盛大召开。此次会议为行业搭建了重要交流平台，通威将携手俱乐部成员共同推进异质结技术的产业化进程，推动光伏行业高质量发展。通威股份光伏技术中心部长龙巍博士主持本次会议。我们应对异质结技术充满信心，若当其功率突破770W时将具备较好市场竞争力。

为应对这一挑战，西北工业大学李祯等人开发了一种利用氟化聚酰胺酸进行原位晶界封装的策略。PIF聚合物在晶界处发生原位聚合，形成贯穿钙钛矿的三维聚合物网络，有效阻隔气体释放通道。引入PIF后，钙钛矿质量得到提升，基于PIF的刚性与柔性钙钛矿太阳能电池分别实现了25.28%和24.42%的光电转换效率。通过进一步引入ITO顶电极和外部封装，器件在1140小时内仅以0.009%/h的极低速率衰减。

杭州电子科技大学，杭州众能光电科技有限公司，杭州职业技术学院和杭州科能新能源有限公司的科学家们系统比较了两种常见的钙钛矿前驱体混合溶剂体系—NMP/DMF和DMSO/DMF，旨在研究它们的配位特性如何影响真空辅助钙钛矿结晶过程中薄膜的形成结果。基于NMP/DMF和DMSO/DMF溶剂体系的钙钛矿薄膜形成示意图。基于这些机制，使用NMP/DMF体系制备的钙钛矿薄膜表现出优异的光电性能。

本文南京邮电大学柔性电子全国重点实验室黄维院士、王少荧、辛颢等人报道了通过溶液法制备均匀、大面积的CuZnSn薄膜和太阳能组件。通过调节硫脲/金属比例以增加薄膜孔隙率，从而促进更均匀的垂直反应和横向晶粒生长，我们提高了CZTSSe薄膜的均匀性，实现了单电池效率13.4%和太阳能组件效率8.91%。我们的工作证明了溶液加工在沉积均匀、大面积CZTSSe薄膜和高效太阳能组件方面的可行性，推动了该技术的发展。

在这项工作中，对1.84eV钙钛矿薄膜表面和底部界面的卤素离子分布进行了全面研究，结果表明在钙钛矿中存在严重的卤化物分布不均，这严重损害了器件的效率和稳定性。Yb3+离子与卤素阴离子之间的强配位调节了结晶动力学从而使富含Br和富含I区域分布均匀，从而产生了组成卤化物均匀分布的高质量钙钛矿薄膜。此外，Yb3+显著抑制了卤素迁移和离子交换过程，从而增强了相稳定性。

出乎意料的是，4F-BA形成了高性能的3D/2D异质结，而4TF-BA则在钙钛矿表面形成了非晶层。研究结果表明，4F-BA具有更平衡的分子内电荷极化，有利于形成有效的氢键，从而促进结晶性2D钙钛矿的形成。而基于4F-BA的器件效率超过25%，并在多种存储条件下表现出更长的寿命。结晶2D层大幅提升稳定性：基于4F-BA的3D/2D器件在高温、高湿环境下表现出卓越的长期稳定性，远超非晶钝化层和对照组。

在此，我们使用一氧化二氮代替现有的CO2作为替代氧源，成功地为SHJ太阳能电池沉积了具有高结晶度的nc-SiOx:HFSF层。同时研究了N2O作为氧源对薄膜性能的影响。随着SHJ太阳能电池走向柔性制造，Jsc的限制变得更加明显。这一特性使得可以更灵活地适应选择性传输以提高太阳能电池的性能。

据了解，晶皓新能源科技有限公司是A股主板上市公司上海港湾基础建设（集团）股份有限公司旗下子公司，成立于2023年7月，是一家聚焦钙钛矿太阳能光伏组件前沿技术的国家级高新技术企业。公司重点攻关单结及柔性钙钛矿太阳能电池技术，其40余人的核心研发团队主要由归国博士及博士后构成。此前，2025年5月，其研发的30cm×30cm大尺寸超薄柔性钙钛矿太阳能电池，经中国计量科学研究院认证，光电转化效率达18.06%。

针对钙钛矿太阳能电池（PSCs）埋底界面处载流子传输与非辐射复合损失的关键问题，成都理工大学等单位的研究团队创新性地筛选出一系列二磷酸路易斯碱分子，提出采用N,N-双(二苯基膦)胺（N-DPPM） 作为界面功能分子，调控钙钛矿沿（100）/（200）低米勒指数晶面择优生长。N-DPPM凭借适中烷基链长度（n=1）与多重活性位点，不仅可与欠配位Pb²⁺配位、通过N–H键与FA⁺作用，还能显著提升异质界面能（γ_HI）、降低晶界能（γ_GB），从而平坦化晶界沟槽、减少纳米级物理空隙、释放残余应力。基于该策略，窄带隙（1.55 eV）、大面积（0.5 cm²）和宽带隙（1.73 eV）倒置PSCs分别实现了26.80%、26.18%和20.59% 的优异光电转换效率，且未封装器件在长期存储、热老化和光浸泡条件下表现出卓越稳定性。