n型半导体

　　在太阳能电池中，晶体硅片类电池的电极是焊接在硅片表面的导线，前盖板玻璃仅需达到高透光率就可以了。薄膜太阳能电池是在玻璃表面的导电薄膜上镀制p-i-n半导体膜，再镀制背电极。 　　透明导电氧化物的
研究进展迅速，材料性能已可与ITO相比拟，结构为六方纤锌矿型。其中铝掺杂的氧化锌薄膜研究较为广泛，它的突出优势是原料易得，制造成本低廉，无毒，易于实现掺杂，且在等离子体中稳定性好。预计会很快成为新型的

，天威保变和乐山电力共同出资筹建乐山乐电天威硅业科技有限责任公司实施乐山市3000吨年多晶硅项目，此两项目计划2009年7月开车试投产。3、东汽峨嵋半导体材料厂（所）：该厂是我国半导体材料行业第一家集
生产、科研、试制于一体的产研结合的国有科技型企业。该厂多晶硅项目分为两部分：第一部分，投入4.9亿元建设现有峨眉厂区内年产500吨电路级多晶硅生产线，已于2008年3月底投入运行；第二部分，投入36

）公司，成为业界第二。不过我们的晶圆质量可是全球第一位的”（新日铁材料董事社长石山照明）。 　　新日铁材料将开始销售直径为2英寸（50mm）、3英寸（76mm）及4英寸（100mm）的n型
　　新日本制铁（新日铁）着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC（碳化硅）晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆。此前新日铁

东丽开发出了可在有机薄膜太阳能电池上实现5.5％转换效率的p型（供体）有机半导体材料。此次p型有机半导体材料的亮点在于，通过在分子设计及合成方面下工夫，实现了2个目标。一是通过扩大与n型（受体）有机

东丽开发出了可在有机薄膜太阳能电池上实现5.5％转换效率的p型（供体）有机半导体材料。此次p型有机半导体材料的亮点在于，通过在分子设计及合成方面下工夫，实现了2个目标。一是通过扩大与n型

意法半导体（ST）开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω（漏
公司通过改进Super Junction结构，实现了耐压650V的低导通电阻。具体而言，将在n型底板垂直方向上伸长的p型区域的宽度和间隔减少一半，使单位面积的导通电阻由原来的约30mΩcm2降至约20m

　　意法半导体（ST）开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω（漏极
Super Junction结构，实现了耐压650V的低导通电阻。具体而言，将在n型底板垂直方向上伸长的p型区域的宽度和间隔减少一半，使单位面积的导通电阻由原来的约30mΩcm2降至约20mΩcm2

，它生成一层减反射膜沉积在电池片表面。三氯氧磷用于在电池片的扩散过程中与氧气反应生成磷原子，磷原子又作为光伏电池的n型掺杂物，渗透到硅片表层形成PN结。同时它还广泛应用于制药、染化、塑胶助剂、表面活性剂
负载过放电,使蓄电池组使用达到最佳状态的中心控制设备。逆变器是光伏发电系统的电源转换设备,其作用是将直流电转换为单相或者三相交流电。由于电池组件是半导体材料,控制器和逆变器是电子设备,蓄电池是化学装置

全国首位。预计2008年多晶硅产量1000吨，产量进入世界大厂行列。 目前，中硅高科生产的多晶硅部分产品已达到：P型电阻率3000Ω?cm-4800Ω?cm，N型电阻率300Ω?cm-480

、一体化制造、一体化安装，而且辅助技术则包括了低能耗、低成本、优质、绿色的建筑材料的技术。低成本长寿命、资源环保型、半导体发光照明灯具，内墙表面的功能化，还有抗结雾结霜的功能，新一代节能环保型的二维化的