PECVD

Si／c-Si异质pp+结高效电池SHARP公司能源转换实验室的高效光伏电池，前面采用绒面织构化，在SiO2钝化层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的c一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为
硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。在高效太阳电池上常采用表面

进口，如高纯多晶硅生产的氢化炉、四氯化硅闭环回收装置、大尺寸（如450kg以上）铸锭炉、多线切割机、PECVD镀膜设备、自动丝网印刷机、全自动电池焊接机等。一些关键通用装备，特别是薄膜太阳能

两个表面同时进行清洗、干燥。首先磁控溅射沉积金属和金属氧化层，以增强衬底的反射率。然后采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅层，以形成叠层太阳电池结构，这是整个制造过程中最关键的工艺步骤

金字塔结构的绒面图8由于原始硅片手指印和有误的存在，在制绒过程中无法去除，在PECVD工序会引起色斑（作者张光春）

进口，如高纯多晶硅生产的氢化炉、四氯化硅闭环回收装置、大尺寸（如450kg以上）铸锭炉、多线切割机、PECVD镀膜设备、自动丝网印刷机、全自动电池焊接机等。一些关键通用装备，特别是薄膜太阳能

沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积
本征及掺杂的a-Si:H膜，同时热丝化学气相沉积法（HWCVD）制备a-Si:H法也被认为很有前景。PECVD法制备a-Si:H薄膜利用等离子里中丰富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-Si:H制备的

而且表面钝化效果也有所增强。批量试制结果显示电池转换效率提高了0.3%。1引言等离子增强气相沉积(PECVD)制备氢化非晶氮化硅(SiNx：H)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。主要存在
0.5-3P型多晶硅片经历制绒、扩散和去磷硅玻璃后，Centrotherm管式PECVD(40KHz)制备SiNx：H薄膜，采用Sentech的SE400测试监控氮化硅在633nm处的折射率以及厚度

（管式PECVD、快速烧结炉）和进口设备并存但份额在逐步增大，3种（全自动丝网印刷机、自动分捡机、平板式PECVD）则完全依赖进口。组件生产用的层压机、太阳模拟器等在行业获得广泛应用。2011年初，中电

的目的.烧结过程中有利于PECVD工艺所引入－H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。烧结方式：高温快速烧结加热方式：红外线加热烧结过程1、烧结是一个扩散、流动和物理化学反应综合作用的过程。在印刷状况

索比光伏网讯:氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用PECVD来制备的氮化硅膜，是以SixNyHz方式来表达的，其中的x,y,z的数值直接影响了膜的光学性能和
层流状态。1.2PECVD过程中的微观过程（1）气体分子与等离子体中的电子发生碰撞，产生出活性基团和离子。其中，形成离子的几率要低得多，因为分子离化过程所需的能量较高。（2）活性基团可以直接扩散到衬底