P型单晶硅电池

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光伏组件技术进步将推动行业的成本持续下降来源:新能源投融资圈 发布时间:2018-01-17 08:55:21

19.5%-20%之间,多晶硅电池效率在18.3%-18.6%之间,截至2016 年底,P 型单晶PERC 能够实现量产的电池光电转换效率达到21.3%,比传统单晶硅电池的效率高约1
两种不同的设备,实现电池效率一个百分点的提高,同时其生产成本较之常规电池又能保持竞争性。 2、 PERC 电池效率提升明显 转换效率明显高于传统电池:至2016 年,量产的单晶硅电池效率在

2018年中国光伏产业发展形势展望来源:赛迪智库 发布时间:2017-12-28 17:06:05

电耗已降至70KWh/kg以下;P单晶及多晶电池技术持续改进,常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%,采用PERC和黑硅技术的先进生产线则分别达到21.3%和19.2%,异质结(HJT
,多晶硅片通过金刚线技改也陆续增大产能;电池片企业纷纷通过黑硅技术、PERC技术、N型电池技术等进行技改,提升电池产能,高效电池产能在增大;组件企业加速对生产线自动化、智能化改造,生产能力不断提升,有效产能

干货 | 单晶硅 多晶硅 非晶硅的区别来源:光伏盒子 发布时间:2017-12-24 18:17:59

就沉积在被加热的衬底上。若硅烷中掺人适量的氢化磷或氢化硼,即可得到N型或P的非晶硅膜。衬底材料一般用玻璃或不锈钢板。 这种制备非晶硅薄膜的工艺,主要取决于严格控制气压、流速和射频功率,对衬底的温度

2017光伏大会圆满落幕 看看这些参展商都发布了什么新产品?来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2017-10-25 09:06:42

抗PID能力。PANDABIFACIAL60CF系列组件采用行业前沿的熊猫N单晶硅电池技术,双面发电特性使组件的发电量提升10-30%。8.协鑫集团产品:硅烷流化床法颗粒硅;鑫单晶硅片、N型单晶硅片

硅片切割生变革,金刚线需求大爆发来源:中信证券电新 发布时间:2017-08-29 23:59:59

开始PERC高效电池的量产。中电电气基于863项目,目前已经形成35MW的P单晶硅PERC电池生产线,采用Al2O3/SiNx背面钝化、离子注入、纳秒或皮秒激光开孔烧结、背面局部金属化等先进工艺
,创造了20.5%的P单晶硅PERC电池最高转换效率,量产的平均转换效率也达到了20.3%。预计2018年PERC电池将占晶硅太阳电池总产能的30%以上。PERC技术逐步在多晶硅上得到应用,提升

三部委联合下发提高光伏产品技术指标来源:丝路产经频道 发布时间:2017-08-11 15:52:13

通过自主研发和创新,不断刷新光伏转换效率世界纪录。2016年12月,天合光能研发的高效P单晶发射极及背表面钝化(PERC)太阳能电池光电转换效率高达22.61%,再创新的世界纪录;今年5月,该公司自主
适当提高《意见》中多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换率市场准入和领跑者技术指标。 通知信息显示,自2018年1月1日起,新投产并网运行的光伏发电项目的光伏产品供应商应满足《光伏制造行业规范条件

三部门联合发文 光伏产品技术指标提高将加速产业升级来源:新华社作者:徐曼 发布时间:2017-07-26 23:59:59

进步,多家企业通过自主研发和创新,不断刷新光伏转换效率世界纪录。2016年12月,天合光能研发的高效P单晶发射极及背表面钝化(PERC)太阳能电池光电转换效率高达22.61%,再创新的世界纪录;今年
的实施,推动光伏技术进步和产业升级。《通知》提出,自2018年1月1日起,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率市场准入门槛分别提高至16%和16.8%,领跑者技术指标分别提高到17%和

光伏产品技术指标提高将加速产业升级来源:新华社 发布时间:2017-07-26 15:45:51

,一定程度上反映了当前我国光伏行业发展和技术进步现状。近年来,随着我国光伏产业迅速发展,技术加快进步,多家企业通过自主研发和创新,不断刷新光伏转换效率世界纪录。2016年12月,天合光能研发的高效P
,国家此次适当提高光伏技术标准,将有助于支持先进技术产品扩大市场,促进领跑者计划的实施,推动光伏技术进步和产业升级。 《通知》提出,自2018年1月1日起,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换

专家解读:晶硅电池产业化技术将走向何方?来源:智汇光伏(PV-perspective) 发布时间:2017-07-24 10:11:14

Al-B-BSF掺硼铝背场 base1ms_1ms P硅片 4BB4主栅 Multi wire多主栅 finger10m_10m栅线 空心材料的改进 实心结构的改进 资料来源:B.
Min et al., 31st EU-PVSEC, Hamburg/Germany, 14.-18. Sept. 2015 PPERC发展方向 丝印制备Al2O3钝化膜(免ALD,免PECVD、免

金刚线切割+黑硅+PERC,高效多晶电池效率提升绕不过的三道坎儿!来源:摩尔光伏 发布时间:2017-06-28 23:59:59

或N型单晶硅为主,对硅片衬底的电阻率和少子寿命提出了更高的要求。一般要求少子寿命高于100us。其光致衰减(LID)与普通单晶硅电池无明显差别,如果采用掺镓(Ga)技术,能够进一步降低LID效应
场钝化效果比较弱。AlOx/SiNx钝化薄膜,一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高,能够提供较强的场钝化能力;另一方面,在高温烧结过程中,AlOx与P硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的