GaN
进行研究。厦门大学的微纳光电子研究室试图用氮化镓（GaN）基材料来提高太阳能电池的转换效率。他们的理论支持是，如果要将地面应用的光伏器件转换效率提高到50％以上，必须使用带隙超过2.4GeV的材料，并把
器件设计为多节结构。为达到这一要求，他们选用了GaN基材料。GaN基材料为直接带隙材料，具有载流子有效质量低、吸收系数高、耐辐射等优点，使其具有制作高效率太阳能电池的潜力。理论研究表明InGaN可作
比传统照明更丰富，可与各类结构、部件以及设计元素集成，实现广泛的创新应用。
这项为期两年的能源研究项目由迈图发起，将利用迈图的平台技术开展研究。该项目组建了一支擅长氨热法GaN体单晶生长技术
GaN材料及设备领域的世界一流专家共同创立。Advanced Photonic Crystals有限责任公司在美国本土生产创新激光和光学晶体，该公司在高压釜工程和晶体生长方面的技术专长正在本项
and GaN power electronics. IMEC's research bridges the gap between the fundamental research
%的产能并进一步降低了成本。除多结太阳能电池外，该系统还可用于HBT、pHEMT器件，以及红、橙和黄光高亮度LED、激光二极管等。其TurboDisc K系列GaN MOCVD系统，主要用于大批量
生产GaN基绿光LED和蓝色激光器，并对增加GPI的高亮度蓝光LED的产量也有明显作用。王克扬介绍，Veeco目前在上海外高桥建有保税仓库，在北京和上海设立了多个联合实验室，为用户提供直接和周到的市场和
E450提高了15%的产能并进一步降低了成本。
除多结太阳能电池外，该系统还可用于HBT、pHEMT器件，以及红、橙和黄光高亮度LED、激光二极管等。其TurboDisc K系列GaN MOCVD系统
，主要用于大批量生产GaN基绿光LED和蓝色激光器，并对增加GPI的高亮度蓝光LED的产量也有明显作用。
王克扬介绍，Veeco目前在上海外高桥建有保税仓库，在北京和上海设立了多个联合实验室，为用户
三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管（SBD）和常闭型的FET（场效应晶体管），并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件，驱动了功率因数校正器（PFC）。
GaN作为性能
优良的新一代功率半导体，与SiC同样备受关注。GaN的绝缘破坏电场大约比硅大1位数。因此，有望同时实现高耐压和低导通电阻。耐压方面，FET和SBD均为800V。
由于导通电阻小，因此用于电源
扩大，产业规模将迅速增长。 2007年我国芯片产量380亿只，产值达到15亿元。2007年国产GaN（氮化镓）芯片产能增加非常突出，较2006年增长60%，实际年产量达到90亿只，国产
Magnolia日前宣布，公司目前正在与Kopin合作发展N型量子点太阳能电池项目，该合作项目将应用于NASA以及防御系统。这已不是两家公司的第一次合作，早前的氮化镓(GaN)材料运用项目就是
型量子点太阳能电池的强室温发光力，最大发射能量范围可以从红外线达到紫外线。二期项目中，量子点太阳能电池将会运用更高能带隙的氮化镓(GaN)栅栏材料。 Kopin相关人士表示，进行中的
计划过程中，InN基量子点将被嵌入到一个更高带隙的GaN阻碍层中，使它免于受极端环境的侵扰。 Kopin总裁和CEO John C.C. Fan博士表示，创新的结构结合高平在批量生产外延材料的
黄光高亮度LED、激光二极管等。 附记 据本月8日的最新消息，Veeco宣布台湾的新世纪光电（GPI）已经收到多套TurboDisc K系列GaN MOCVD系统。这些设备对增加GPI的
高亮度蓝光LED的产量有用。双方发言人对此事进行了热情洋溢的评价以及展望。 Veeco的TurboDisc K-Series MOCVD GaN平台包括K300和K465，主要用于大批量生产GaN基
