n型硅片

（PECVD）沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面，这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ硅片表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层，我们得到了非常低的

。国硕科技工业目前正在开发P型与N型太阳能级单晶硅片，不过启动量产依然取决于市场需求的增长。目前，国硕科技工业年产能为700MWp，Tsai透露称。 原标题:台湾国硕科技工业预计2015年3月实现满产

，较大尺寸的单晶硅片M1/M2、4BB（4-busbar）的应用也会增加，以获得更高的效率。黄公晖表示，2015年太阳能厂商将着力于P型单晶光衰问题的改善，N型单晶虽会是明年全球展会的重点之一，但目前仍

应用也会增加，以获得更高的效率。黄公晖表示，2015年太阳能厂商将着力于P型单晶光衰问题的改善，N型单晶虽会是明年全球展会的重点之一，但目前仍属小型利基市场应用，占整体市场份额变化不大。　　行业集中度

）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们

用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的

1月14日，比利时纳米电子研究中心imec宣布，该机构已对基于6寸商用N型Cz-Si硅片的大面积N型PERT（钝化发射极，背面完全扩散）晶体硅太阳能电池片的效率进行了提升，目前该电池片最高转换效率

欧洲IMEC研发中心通过使用商用硅片加工设备，创下了N型单晶硅钝化反射极完全扩散电池（n-PERT）的新转换效率记录，达22.02%。此新技术已在ISE校准实验室校准，其开路电压为684mV，短电路

索比光伏网讯:欧洲IMEC研发中心通过使用商用硅片加工设备，创下了N型单晶硅钝化反射极完全扩散电池（n-PERT）的新转换效率记录，达22.02%。此新技术已在ISE校准实验室校准，其开路电压为