PECVD

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英利与海优威签订光伏组件抗PID封装技术联合研发战略协议来源:PV-Tech每日光伏新闻 发布时间:2013-07-02 23:59:59

更改电池PECVD工艺的情况下,便可轻松解决组件PID问题了。据介绍,英利集团与海优威公司除了在抗PID组件封装材料方面开展合作外,还将针对高效N型单晶组件、轻质双玻组件、透明组件、无边框组件所用的各类封装材料以及新型背板材料方面广泛地开展相关测试、开发及应用合作。

吴邦国视察薄膜光伏设备企业理想能源来源: 发布时间:2013-06-28 11:25:26

股份有限公司董事长南存辉,正泰集团股份有限公司副总裁王永才,理想能源总裁杨立友、副总裁奚明、陈金元,分别向吴邦国介绍了理想能源最新产品MOCVD、PECVD等设备的研制生产情况。吴邦国不时插话问,你们工艺如何
。南存辉在介绍薄膜光伏设备时说,您2009年在杭州看到的是进口的,现在是自己在第一代的基础上做第二代,这样光电转换效率提高了很多。副总裁陈金元博士解释说:我们在线式单腔型PECVD设备(HJ-1200

中国光伏产业知多少?来源: 发布时间:2013-06-28 09:35:05

(a-Si太阳能电池)是单质硅的一种形态,一般采用等离子增强型化学气相沉积 (PECVD)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。非晶硅太阳能电池是在玻璃衬底上沉积透明导电膜,然后依次用等离子体反应沉积

光伏产品、光伏产业你知多少?来源: 发布时间:2013-06-28 08:56:59

太阳能薄膜电池非晶硅太阳能电池(a-Si太阳能电池)是单质硅的一种形态,一般采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。非晶硅太阳能电池是在玻璃衬底上沉积透明导电膜,然后

吴邦国视察薄膜光伏设备企业——理想能源来源:世纪新能源网 发布时间:2013-06-26 23:59:59

股份有限公司董事长南存辉,正泰集团股份有限公司副总裁王永才,理想能源总裁杨立友、副总裁奚明、陈金元,分别向吴邦国介绍了理想能源最新产品MOCVD、PECVD等设备的研制生产情况。吴邦国不时插话问,你们工艺如何
。南存辉在介绍薄膜光伏设备时说,您2009年在杭州看到的是进口的,现在是自己在第一代的基础上做第二代,这样光电转换效率提高了很多。副总裁陈金元博士解释说:我们在线式单腔型PECVD设备(HJ-1200

汉能太阳能生产线升级,料可提升毛利率来源:集邦新能源网 发布时间:2013-06-13 09:21:12

汉能太阳能宣布,在提升太阳能组件之性价比上取得重大突破,根据Fab 2.0方案为矽锗生产线提供升级方案。Fab 2.0方案包括PECVD工艺工艺之提升及整线生产线的技术及设备之集成及升级。第一套
人力使用,每瓦总制造成本可大幅下降约9.34%。PECVD用量保持不变,整线生产线之输出产能可提升50%,意味着公司生产线业务之毛利率将进一步提升。 公司同时宣布,研发了全新

汉能太阳能向汉能控股提供Fab 2.0产线升级方案来源:世纪新能源网 发布时间:2013-06-12 23:59:59

索比光伏网讯:汉能太阳能集团有限公司日前发布公告宣布公司升级了公司的生产线,公司称将采用名为Fab 2.0的方案对现有非晶锗硅三叠层电池生产线进行升级改造。Fab 2.0方案包括PECVD工艺的提升
减少人力使用,每瓦总制造成本可大幅下降约9.34%。 PECVD用量保持不变,整线生产线之输出产能可提升50%。其中PECVD工艺的提升使太阳能组件转换效率进一步提升,每片组件生产所需之主要气体耗量

CT:“双反”对中国是一个贸易规则的警示来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-06-05 09:39:59

PECVD上加矫正网络就可以把PID的问题解决,也就是说PID解决方案是通过矫正网络在PECVD上完成的。如今PID越来越受重视,厂商都要求电池片有PID的免疫力,否则发电站在使用几年之后就会衰减
甚至失效。越来越多的客户会要求组件和电池片有PID解决方案而不仅仅是把效率提高,而Centrotherm相对于竞争对手的优势是我们只需要在PECVD上加一个矫正网络就可以达到PID的效果。PID的

大族光伏携多项新技术亮相全球最大光伏展来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-05-23 09:02:58

国际馆,展台设计延续以往的清新、大气、醒目风格,给参观者留下深刻印象。除展出增加了多项新技术的领先主打产品系列扩散炉和PECVD外,大族光伏首次对外公布了2014年的技术发展路线图,使公司新一代光伏设备

晶体硅背接触电池工艺需进一步简化来源: 发布时间:2013-05-19 00:09:59

有害杂质也会在高温条件下扩散到硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜,而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜的折射率可以通过调节反应气体的流量进行调整,一般可调
理想材料。热生长的SiO2由于其良好的致密性,具有很好的表面钝化作用,而PECVD法沉积SiNx膜对硅片的表面和体内都有一定的钝化作用。由于短波长的光在电池的上表面很小的薄层内有很大的吸收,因此