索比光伏网讯:京瓷2012年9月4日宣布，该公司在日本获得了采用“三栅电极构造”的太阳能电池模块相关专利。据该公司介绍，日本国内市场上流通的结晶硅型太阳能电池模块中，采用三栅电极构造的产品达到6成左右。今后，该公司将讨论对采用该专利相应电极构造的企业采取警告等措施。不过，目前还未具体确定将要警告的企业。另外，该公司还在海外申请了该专利。
三栅电极构造是指在结晶硅型太阳能电池单元的表面形成3条主栅线（bus bar）电极的构造，与原来采用两条主栅线电极的构造相比，可在增大采光面积的同时降低电极电阻，因此受到越来越多的采用。京瓷从2004年开始量产三栅电极构造的太阳能电池模块。另外，三菱电机还推出了拥有4条主栅线电极的结晶硅型太阳能电池产品。
京瓷此次在日本获得专利的专利号为“4953562”，申请日期为2004年6月10日。于2005年12月22日公开，2012年3月23日正式被授予专利权。该专利的权利要求范围包括：（1）有3条主栅线电极、（2）主栅线电极的宽度为0.5～2mm、（3）细栅线（finger）电极的宽度为0.05～0.1mm、（4）主栅线中有一条配置在电池单元中央，等等。
对于京瓷的专利，日本国内使用三栅电极的太阳能电池厂商认为，“并未触犯其专利”。另外，海外太阳能电池厂商也表示，“严格适用该专利的话，可能会给经营带来严重影响。希望能够宽大对待那些为太阳能电池业界的健康发展做出贡献的厂商”。
京瓷此项专利权利要求范围的全部内容如下。
【要求1】
具备以下特点的太阳能电池模块：
在透光性面板和背面保护材料之间配备通过内部引线以电气方式连接的多块板状太阳能电池片，并以填充材料填充其间隙的太阳能电池模块；
上述太阳能电池片拥有半导体基板、位于该半导体基板受光面的受光面电极（包括用来收集电流的3条正面主栅线电极以及与垂直于这些主栅线的多条正面细栅线电极），以及位于该半导体基板背光面的用来收集电流的3条背面主栅线电极；
多块太阳能电池片之间，通过内部引线将一块太阳能电池片的正面主栅线电极与相邻太阳能电池片的背面主栅线电极连接在一起；
正面主栅线电极的宽度为0.5mm以上2mm以下，正面细栅线电极的宽度为0.05mm以上0.1mm以下；
正面主栅线电极与背面主栅线电极分别位于半导体基板的两面，3条背面主栅线电极配置在3条正面主栅线电极正下方的位置；
在3条正面主栅线电极中，有1条位于半导体基板的基板中心线上；
相邻的正面主栅线电极经由正面细栅线电极以电气方式互相连接。
【要求2】
上述正面细栅线电极在不经由焊锡的情况下与上述填充材料接触的、要求1中描述的太阳能电池模块。
【要求3】
上述正面细栅线电极的宽度为0.06mm以上0.09mm以下的、要求1或要求2中描述的太阳能电池模块。
【要求4】
上述太阳能电池片的受光面上形成有薄膜电阻为60Ω／□以上300Ω／□以下的逆导电型扩散层的、要求1或要求3中任一项所描述的太阳能电池模块。（记者：河合基伸，《日经电子》）
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