N型晶体硅电池

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中环股份19亿定增纾困 年内或再度融资来源: 发布时间:2012-06-11 08:36:59

%以上转换效率电池组件。目前其独有的背接触结构N太阳能电池仍是转换效率最高的商业光伏电池,通过全背面电极接触,转换效率高达22%以上,而目前国内晶体硅电池的最高转化率不过19%。今年2月,中环股份全资

“第三代”光伏发电技术来源:国际新能源网 发布时间:2012-05-30 08:51:26

是4倍聚光漏斗和散热片的一组照片: c)高效聚光硅基电池:硅电池的转化率越高,所消耗的多晶硅就越少。目前用的是美国Sun Power公司供应的转化率为22%的n硅基聚光电池。如前所述
,在聚光条件下,聚光电池,会出现对数式非线性增长。4倍聚光导致开环电压增长了10%!这一n光电池就呈现出24.5%的转化率! d)在所有上述介绍的绿色技术中,最重要的是太阳能炼硅。 5

晶体硅电池组件EL缺陷分析来源: 发布时间:2012-04-24 10:04:04

黑片,这种电池片大多产生于单面扩散工艺或是湿法刻蚀工艺,单面扩散放反导致在背面镀膜印刷,造成是PN结反,也就是我们通常所说的N片,这种电池片会造成IV测试曲线呈现台阶,整个组件功率和填充因子都会
索比光伏网讯:EL检测仪,又称太阳能组件电致发光缺陷检测仪,是跟据硅材料的电致发光原理对组件进行缺陷检测及生产工艺监控的专用测试设备。给晶体硅电池组件正向通入1-1.5倍Isc的电流后硅片会发

国际光伏技术大会系列盘点二:技术创新来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-03-22 14:00:59

事业部第一炉多晶硅锭正式出炉。该锭净重420KG,由其自产的DRZF-450型多晶硅浇铸炉浇铸而成,这标志着天龙光电多晶事业正式迈向市场。苏州中来推出FFC 双面四氟背膜目前,太阳电池组件的有效使用寿命
强度的机理关系,成功开发出太阳电池封装背膜的颠覆性创新成果━━四氟型太阳电池背膜。采用四氟材料和等离子体改性处理工艺开发高性能太阳电池背膜在国内尚属首创。先进的技术才能创造出高品质的产品,颠覆性创新

“金太阳”温暖“光伏寒冬”来源: 发布时间:2012-02-06 09:00:59

高效稳定无衰减;重掺IC级单晶品质和产量全国第一;率先掌握的N高寿命单晶生产工艺,可使太阳能电池光电转换效率达到22%以上,高纯夹层喷涂石英坩埚在国内市场供不应求,用该产品生产的单晶硅成品率可以提高
和晶枫两张技术王牌:已经量产的赛秀技术使光电转换效率达到19.2%,为世界一流水平;具有自主知识产权的晶枫技术,生产出接近直拉单晶硅品质的晶体硅电池,光电转换效率达到18.2%。使用这两项技术制造出的

河北光伏企业逆势飞扬来源:中国科学报 发布时间:2012-02-03 09:12:15

掌握和储备的多项光伏行业领先技术正持续不断转化为市场竞争力和先进生产力:掺镓硅单晶专利产品在行业内率先实现了产业化推广,电池转换效率高效稳定无衰减;重掺IC级单晶品质和产量全国第一;率先掌握的N高寿
,得力于晶龙手握的“赛秀”和“晶枫”两张技术王牌:已经量产的“赛秀”技术使光电转换效率达到19.2%,为世界一流水平;具有自主知识产权的“晶枫”技术,生产出接近直拉单晶硅品质的晶体硅电池,光电转换效率达到

晶龙集团 创新之火温暖“光伏寒冬”来源: 发布时间:2011-12-29 23:59:59

光伏行业领先技术正持续不断转化为市场竞争力和先进生产力:掺镓硅单晶专利产品在行业内率先实现了产业化推广,电池转换效率实现了高效稳定无衰减;重掺IC级单晶品质和产量全国第一;率先掌握的N高寿命单晶
,得力于晶龙手握的赛秀和晶枫两张技术王牌:已经量产的赛秀技术使光电转换效率达到19.2%,为世界一流水平;具有自主知识产权的晶枫技术,生产出接近直拉单晶硅品质的晶体硅电池,光电转换效率达到18.2

管式PECVD 流量对太阳电池氮化硅膜影响的工艺研究来源: 发布时间:2011-12-08 23:59:59

密切联系。这个分析也可以适用于平板型PECVD技术。对进一步提高晶体硅电池的转换效率,对我国晶体硅电池产业获取更大的利润或降低生产成本都有直接的帮助。当然,在此没有进一步通过理论对实验进行分析是
并不是说沉积膜的全过程都是钝化过程。表1 反应气体流量(f) 对膜厚()、折射率(n)、吸光系数(k)、少子寿命(eff) 的影响   在效率方面,当工艺气体总流量增加时,效率有一个最佳值,如图3所示

中科院微电子所新型Al2O3表面钝化研究获得突出进展来源: 发布时间:2011-11-24 23:59:59

利用Al2O3对晶体硅进行表面钝化,再结合新的工艺,有效地提升了p型和n晶体硅电池的效率,Al2O3钝化技术有望在太阳能电池的生产中得到大规模的应用。  中科院微电子所微波器件与集成电路研究室(四室

接棒多晶硅 单晶硅概念股将“大显身手”来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2011-10-13 10:23:59

提高导电程度,形成n硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。用途:是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率
较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可