n型半导体

具备可弯曲性而不会明显影响其性能。加州大学柏克莱分校的Ali Javey等人使用阳极氧化铝(anodized alumina)膜做为模版，并且搭配气液固(VLS)制程来制造n型的单晶硫化铬(CdS
)的纳米光伏材料结构还高。Javey表示，相比块材类太阳能电池模块，这种模块在组件中只使用了少量活性半导体，因此可以大幅度降低组件制作成本。光伏组件他还表示，他们的纳米柱可以用来发展一套低成本、质轻但

太阳能光伏电池的工作原理加以说明。当N型硅和P型硅结合时，N型区的电子扩散到P型区，P型区的空穴扩散到N型区，此时，N型带正电，P型带负电，在硅半导体内部产生电场。当太阳光照在半导体P-N结上时，形成

，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P（positive）型半导体。 同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N
（negative）型半导体。黄色的为磷原子核，红色的为多余的电子。如下图。 N型半导体中含有较多的空穴，而P型半导体中含有较多的电子，这样，当P型和N型半导体结合在一起时，就会在接触面

来看，产品为有机太阳能电池中也由p型和n型有机半导体构成的有机薄膜太阳能电池。材料和体异质结构造（通过混合p型半导体和n型半导体分子形成的三维p-n结构造）为有机薄膜太阳能电池中的常见做法，但通过改进

。n型半导体采用富勒烯衍生物、p型半导体采用聚3-己基噻吩（P3HT）形成体异质结构造。该材料类和结构本身在有机薄膜太阳能电池中很常见，但英特尔将电极制成了梳齿状并嵌入内部，使电子更易流动的同时，还

，产量进入世界大厂行列。目前，中硅高科生产的多晶硅部分产品已达到：P型电阻率3000?cm-4800?cm，N型电阻率300?cm-480?cm，少子寿命300s-1250s，质量稳定。中硅高科
2.5万吨。根据《信息产业发展十一五规划》提出的目标，到2010年，半导体级高纯硅材料需求总量约为2500吨，2010年多晶硅总需求量不超过3万吨。而我国多晶硅产量2005年仅有60吨，2006年也只有

(metal-oxide chemical vapor deposition, MOCVD)来生长纳米线。Motohisa等人使用的纳米线具有平均直径为135 nm的p型InP内核，外面包覆n型外壳，整体直径为

半导体，经由蚀刻(etching)将n型边缘除去，才能彰显出p-n二极管的结构，接着经过电浆镀膜(SiN-coating)、金属镀膜(Metallization)等方式在晶圆上印出导电电极，再经烧结炉

(JohnA.Rogers)为首的研究小组利用标准印刷术开发出了一种半透明的超薄型太阳能电池，其厚度不足常规半导体电池的十分之一。据《纽约时报》报道，这种电池的灵活度极高，它既可以印在多功能塑料卷的表面，也
标准光刻技术将超薄型太阳能电池安置在半导体晶片上，之后又用软橡皮图章将其印在其他物体表面。根据罗杰斯的描述，硅电池相当于印泥，它们可以附着在图章的粘性表面并随之在不同的材料间转移。哈佛大学化学与化学

更具优势。N3染料的主要缺陷在于长波长无吸收。增大染料在近红外的吸收，同时保持短波长的光电转换效率不变，有利于提高整个太阳能电池的总效率。近年来，以Z907为代表的两亲型染料和以K19为代表的具有高
等。在这一系列染料中，以N3（红染料）和N719性能最优，应用最广。N3的最大吸收峰在518nm和380nm，对应摩尔消光系数分别为1.3×104 L·mol-1·cm-1和1.33×104 L