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PECVD
、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。 在寿命周期内，HIT双面组件可比常规组件
系统和工艺开发、PECVD/PVD设备开发、薄片技术和铜丝金属化WEM技术。其中，公司已成功将硅片的厚度从180微米减至130微米，使得硅片的成本降低约30%，保持了成本优势地位。赛维技术负责人介绍：在
采用制绒、扩散、刻蚀、PECVD、印刷、烧结几道工序，由于一些机械应力、热应力及人为等不稳定因素的存在，会不可避免的造成硅片的一些隐性缺陷如污染、裂纹、扩散不均匀等，这类缺陷的存在大大降低了电池片的
电池片采用管式PECVD镀膜方式，在舟中两片电池片背靠背放置，由此可知电池片在镀膜过程中，其中一片脱落或破碎，导致此片电池背面被镀膜，背面由于氮化硅的存在，使得经过丝网印刷后电池片在烧结过程中无法形成
电池片。这些电池片可以通过弗劳恩霍夫太阳能系统研究所校准实验室(ISE CalLab)等机构进行校准。 HELiA PECVD沉积系统 HJT电池片的金属化必须采用低温浆料，因为非晶硅膜层
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
镀减反射膜的钝化效果，对于电池片效率的提升有着重要的意义。目前在太阳能光伏领域常用的钝化方法有:氢气氛退火、微波诱导远距等离子氢钝化、等离子增强化学气相沉积即PECVD法三种。通常PECVD法的钝化
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
镀减反射膜的钝化效果，对于电池片效率的提升有着重要的意义。目前在太阳能光伏领域常用的钝化方法有:氢气氛退火、微波诱导远距等离子氢钝化、等离子增强化学气相沉积即PECVD法三种。通常PECVD法的钝化
自动化仪器;五是PECVD正面沉积氮化硅膜，在该工艺流程中所使用到主要仪器包括CT管式镀膜机、Baumann自动化;六是背面激光开孔实现背面浆料与硅材料局部接触，该工艺用到为帝尔激光仪;七是丝网印刷
;PECVD工序:吸盘接触、皮带接触、导条接触、花篮接触、舟片接触、人员接触、粉尘污染等;激光开孔工序:吸盘接触、皮带接触、导条接触、花篮接触、粉尘污染、人员接触等;丝网印刷:皮带接触、导条接触、花篮
，不论是扩散后还是PECVD 钝化后，硅片的电阻率越高，其少子寿命也越高。在太阳电池中，少子寿命往往是由几种不同能级状态的复合中心支配的，硅片的电阻率越低，其基体掺杂浓度越高，硅片内部的杂质和晶格缺陷
值高达2.21%、4.07%;使用掺镓单晶硅片制备成的太阳电池的光致衰减值远小于掺硼单晶硅片。
结论
实验结果表明：
1) 电阻率为0.2～ 4 cm 时， 扩散后、PECVD 钝化后硅片
：管式 PECVD、管式高温扩散炉、单多晶制绒设备、单多晶清洗设备、硅芯硅料硅片清洗设备、等离子体刻蚀设备、链式湿法刻蚀设备、自动化设备等。 芯能科技： 公司主营业务为多晶硅和单晶硅材料制品
PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售，为太阳能光伏电池生产企业提供高转换效率大产能整体解决方案。
在行业潮起潮落时
推广的三部曲。
捷佳伟创成立至今，均主营生产PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)等晶体硅电池设备。当时国内太阳能电池市场处于两头在外的格局当中，即生产设备和材料全部依赖于国外，市场也依赖于国外
