GaN

是光伏太阳能电池用硅晶体和化合物半导体材料；其二是LED发光管用蓝宝石衬底外延GaN(氮化镓)等。叶祖超告诉记者，太阳能电池用单晶重点解决大直径高寿命N型中阻单晶，寿命达毫秒量级，直径8英寸；现普遍

镓基激光器核心技术的突破，专家组认为，该项目在氮化镓基激光器的材料生长、器件工艺和测试技术等方面攻克了一系列技术难关，按时全面完成了任务书规定的研究目标。GaN材料的背景电子浓度小于5×1016
/立方厘米，室温电子迁移率稳定在900平方厘米/伏秒以上、达到国际先进水平，P型GaN空穴浓度达到5×1017/立方厘米,电阻率小于1欧姆厘米。在国内首次研制成功了室温连续工作的氮化镓基激光器，条宽和条长

联合起来形成纳米同轴半导体结构。这样的纳米电缆可以有两种不同方式：一种的内芯是氮化镓（GaN），外层是磷化镓（GaP）；另外一种则相反。两种电缆的内芯直径大约为4个纳米左右。 　　当光子投射到纳米电缆