GE

美国通用电气（GE）5月27日宣布，该公司的可再生能源业务部门为美国Convergent Energy + Power公司供货了输出功率7MW、容量为7MWh的能源储藏系统
）的能源储藏系统上采用了GE制造的系统。 GE供货的是带SCADA（基于计算机的系统监控和进程控制）的设备控制系统Mark VI、输出功率为1MW的光伏逆变器（PCS）Brilliance

，85℃和85%RH的高压及高温高湿环境下，PID表现仍然优异。 First Solar First Solar和通用电气（GE）宣布，对First Solar的碲化镉（CdTe
）型光伏电池板以及GE的1500V光伏并网逆变器（PCS）等实施了优化。在两公司的合作下，通过结合使用通用电气的4MW逆变器ProSolar，可提高百万瓦级光伏电站的成本效率和发电效率

初现中国能源互联网的探索从2015年才刚刚开始。在这条路上，美国和德国已经走在前列。美国电气巨头GE将电力发、输、配、用、电等全过程物联网，撮合发用电交易，并开展维修、节能等增值服务，其能源管理收入

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索比光伏网讯:根据项目的合作伙伴之一通用电气(GE)，位于德国一个商业设施一个采用太阳能光伏，结合热电联产系统和电池储能的混合动力电站背后的商业模式，可能在其他地方被接受和扩展。该美国公司日前在
通用电气旗下子公司GE Power Conversion在柏林运营的一个设施的项目与提供600kW屋顶太阳能电池阵的太阳能技术供应商Belectric及该电站400kW热电联产系统供应商Jenbacher

III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge）。低倍聚光（LCPV）系统的聚光比一般小于100，通常使用高效的单晶硅芯片，采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统，本文对此不作重点
比较厚。具体来说，广泛使用的III-V族聚光芯片结构，是晶格匹配的GaInP/InGaAs/Ge，这种材料不仅地面聚光光伏使用，在太空上也已经是成熟的应用了。这种器件是利用产出效率很高的气相外延生长

（HCPV）系统采用高聚光比模组和双轴跟踪系统（统计至2014年11月）。 所谓高聚光比指的是聚光比在300~1000之间，采用III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge
，可以把材料做得非常薄。对比硅材料，硅是间接半导体材料，吸收光子的能力比较低，硅片通常要作的比较厚。 具体来说，广泛使用的III-V族聚光芯片结构，是晶格匹配的GaInP/InGaAs/Ge

索比光伏网讯:美国GE Energy Financial Services等出资成立的SPC（特殊目的公司）濑户内Kirei未来创造有限责任公司5月11日宣布，正在冈山县濑户内市锦海盐田旧址建设的约

创新公司通用电气(GE)正在与Toyo Engineering Corporation及可再生能源系统开发商Kuni Umi Asset Management Co.合作，旨在帮助为日本冈山县