MOSFET

隔离器控制次级线圈的同步整流器MOSFET。主整流器与同步整流器进行开关切换时出现的停滞时间可以通过外置电阻加以调整。如欲进一步查询有关美国国家半导体LM5035C PWM 控制器的产品资料，可浏览

，甚至用来驱动首辆太阳能电动汽车。时至今日，IR为太阳能业界提供多元化的功率管理产品，特别是家用、商用及公用业务级别应用的串式逆变器。IR MOSFET及IGBT技术发挥了先进的效能，可用于不同的太阳能

　　日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备同步 MOSFET 控制输出与轻负载电源管理功能的相移全桥 PWM 控制器 UCC28950。该解决方案从轻负载到满负载的效率均高达 90% 以上，从而

电流和功率，以便计算子系统操作时相关参数(例如输入电压、输入电流、输入功率及输出电压)的平均值。 LM25066芯片内置的温度监控电路块与低成本的外置二极管连接一起，以便监控外置MOSFET或其他较易

帮助读者了解这一特殊应用领域的独特技术挑战和把握这方面的商机，本刊特别采访了目前在IGBT和MOSFET等大功率器件领域全球领先的供应商IXYS的副总裁Bradley Green。当前随著中国政府加大对
：IXYS可为太阳能发电市场提供哪些关键产品？答：IXYS可以为太阳能逆变器提供高效的MOSFET、高效的二极管整流器和栅极驱动IC。对于需要大功率操作的大功率系统来说，IXYS也许是全球最大的高压

的区别还在于输出级。然而，在并网连接系统中，大多数情况下，DC/AC级由600V的功率MOSFET和/或IGBT所构建，离网系统则使用为电池级馈送的低压输出，主要的应用包括太阳能街灯照明或使用48V
电压轨输出的太阳能辅助电信系统。在48V系统中，则一般选择100V的功率MOSFET来构建全桥逆变器。下文也将会对太阳能逆变器中的MOSFET和IGBT的使用进行详细介绍。 　　系统效率可能

电路的话，可减小电力损失。FET的导通电阻仅为3mΩcm2。为硅制MOSFET的1/50。配备在TO-3PF封装上时，耐压相同的情况下，导通电阻可降至10mΩ以下。另外，GaN与硅相比导热率高并且散热

。 　　电源模块由转换器和逆变器构成。使用了罗姆的SiC“肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）”和MOSFET。电源模块的耐压为1200V，输出电流为230A。 　　罗姆不仅与本田

包括MCU通过MOSFET控制模块实现对蓄电池的优化充电，按照铅酸蓄电池的特性，充电过程采用双标三阶段浮充法，把充电的过程分为三个阶段（参见图2）。 第一阶段： 大电流灌充阶段
口，可用软件来完成异步串行通信（ＲＳ-232标准的异步串行通信），结果证明工作非常可靠、稳定。同时用软件来完成串行通信，也降低了系统的硬件成本。 MOSFET控制模块：MCU的系统逻辑

意法半导体（ST）开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V，有最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω（漏
极电流为66A）的“STW77N65M5”。 此前，太阳能电池功率调节器一直使用IGBT，但由于MOSFET的导通电阻不断降低，因此MOSFET正逐渐取代IGBT。 ST