IGBT
的高效率软开关升压技术、三电平电路拓扑、大功率IGBT驱动技术，令整机更加可靠、高效。 IP65的高防护等级，充分考虑抗腐蚀、高湿、高热等因素，可较好适应泰国湿热的户外安装环境。通过强化系统的环境
、精密制造、核电等发展的重要瓶颈。8月28日，记者从科技部获悉，十二五国家863计划先进能源技术领域采用国产智能模块的储能系统电力电子关键技术研发及应用主题项目在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)智能模块和
储能系统电力电子关键技术方面取得重要进展，突破了IGBT智能模块设计、控制驱动和保护、工艺及试验等一系列关键技术，突破了多能源储能系统的电力电子关键技术，属国内首创、国际领先，已于近期通过科技部组织的
，推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制
场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波;后者，直流电流近于恒定，输也电流为
就具体讲解逆变器发热和散热的基本原理。 三、 逆变器散热和散热设计 1、电路中，有源元器件只要通上电流就会有热量产生。逆变器中主要发热器件有：开关管(IGBT、MOSfet)、磁芯元件(电感
具体讲解逆变器发热和散热的基本原理。
3逆变器散热和散热设计
1、电路中，有源元器件只要通上电流就会有热量产生。逆变器中主要发热器件有：开关管(IGBT、MOSfet)、磁芯元件(电感、变压器)等
。因此，为了保证元器件能在额定温度下工作，系统的散热能力非常重要。
图3功率IGBT模块&IGBT管
图5磁芯元器件
2、逆变器工作时发热是不可避免的，例如一台5kW的
朋友一定好奇，为什么一定是 5 ?不是4，不是10，不是8? 光伏逆变器是由电路板、IGBT、直流母线电容器、液晶显示屏和风扇等部件组成。逆变器的使用寿命可以用“木桶理论”来解释。木桶的最大容量是由
只要通上电流就会有热量产生。逆变器中主要发热器件有：开关管（IGBT、MOSfet）、磁芯元件（电感、变压器）等。因此，为了保证元器件能在额定温度下工作，系统的散热能力非常重要。图3（左）功率IGBT
模块 图4（右）IGBT管图5 磁芯元器件2、逆变器工作时发热是不可避免的，例如一台5kW的逆变器，一般系统发热功率大约是逆变器总功率的1.5-2.5%，其热损耗约为75-125W。因此系统散热降温
基本原理。 三、 逆变器散热和散热设计 1、电路中，有源元器件只要通上电流就会有热量产生。逆变器中主要发热器件有：开关管(IGBT、MOSfet)、磁芯元件(电感、变压器)等。因此，为了保证元器件
开关损耗小和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。第四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅
控制的晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管
散电感会随着电流的增加、连接导线尺寸增大、距离增长而增大，在IGBT关断的过程中，由于电流急剧减小，会在IGBT上产生电压尖峰，有几个方面的风险：一是会使IGBT过电压，在大电流场合，就需使用更大电压
