PECVD

四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会转换为四面体结构，产生间隙态氧原子，间隙态氧原子夺取p型硅中的价态电子，形成固定负电荷
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的

。这个函数即为目标所求能够和此电池完美拟合的函数曲线，这个函数里的固定电荷密度和界面缺陷密度即为实际电池的参数，这样就能确定该电池的钝化类型及其占比。 三 结果分析 本文选择使用PECVD

重要方向。 图：基于AlOX的背钝化技术的市场份额预测(来源：ITRPV 2018) 表：PECVD与ALD Al2O3钝化膜制备工艺比较 量产设备的出现也是PERC实现产业化不可或缺
的因素。钝化量产设备分为两派：一派以德国Centrotherm为代表，采用PECVD生长的氧化硅/氮化硅叠层膜作为背面钝化膜，另一派以德国R&R公司为代表生产的氧化铝镀膜设备，并且开发出二合一的氧化铝

工艺实验可以提高产量，节约生产成本。 3.2激光掺杂实验结果 用四探针对激光扫描的2020mm的样片进行方块电阻的测量，然后四组实验在相同的工艺条件下进行洗磷刻蚀、PECVD镀减反膜、丝网印刷电极和烧结

、刻蚀、PECVD镀膜、丝网印刷、烧结等工序。每道工序过程中，由于存在人为因素、环境因素及机械不稳定等因素，造成硅片的一些缺陷及污染等，从而影响电池片的性能。因此黑斑片的出现，也许是硅片原材料的问题
实验 采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法

(PECVD)方法的AI2O3沉积设备的出现以及针对光伏工业的适应性改造，已有相当多的工作(例如Kessels&Putkonen等的论文及其引文)投入到了AI2O3薄膜钝化PERC电池背部的研究当中
覆盖BSF电池相同。电池前表面涂覆了一层均匀的发射极(重掺杂n+层)，是在使用各向异性刻蚀法对硅片表面进行制绒后在其上面进行热扩散磷元素掺杂而成的。 在发射极顶部，有一层由PECVD工艺沉积而成的

金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔

内容摘要 介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺，在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗，严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火
VaporDeposition，PECVD) 在背面镀一层Si3N4 薄膜，对Al2O3 起保护作用;同时，这层Si3N4薄膜还能提高少子寿命，增加对长波的反射，对光进行充分利用，增加硅片对长波的吸收，显著

　　 Al2O3中铝原子存在两种配位方式：6个氧原子的八面体中心位置和4个氧原子的四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会
PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理