同步辐射光源(NSLS)的高分辨率X射线散射技术把PCDTBT薄膜暴露于高强度X射线束下,揭示了高温下形成的晶状相(crystalline-like phase),表明这种结构包含共轭主链对
特性,测量出薄膜的电阻并通过Transmission Electron Microscopy (TEM)和X射线衍射(GAXRD)分析薄膜的微结构。研究组由TU Bergakademie
:Environmental Molecular Sciences Laboratory)的各种成像、光谱仪和衍射仪,都用于进行这项工作。这些仪器包括微X射线衍射仪,X射线光电子能谱仪,紫外-可见光吸收和
爆发。2000年6月2日15时左右,太阳有一次强烈的X射线爆发,我国大部分地区短波无线电信号受到干扰,持续半小时左右;同年7月14日发生的太阳耀斑爆发,在16日零时(北京时间)影响地球,造成了严重的
。也会破坏电力设施,可能让全球陷入一片黑暗。2013年的确是太阳活动的高峰年,萧耐园说,太阳黑子、太阳耀斑将有大规模的爆发。2000年6月2日15时左右,太阳有一次强烈的X射线爆发,我国大部分地区短波
、晶体管等,也可以改进太阳能电池。不同于以往的研究,为了探测出这种分子的结构,研究人员把PCDTBT薄膜暴露在高强度X射线下,采用高分辨率X射线散射技术,使用布鲁克海文国家实验室的国家同步辐射光源
电池。 PCDTBT聚合物的化学结构,以及X射线散射几何示意图。(a)PCDTBT的分子结构。(b)这一实验几何图属于入射广角X射线散射几何。来源:布鲁克海文国家实验室 “事实上,尽管这种材料
Institute for Polymer Research),以及科纳卡技术公司(Konarka Technologies)。PCDTBT聚合物的化学结构,以及X射线散射几何示意图
。(a)PCDTBT的分子结构。(b)这一实验几何图属于入射广角X射线散射几何。来源:布鲁克海文国家实验室 这种材料之所以出名,是因为名称PCDTBT(poly(N-9-heptadecanyl-2
,最新研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。 微电子设备几乎离不开硅,硅价格低廉、储藏丰富且坚固耐用。但硅也并非万能,有些材料的性能也比硅强,因此科学家正想方设法让硅同锗等其他半导体材料联姻,以
:这样厚度的连续一层锗只会从硅上剥落下来。他认为,新方法能制造出100微米厚的锗层,而且不需要特殊技术就可以将这些材料焊接在一起。该研究团队的初衷是制造出一款单体种植在读出电子设备上的X射线探测器。该
属性。就像X射线、磁共振成像(MRI)或超声波等医学影像技术,能相辅相成地提供与个人的身体情况和健康状况有关的信息一样。 该研究的领导者、IBM苏黎世研究所纳米尺度体系研究小组的物理学家费边蒙表示:这项技术