N型晶体硅电池

N型晶体硅电池,索比光伏网为您提供N型晶体硅电池相关内容,让您快速了解N型晶体硅电池最新资讯信息。关于N型晶体硅电池更多相关信息,可关注索比光伏网。

20.5%以上效率多晶电池量产技术路线来源:晶科能源 发布时间:2016-04-28 10:03:48

出局。对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P晶体硅电池的扩散层是N导电层,使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷,能够起到良好的场钝化效果,使用

天合光能再次刷新大面积IBC电池世界纪录来源: 发布时间:2016-04-27 11:26:59

4月26日,天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布,经第三方权威机构JET独立测试,以23.5%的光电转换效率创造了156156 mm2大面积N单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能
金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积,也有利于提升发电效率,外观上也更加美观。天合光能光伏科学与技术国家重点实验室研制的这一破纪录的N单晶硅大面积IBC电池,采用了先进的背面电极交叉结构设计及

天合光能刷新大面积IBC电池世界纪录:光电转换效率达23.5%来源:天合光能 发布时间:2016-04-27 09:32:56

2016年4月26日,天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布,经第三方权威机构JET独立测试,以23.5%的光电转换效率创造了156156 mm大面积N单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破
正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积,也有利于提升发电效率,外观上也更加美观。 天合光能光伏科学与技术国家重点实验室研制的这一破纪录的N单晶硅大面积IBC电池,采用了先进的背面电极

我国企业以23.5%效率打破大面积IBC光伏电池世界纪录来源:世纪新能源网 发布时间:2016-04-25 23:59:59

mm2大面积N单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录。IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术,使面朝
太阳的电池片正面呈全黑色,完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积,也有利于提升发电效率,外观上也更加美观。天合光能光伏科学与技术国家重点实验室研制的这一破纪录的N

【技术】IBC电池技术及产业化来源:天合光能 发布时间:2016-04-12 14:11:18

厚度的NCZ硅片衬底,最高效率已达25%。SunPower目前拥有年产能为100MW的第三代(Gen3)电池生产线,并且还有年产能350MW的生产线在建。2014年该线生产的电池平均效率已高达
电池技术的研究进展 图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N硅片衬底的背面形成相间的P+

【工艺】PERC光伏电池技术最新探究来源: 发布时间:2016-02-24 00:01:59

太阳能光伏发电是新能源的重要组成部分,近年来在国内外受到了高度重视并迅速发展。光伏发电的核心技术晶体硅电池技术也在取得持续进步。钝化发射极及背局域接触电池(PERC)最早是由新南威尔士大学研发的
,由于对电池进行了双面钝化,背面电极采用局域接触的形式,有效地降低了表面复合,减少了电池的翘曲断裂。另外,对电池背面进行了抛光处理,提高了对长波的吸收。PERC电池制作流程如图1所示。目前,国内晶体硅电池

【干货】晶硅光伏电池漏电的主要因素分析来源:索比光伏网作者:李吉 靳迎松等 发布时间:2016-01-27 23:59:59

扩散上了N结,如果不去除周边的N结会导致电池片正负极被周边的N结联接起来,使电池正负极接通,起不到电池的作用了,我们用等离子刻蚀去除太阳能电池的周边结,其腐蚀反应方程为

晶体硅电池漏电原因都有哪些?来源:索比光伏网 发布时间:2016-01-27 13:32:42

过程中发现除了以上三种漏电原因外,还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。 1刻蚀不完全或未刻蚀造成的漏电 扩散工艺中在硅片的上表面和周边都扩散上了N结,如果不去除周边的N结会导致

【透视】深度解读:光伏产业为何能够拥抱未来?来源: 发布时间:2016-01-19 00:14:59

都是太阳能通过二次或多次转换而来。唯有光伏转换,是直接通过太阳的辐射将太阳能转换为电能。其发电原理为:在阳光的照射下,半导体硅片内产生电子--空穴对;在P型硅和N硅形成的PN结的内建电场作用下,空穴

【干货】如何识别光伏电池组件的隐裂问题来源:微信王淑娟 发布时间:2016-01-06 20:01:14

隐裂的形状,可分为5类:树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。  图1:晶硅电池隐裂形状  2、隐裂对组件性能的影响  不同的隐裂,对电池片功能造成的影响是不一样
施加电压,半导体中的内部电场将被削弱,N区的电子将会被推向P区,与P区的空穴复合(也可理解为P区的空穴被推向N区,与N区的电子复合),复合之后以光的形式辅射出去,即电致发光。  当被施加正向偏压之后