晶体薄膜
本研究通过低维模板与延迟结晶协同策略，成功实现了高质量锡基钙钛矿薄膜的可控制备及其高性能晶体管的构筑。该工作为锡基钙钛矿的结晶控制与高性能器件开发提供了有效途径，成果发表于《NatureCommunications》。图3锡基钙钛矿场效应晶体管的器件性能表征。本研究展示了一种通过调控结晶动力学路径以实现高性能、高稳定性锡基钙钛矿薄膜及器件的有效策略，为未来钙钛矿基电子器件的开发奠定了可靠基础。
考虑到移动或可穿戴系统对低压设备操作和超低功耗的严格要求，小截止状态漏电流和小亚阈值摆动至关重要。在玻璃基板上制造的n沟道ActivInkN1100TFT的传输和输出特性除p沟道TFT外，还使用PolyeraActivInkN1100作为半导体制造n沟道有机TFT。结论展望本文报道的纳米级TFT和反相器是使用电子束光刻技术制造的。虽然电子束光刻的主要缺点是其低吞吐量，但这并不排除使用电子束光刻在更大规模上制造有机TFT和电路的潜力。
为了优化晶体质量，并通过无溶剂法制备高效钙钛矿太阳能电池(PVSC)，钙钛矿成膜过程中的成核调控已被广泛研究。然而，由于金属离子分布不均匀以及随后的不均匀成核，无溶剂制备中垂直成核过程通常难以控制
功能性生物聚合物羧甲基壳聚糖(CMC)，以促进均匀的垂直成核。此外，CMC可以改善钙钛矿薄膜质量，钝化界面缺陷并减轻残余应力。最后，采用无溶剂法制备的含有CMC的钙钛矿太阳能电池表现出25.12%的显著
Cells-PSC)是指使用“具有钙钛复合氧化物(CaTiO3)具有相同的晶体结构的有机金属卤化物、无机金属卤化物、有机/无机金属卤化物”作为光敏层的一类薄膜太阳电池。(二)技术研发进展1.
Perovski名字命名的一类具有ABX3结构的矿物化合物(如CaTiO3)，而具有光伏效应的钙钛矿材料主要是一类具有相同晶体结构的杂化金属卤化物钙钛矿。钙钛矿太阳电池(Perovskite
Solar
了一种纳米晶-核模板 (NCNT) 策略，通过精确匹配纳米晶体的 I/Br 比与目标钙钛矿薄膜的 I/Br
比，直接解决异质成核——相分离的根本原因。这种方法指导 Pb-I/Br 八面体的均质组装
)策略来制备具有上级卤素均匀性和晶体学取向的混合卤化物钙钛矿薄膜。通过使用非晶相CsPb(I
1-xBrx)3作为晶核模板，该方法抑制了富Br畴的形成并消除了
为了优化晶体质量，并通过无溶剂法制备高效钙钛矿太阳能电池(PVSC)，钙钛矿成膜过程中的成核调控已被广泛研究。然而，由于金属离子分布不均匀以及随后的不均匀成核，无溶剂制备中垂直成核过程通常难以控制
功能性生物聚合物羧甲基壳聚糖(CMC)，以促进均匀的垂直成核。此外，CMC可以改善钙钛矿薄膜质量，钝化界面缺陷并减轻残余应力。最后，采用无溶剂法制备的含有CMC的钙钛矿太阳能电池表现出25.12%的显著
真空辅助混合沉积宽带隙(WBG)钙钛矿因其优势而得到广泛认可，包括易于扩大规模和共形生长，同时避免使用有毒溶剂。然而，对于提高薄膜基叠层太阳能电池性能至关重要的宽带隙钙钛矿(1.8
eV)的生长
，在本研究中，引入了正丙胺盐酸盐(PACl)，它表现出增强的(100)面正面堆叠，可在退火过程中有效调节1.84
eV 宽带隙钙钛矿的取向晶体生长。这种方法降低了缺陷密度，从而提高了载流子扩散长度
8-BO：PY-DT膜的1D线切割轮廓。(g)晶体相干长度(h)D18：L 8-BO和D18：L
8-BO：PY-DT膜在面外方向上的rDoC值(CCL)和p-pd-间距。L 8-BO：PY-DT薄膜
8-BO、PY-DT和L 8-BO：PY-DT膜的t1、t2和t3时间的直方图。(e)L 8-BO、PY-DT和L 8-BO的晶体相干长度(CCL)和p-p
d-间距：(f)L 8-BO、PY-DT和
&Bo He研究背景钙钛矿太阳能电池(PSCs)的功率转换效率(PCE)已突破26.5%，逐步逼近最先进的晶体硅太阳能电池水平。在反式钙钛矿电池性能提升过程中，有机空穴选择性自组装分子(SAMs)发挥
在不同SAMs上的钙钛矿薄膜的PL光谱及(C) TRPL衰减曲线。(D) 通过UPS测试获得的不同ITO/SAM表面与钙钛矿薄膜的能级分布。(E)
SAMs在空穴传输界面作用机制示意图
/CoPcevap、NiOx/CoPcnws)对电池性能的影响，研究者系统评估了双层结构对电荷传输、界面稳定性和器件整体性能的作用机制。关键实验与结果表面形貌与晶体结构：CoPc薄膜平整致密，可有
方式在NiOx表面构建CoPc中间层：CoPcevap：通过热蒸发方法制备的薄膜;CoPcnws：通过温度梯度物理气相沉积(TG-PVD)方法形成的纳米线结构。通过比较三种HTLs(纯NiOx、NiOx
