MOCVD

项全球专利，都是无可争辩的事实。目前，汉能已经形成了拥有完全自主知识产权的高端装备制造能力。汉能Miasolé、Solibro两种技术路线，已经具备GW级产线年度交付能力；像MOCVD等自主核心装备

31.6%，单结电池转化率达28.8%，且正在以每年平均1%的速度提升；砷化镓电池产品还兼具形状可塑、寿命长以及可修复等特性，并拥有独特的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和全自动磊晶移除(ELO)等设备

国产化。汉能集团研发团队在国产化道路上更加注重创新性研发，自主研发的GaAs薄膜太阳能电池核心设备MOCVD(气相外延生长技术)，在原有并购技术基础上进行技术提升，将单机产能从KW级提升到级，目前这台设备
正在调试。随着MOCVD核心设备大机组的升级，能够极大地提高生产效率、推动成本下降。4.以核心技术构建新的盈利模式汉能集团打造全产业链发展模式，形成了上游核心技术研发、高端装备制造，中游薄膜太阳能

大面积外延层剥离技术，和自主的MOCVD（一种新型气相外延生长技术）高速沉积技术，截至目前，汉能的砷化镓薄膜芯片成本已大幅下降，使这一技术的民用化成为可能。据悉，汉能砷化镓电池已经在高空无人机、航天

了拥有完全自主知识产权的高端装备制造能力。汉能Miasol、Solibro两种技术路线，已经具备GW级产线年度交付能力;像MOCVD等自主核心装备，还可以应用在我国半导体工业的其他领域，实现替代进口

MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有

(HughesResearchLab)及Spectrolab通过改进了LPE技术使得电池的平均效率达到18%，并实现了批量生产，开创了高效率砷化镓太阳电池的新时代。　　从上世纪80年代后，GaAs太阳电池技术经历了从LPE到MOCVD

MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前