n型半导体
（China Sunergy）将开发n型单晶硅太阳能电池，从2010年第三季度开始量产转换效率为19％的产品。
硅价格猛跌成就东风之美
2008年，对于太阳能电池产业可谓是“冰火两重天（注12
月19日出台了“太阳能光伏和半导体照明产业振兴规划”，中国计划在2012年前形成五个太阳能电池产业区，使太阳能电池产业的总产值达到2280亿元。作者根据中国国内信息制作。
青海省的太阳能资源
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池，其能量转换效率达到了23.4
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池，其能量转换效率达到了23.4％。太阳能电池
从来未曾停止过追逐太阳的步伐。
1969年研制完成硅太阳能电池组
1958，我国研制出了首块硅单晶
中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国对记者说：“美国1957年左右拉出了首块
硅单晶，我国1958年也研制出了首块硅单晶，随后，中科院物理新成立的半导体研究室正式开始研发太阳能电池。”
最初，研发出的电池主要用于空间领域。从1958年到1965年间，半导体所研制出的
。 此次主要改进了两点，分别是（1）削减了n型半导体的层厚度，（2）将单元表面的电极材料从原来的银（Ag）换成了铜（Cu）。通过（1）的改进，提高了蓝色波长的利用率，从而提高了转换效率。而（2）通过采用比
，在该绝缘层上利用激光打开部分小孔，利用蒸镀技术形成铝电极。通过采用该结构，可降低在光的作用下生成的载流子的再结合率。此次主要改进了两点，分别是（1）削减了n型半导体的层厚度，（2）将单元表面
比利时IMEC宣布，采用自主开发的名为i-PERC（Industrial Passivated Emitter and Rear Cell）构造的结晶硅型太阳能电池在单元面积为125cm2时，能量
在15%，同国际水平相差不大。
1968年至1969年底，半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射
曾停止过追逐太阳的步伐。
1958，我国研制出了首块硅单晶
中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国对记者说：“美国1957年左右拉出了首块硅单晶，我国1958年也研制出了首块硅单晶，随后
，人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应，根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：1、硅太阳能电池；2、以无机盐如砷化镓
III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池；3、功能高分子材料制备的大阳能电池；4、纳米晶太阳能电池等。不论以何种材料来制作电池，对太阳能电池材料一般的要求有：1、半导体材料的禁带不能太宽
工程以及太阳能品牌代理。公司自行投资生产各类金属硅和3-5N高纯硅，并从国外著名厂商采购7-9N太阳能或半导体多晶硅原料，然后委托知名厂商加工成各类中间产品进行生产销售；公司还自行研发和生产了应用于
材料科学——在合适的温度拉出CIGS晶体制作p-n结、降低再复合的分离路径，以及最高级别的转换效率。
“这看起来很简单，只是制作出五层薄膜而已。每个人都可以得到效率为10%的电池。如果你不在乎
的，并且体积庞大。HelioVolt和其他公司正在开发可以显著降低生产成本的印刷电子技术。如果卷轴型印刷技术可以使用柔性基板制作高效率薄膜光伏电池，那么可以极大的降低生产成本，太阳能应用也会加
