GE

绝缘材料，请提供原材料名称，例如：GE Polycarbonate,Lexan Type 104。当零部件已获得UL认证或认或，请证明该零部件的具体型号，并注明其UL档案号码。 (e).电性能：对于

有限公司等。从这些公司公布的产品标准来看，跟国际标准(美国GE公司)相当。石英坩埚的主要指标包括三个方面：几何尺寸；纯度、杂质含量；外观。几何尺寸体现了精加工水平，由于单晶生产厂家的热场系统(主要是石墨
坩埚)相对固定，因此石英坩埚的几何尺寸有统一要求。由于GE坩埚进入市场较早，所以我国产品几何尺寸一般沿用了GE的标准。纯度、杂质含量标准，采用了石英砂原料生产厂家的标准，由于国产坩埚都采用了进口原料

不断扩大。 在太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中

主要因素是构成凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特

吸收系数变化不大，而且所有薄膜有相同的吸收边。 3.4 电学特性 CdTe为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，其结构与Si、Ge有相似之处，即其晶体主要靠共价键结合，但又有一定的离子性，因此与同一
薄膜的制音方法 4．1．1 半导体液相外延生长法（LPE法） LPE法生长技术已广泛用于生长高质量的外延层和化合物半导体异质结构，如GaAs、AIGaAs、Si、Ge、siGe等。LPE

凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特林等人第一次

太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中同质p-n结电池