MOSFET

。 　　VISHAY简介 　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光

大增，其22元左右的股价何以支撑高达160倍的估值，仍是疑问。IGBT是继双极晶体管（GTR）和MOSFET后的新一代功率半导体分立器件，其综合GTR与MOSFET的优点，具有易于驱动、峰值电流量大、自关断

200V直流输入可以由与太阳能阵列电池板相连的DC/DC电压转换器产生。 针对这类应用有各种先进的功率器件可以使用，比如MOSFET、双极结晶体管(BJT)和IGBT。然而，为取得最佳的转换效率和

将成为半导体供应商的10亿美元市场。除了IGBT，MOSFET、整流器、DSP控制器、FPGA、ASIC和闪存，将大量用于生产逆变器。这是一个非常可观的市场机会，值得投资。

。 SPV1001的主要优势： BCD6和EHD5功率MOSFET制程：o 在旁通模式下的低通态损耗o 可最大限度降低旁通待机功耗的低泄漏电流特性o 有助于优化接线盒设计的低工作温度o 出色的抗电

电站。 但随着功率MOSFET工艺的日趋成熟及磁性材料质量的提高，高频变换逆变电源才走向市场。高频变换逆变电源是通过高频DC/DC变换技术，先将低压直流变为高频低压交流，经过脉冲变压器升压后再整流成高压直流。

银行贷款3亿元提供担保，由于目前太阳能硅片销售非常通畅，我们预计资金将由富余，并可能使2期项目更快启动。 MOSFET生产线和抛光片目前都还在爬坡期中，我们预计10年4季度将进入平衡点，在2011年

趋势。例如，由于需要提高输入电压以获得更高的效率，所以必须使用650V或以上MOSFET/IGBT。此外也需要使用SiCSBD作为成套解决方案。另外，要扩大10kW以上市场份额，就必须使用IGBT
/SPM模块。 对于10kW以下并网光伏逆变器解决方案，飞兆半导体提供场截止(FS)IGBT和SupreMOSMOSFET器件，具备进入这一高性能市场所需的低EOFF优势和高可靠性。对于微型逆变器，飞兆半导体拥有中等电压MOSFET和SupreMOS技术，可为这类应用提供卓越性能。

最大化提高系统效率。 美国国家半导体 LM3464 LED 驱动器 -- 技术规格 LM3464芯片是一款高电压的电流控制器，共有4条独立的稳流器通道。这款控制器搭配N沟道MOSFET及检测电阻

该项目可达到满产状态，全年可实现盈亏平衡。 　　但天相投顾的观点相对要悲观一些，该研究小组认为公司IPO募投项目“6英寸功率器件生产线”主要用于生产MOSFET等新型功率器件，但市场前景不容乐观