PECVD
摘要：介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺，在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗，严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火温度
多晶硅料生产设备、硅片加工设备、晶体硅电池生产设备等。公司系国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备制造商，主营PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺
捷佳伟创今日在深交所创业板上市，发行价格14.16元，证券代码为300724 捷佳伟创是一家国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备供应商，主营PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备
某线的划伤比例，收集数据如图8所示。
由数据可得，反射率28%时与反射率26.5%时的划伤比例并无差异，所以为非要因。
2.2.8原因八：PECVD镀膜温度影响电池片耐磨性
针对C车间
变检验手法在检验电池片时检验时长将会多100%，无法满足产能需求，所以暂缓实施，优先实施措施二与措施三。
措施二：
3月24号起，视实际情况，工艺适当降低PECVD各线别的镀膜温度。具体调节参数
电池片的目的。烧结过程中有利于PECVD工艺所引入的-H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。烧结是一个扩散、流动和物理化学反应综合作用的过程。在印刷状况稳定的前提下，温区温度、气体流量、带速是烧结的
效率的目的。
等离子化学气相沉积(即PECVD)，是太阳能电池片制造过程中一道非常重要的工艺。通过使用PECVD炉子将SiH4、NH3气体进行350℃高温放电，由于热运动加剧，气体分子相互间的碰撞
就成为太阳能电池片制造的重要环节。
PECVD工艺沉积的SiN膜，标准膜厚为73nm8nm、膜厚均匀呈深蓝色、折射率2.10.1。但是在实际生产过程中，这些指标会受PECVD工艺温度、气体流量比
工艺技术的核心，要求氢化非晶硅膜层的缺陷态密度低、折射率高且光吸收系数低。目前，国内外文献多采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅薄膜，其他方法如热丝化学气相沉积技术(HWCVD)、常压
中心;二是场效应钝化，即通过电荷积累，在界面处形成静电场，从而降低少数载流子浓度。
文献中齐晓光等采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料，研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对
原子层沉积设备在硅片上制备了Al2O3薄膜，发现其可有效改善钝化性能使其有效少子寿命达到100s以上，将表面复合速率降低到100cm/s以下，说明Al2O3薄膜具有良好的钝化性能。文献中采用PECVD
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅
镀膜的最优工艺参数。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量
四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会转换为四面体结构，产生间隙态氧原子，间隙态氧原子夺取p型硅中的价态电子，形成固定负电荷
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的
