N型硅材料

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热炒的光伏“异质结”概念:产业链已具雏形 短期难以产业化来源:21世纪经济报道 发布时间:2020-02-13 18:08:43

,根据市场需求适时推出N料以及可生产电子级高纯晶硅。而在异质结技术方面,该公司试线规模已达400MW。 异质结电池以N单晶硅片为衬底,该种硅片对晶硅材料的纯度要求更高,硅料价格因此相对较贵

多家企业布局 异质结电池能否引领下一代光伏技术?来源:每日经济新闻 发布时间:2020-02-13 15:09:40

太阳能电池均可称为异质结太阳能电池,与之相对的是同质结电池,即p-n结由同种半导体材料组成。目前实际商业应用的晶硅太阳能电池基本均为同质结电池(p-n结由晶体硅材料形成),而产业中一般提到的异质结电池

巴菲特押注太阳能 光伏迎来新纪元来源:中国能源网 发布时间:2020-02-07 16:54:45

单晶硅技术路线中目前也有两个分支:P型单晶硅和N单晶硅。单晶硅中掺磷是N(电子导电),掺硼为P型(空穴导电)。 当前技术条件和生成成本综合对比,使用 P型单晶硅材料的PERC电池(双面镀膜

【中银电新】HJT:有望开启光伏新一轮技术革命(光伏异质结电池系列报告之一)来源:SOLARZOOM光储亿家 发布时间:2020-02-04 16:41:38

半导体材料组成的太阳能电池均可称为异质结太阳能电池,与之相对的是同质结电池,即p-n结由同种半导体材料组成。目前实际商业应用的晶硅太阳能电池基本均为同质结电池(p-n结由晶体硅材料形成),而产业中一般所提到的

商务部:对原产于美韩进口太阳能级多晶硅继续征收5年反倾销税!来源:商务部 发布时间:2020-01-20 09:28:38

多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米(cm);基硼电阻率2600欧姆厘米(cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n少数载流子寿命
2017年第78号公告的规定相同。具体如下: 美国的公司 1.REC太阳能级硅有限责任公司 57% (RECSolarGradeSiliconLLC) 2.REC先进硅材料

期限5年!商务部:对原产于美国进口太阳能级多晶硅继续征收反补贴税来源:PV-Tech 发布时间:2020-01-20 09:09:21

电阻率2600欧姆厘米( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9。 主要用途:主要用于太阳能
) 2.REC太阳能级硅有限责任公司 0% (REC Solar Grade Silicon LLC) 3.REC先进硅材料有限责任公司 0% (REC Advanced Silicon

商务部公告2020年第2号 关于对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴措施期终复审裁定的公告来源:商务部贸易救济调查局 发布时间:2020-01-19 18:32:53

);基硼电阻率2600欧姆厘米( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9。 主要用途:主要用于太阳能
Corporation) 2.REC太阳能级硅有限责任公司 0% (REC Solar Grade Silicon LLC) 3.REC先进硅材料有限责任公司 0% (REC Advanced Silicon

西宁崛起光伏产业链“小高地”来源:西宁晚报 发布时间:2020-01-15 11:20:33

23日,黄河水电西宁太阳能电力有限公司高效NIBC电池组件生产线开始联动调试,成为国内第一条量产效率超过23%的高效电池及组件生产线,使得我省产高效光伏电池及组件产品跻身国际一流水平。12月23日
了迄今为止我省最为完整的工业产业链条,成为光伏全产业链发展的小高地。 东川:光伏产业集群优势凸显 光伏产业发展就要走集群化发展之路,这就要依托东川工业园区已形成的光伏晶硅材料产业基础,以提高

2019年硅产业大事记:多(单)晶硅成为行业亮点来源:硅业分会 发布时间:2020-01-15 10:08:47

大尺寸硅片后,610半片组件主流功率可以达到580W,如果叠加N技术,组件功率可以提升到615W。也就是说,M12的推出让光伏组件跳过5.0时代,直接步入6.0时代。 同时,由中国科学院过程工程研究所和
产业格局进一步调整优化。其中工业硅领域形成以合盛硅业为龙头,其他企业跟进的1+N格局,仅合盛硅业一家工业硅产能就超过80万吨/年,市场占有率超过25%。多晶硅领域已经形成了协鑫、通威、大全、新特

涨疯了!HIT凭啥被称为“下一代商业光伏生产候选技术”?来源:光伏每日头条 发布时间:2020-01-10 14:57:55

a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-na-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称结构的HIT太阳能电池。 图表1:HIT太阳能电池结构
转换效率于2015年已达到25.6%。2015年三洋的HIT专利保护结束,技术壁垒消除,是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。 下图是HIT太阳能电池的基本构造,其特征是以光照射侧的p-i型