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NREL认证效率超34%,开壳层双自由基SAMs (RS-1 和 RS-2)助力钙钛矿/硅叠层电池效率和稳定性实现新突破来源:钙钛矿-晶硅叠层太阳电池TSCs 发布时间:2025-10-29 14:28:42

Wu 等人设计了并合成了开壳层的两种双自由基SAMs:RS-1 和 RS-2,其中RS-2额外引入甲氧基增强与钙钛矿的相互作用,RS-1 和 RS-2平面共轭的给体-受体结构,可以促进电子离域与双自由基态形成,通过引入空间位阻基团,提高了分子稳定性和溶液可加工性。

NREL最新Nat Commun:磷掺杂降低CdSeTe半导体中阴离子空位无序性,提升太阳能电池效率来源:知光谷 发布时间:2025-09-26 10:14:27

将CdTe与Se合金化形成CdSeTe半导体虽降低了复合,但CdSeTe中存在更复杂的缺陷态,会因载流子陷阱和陷阱限制的迁移率而限制效率进一步提升。

美国NREL揭示:N型组件存在严重紫外线衰减问题来源:PV光圈见闻 发布时间:2025-09-19 10:23:09

研究人员呼吁加强国际标准,以检测光伏组件中的紫外线诱导衰减问题。此前他们在运行中的n型组件中发现了“严重”的此类问题。NREL的研究发现n-PERT电池中紫外线诱导的衰减率很高。在随后的湿热应力测试后,观察到紫外线照射电池的表面电阻进一步严重衰减。“这表明随着电池和组件设计的不断发展,需要更严格的UVID鉴定标准,以及需要更基本地了解UVID衰减模式及其复合应力因素,”他们说。

方昇光电钙钛矿蒸镀设备出海交付NREL来源:钙钛矿工厂 发布时间:2025-08-18 09:26:52

8月15日,方昇光电自主研发的大尺寸带节拍钙钛矿蒸镀设备完成打包装车并发运,最终目的地为美国,这是方昇钙钛矿设备首次海外交付。作为钙钛矿真空蒸镀设备的首次海外落地,这一里程碑事件不仅彰显了方昇的核心技术在国际市场的竞争力,更标志着企业在全球化战略布局中迈出了突破性的一步,为钙钛矿光伏技术的国际化应用与推广注入了强劲动力。

打破美国NREL纪录,国能低碳院钙钛矿叠层电池效率突破27.35%来源:国家能源集团 发布时间:2025-07-29 11:35:57

依托国家能源集团科技创新项目,低碳院成功开发出高性能钙钛矿基薄膜叠层电池,该电池具有突破传统单结电池理论效率极限的能力。叠层薄膜太阳能电池结构和相应光伏特性曲线本研究实现叠层薄膜电池的重大技术突破,将钙钛矿-铜铟镓硒叠层电池效率纪录大幅提升,首次超越钙钛矿单结电池27.3%效率纪录,显著增强了该类型叠层电池的市场竞争力。

NREL和CubicPV为钙钛矿微型太阳能组件实现24%的效率来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-07-15 10:19:46

美国国家可再生能源实验室和CubicPV在美国的合作生产出了一种认证效率为24.0%的钙钛矿微型模组。据NREL高级科学家KaiZhu在一份声明中表示,CubicPV的重点是叠层太阳能器件,在硅顶部使用钙钛矿制造太阳能电池板,该电池板可以捕获更多光子并继续降低能源成本,而NREL的重点是提高钙钛矿串联电池的制造、耐用性和效率。

中科院长春应化所&隆基Science双自由基自组装分子助力钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池效率突破34.2%来源:太阳能电池札记 发布时间:2025-07-10 14:29:36

下1000小时无明显衰减机制:TOF-SIMS证实传统分子易受碘离子亲核攻击,而双自由基分子受位阻保护3. 宽带隙钙钛矿/晶硅叠层电池认证效率:34.2%(面积1 cm²,美国NREL认证)关键参数:开路

NREL认证34.2%!长春应化所携手隆基发Science:普适性双自由基SAMs导电性/均匀性/稳定性均显著提升!来源:钙钛矿太阳能电池之基石搭建 发布时间:2025-06-27 14:42:47

向扫描J-V曲线(G) 基于RS-2的硅-钙钛矿叠层器件(1 cm²)正反向扫描J-V曲线(H) 美国国家可再生能源实验室(NREL)认证的叠层器件(1 cm²)测试结果器件制备常规带隙钙钛矿太阳能电池

李振国夏季达沃斯发声:中国光伏制造,为全球能源转型做出巨大贡献来源:隆基绿能 发布时间:2025-06-26 10:59:41

。“技术进步很快。”李振国坦言,十年前,光伏转换效率只有15%左右;今天,这一数据已达到25%的水平。十年后,光伏转换效率有望达到35%。不久前,经美国国家可再生能源实验室(NREL)认证,隆基自主研发的晶硅

隆基出席AEF2025非洲能源峰会,BC科技加速实现能源公平来源:隆基绿能 发布时间:2025-06-25 09:45:31

实验室(NREL)权威认证,其自主研发的大面积(260.9cm²)晶硅-钙钛矿两端叠层太阳电池转换效率达33%,刷新全球大面积叠层电池效率纪录;同时,BC电池组件效率突破26%,再度改写晶硅组件