N型晶体硅电池

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天合光能携优质高效产品亮相AsiaSolar并荣膺“亚洲光伏十佳创新企业”奖来源:索比光伏网 发布时间:2016-08-29 14:33:57

电池效率,实现低成本高效光伏电池产业化是我们的最终目标。天合光能依托设在常州总部的光伏科学与技术国家重点实验室,多次刷新IBC电池世界纪录。目前,天合光能156156 mm N单晶硅IBC电池的
荣获了2016亚洲光伏十佳创新人物称号。冯志强博士表示:多年来,天合光能国家重点实验室致力于低成本高效率晶体硅电池技术研究,我们相信大面积IBC电池的开发及应用,终将有效降低制造成本。在此基础上,提高

天合光能IBC电池助力日本大阪产业大学勇夺2016铃鹿FIA太阳能汽车赛“梦想组”桂冠来源:天合光能 发布时间:2016-08-12 10:13:51

Interdigitated back contact,即全背电极接触晶硅太阳电池,是一种高效晶体硅电池。与其它太阳能电池相比,IBC电池的所有电极均在电池背面,减少正面遮光损失,相当于增加了有效半导体面积,提升
电池效率。其正面采用均匀的一片式设计,电池外形更美观。 自2011年起,天合光能就开始研发低成本高效IBC电池。2016年4月26日,天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布,其156156 mm N

【解读】中国制造2025能源装备方案出炉 聚焦七大清洁能源领域来源:21世纪经济报道 发布时间:2016-06-22 08:33:58

生产技术(多晶电池效率21.5%以上,单晶效率22.5%以上,N高效电池效率25%以上,多结晶体硅电池效率达到26%以上),研发多晶CTM大于103%、单晶大于101.5%的高效率组件技术及光伏电池关键材料

《中国制造2025——能源装备实施方案》光伏光热节选来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2016-06-21 09:08:17

效率21.5%以上,单晶效率22.5%以上,N高效电池效率25%以上,多结晶体硅电池效率达到26%以上),研发多晶CTM大于103%、单晶大于101.5%的高效率组件技术及光伏电池关键材料。薄膜及其他新型

发改能源[2016]1274号 三部委发布《中国制造2025—能源装备实施方案》来源:中国能源报 发布时间:2016-06-19 23:59:59

2025能源装备实施方案光伏、光热节选1、光伏(1)技术攻关:新型高效晶硅电池和组件:研发可量产的晶体硅电池生产技 术(多晶电池效率21.5%以上,单晶效率22.5%以上,N 型高效 电池效率25%以上

天合光能IBC电池助力UNSW创造光伏电池效率34.5%惊人记录来源:凤凰网 发布时间:2016-06-03 15:42:14

效率创造了156156mm2大面积N单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录,也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录
国家可再生能源实验室共同合作完成,破纪录所使用的晶体硅电池正是天合光能的IBC高效电池。 UNSW下属澳大利亚先进光电中心高级研究员Mark Keevers和Martin Green联手打造的新设

天合光能IBC高效光伏电池创造逆天记录34.5%来源:天合光能 发布时间:2016-06-02 23:59:59

效率创造了156156mm大面积N单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录,也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。此外
国家可再生能源实验室共同合作完成,破纪录所使用的晶体硅电池正是天合光能的IBC高效电池。天合光能始终重视技术的创新与研发,与全世界多所高校机构达成合作,共同促进光伏技术的进步和平价电力的早日实现

第十届国际太阳能产业展览会观后感来源:阳光工匠光伏论坛作者:一个勤勤恳恳用心搬运阳光的工匠 发布时间:2016-05-24 23:59:59

输出功率状态,其规避PID效应功能通过主动抬升交流侧中性点电压使得直流侧组件负极对地电压保持相等,这样n+ 层的n+层带正电的载流子(空穴)无法穿过玻璃通过组件边框流向地面再回到前表面n层与电子复合导致

晶科能源20.5%以上效率多晶电池量产技术路线来源:索比光伏网 发布时间:2016-05-04 09:21:41

5B. 选择性发射极电池 对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P晶体硅电池的扩散层是N导电层,使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷

干货:20.5%以上效率多晶电池量产技术路线来源:SOLARZOOM 发布时间:2016-04-29 13:34:34

发射极的优势越来越小,个别选择性发射极技术如硅墨技术、激光选择性发射极逐渐被淘汰出局。 对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P晶体硅电池的扩散层是N